公开(公告)号：CN113253386B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202110543354.0

申请日：2021-05-19

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 雒翔宇 ,  储涛

IPC: G02B6/124

Abstract: 本发明提出了一种高效宽带光栅耦合器设计，该设计将光从硅波导中耦合进入顶层介质层，在光栅耦合区域刻蚀顶层介质层波导形成光栅结构，中间多层介质膜及刻蚀区形成的布拉格反射镜共同降低泄露损耗。与此同时，由于光在顶层介质层的光栅图形中出射，使得该设计具有氮化硅光栅的宽带特性。实现了高效宽带的光纤与光芯片耦合，同时实现方法能够与CMOS工艺兼容，无需较小的线宽即可完成制造。

公开(公告)号：CN113253386A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110543354.0

申请日：2021-05-19

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 雒翔宇 ,  储涛

IPC: G02B6/124

Abstract: 本发明提出了一种高效宽带光栅耦合器设计，该设计将光从硅波导中耦合进入顶层介质层，在光栅耦合区域刻蚀顶层介质层波导形成光栅结构，中间多层介质膜及刻蚀区形成的布拉格反射镜共同降低泄露损耗。与此同时，由于光在顶层介质层的光栅图形中出射，使得该设计具有氮化硅光栅的宽带特性。实现了高效宽带的光纤与光芯片耦合，同时实现方法能够与CMOS工艺兼容，无需较小的线宽即可完成制造。