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公开(公告)号：CN106385239A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610813228.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: H03F3/165 , H03F1/26 , H03F1/565 , H03G3/30 , H03G2201/307
Abstract: 本发明公开了一种增益可调的CMOS宽带低噪声放大器，包括主增益级电路、输入阻抗匹配电路、增益控制级电路以及反馈电容单元。本发明通过控制尾电流源的导通产生可编程的电压，该编程电压加在主增益级电路共栅管的栅极，改变了该共栅管的跨导，进一步改变共源管的栅源电压，使得共源管的跨导改变，这样输入级的共源共栅管的跨导和产生了变化，最终改变了输入匹配以产生不同的放大增益，同时引入输出到输入的反馈电容，来补偿不同调节电压时的输入匹配，通过合理的规划编程电压和反馈电容，可以实现宽带匹配和低噪声放大器的精确增益步进。
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公开(公告)号：CN117208843A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311193745.X
申请日：2023-09-07
Applicant: 中国计量大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种腐蚀MEMS芯片分片槽时的凸角保护技术，其特征在于：在芯片凸角(3)处设置正方形掩膜(4)，采用2根平行的 晶向两端固支梁(5)将正方形掩膜(4)靠近纵向分片槽(1)和横向分片槽(2)中轴线交点的4个凸角连接起来，进行凸角补偿；其余8个凸角采用 晶向两端固支梁(5)、 晶向补偿条(6)进行凸角补偿。各向异性腐蚀液首先底切 晶向两端固支梁(5)和 晶向补偿条(6)。然后底切正方形掩膜(4)，与此同时无掩膜腐蚀 晶向两端固支梁(5)下面的硅楔(7)。最后留下保护完好的芯片凸角(3)。这种凸角保护图形占用面积小，减小了分片槽宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107265394B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201710572621.0
申请日：2017-07-10
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种悬空微结构的正面释放技术。以重掺杂硅片(1)作为衬底淀积组成微结构(2)的薄膜材料，然后光刻并刻蚀出腐蚀窗口(3)，最后在各向异性腐蚀液中正面腐蚀，在沿(100)面(4)纵向腐蚀的同时也沿(111)面(5)底切微结构(2)，使微结构(2)得以释放。上述悬空微结构(2)的正面释放技术具有不需要双面套准和光刻，占用芯片面积较小，悬空微结构(2)不会与衬底之间产生粘连，微结构(2)的设计不受晶向限制的优点。
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公开(公告)号：CN110988398A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911351973.9
申请日：2019-12-16
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01P15/097 , G01P15/18
Abstract: 本发明公开了一种基于非共面H型谐振器和蟹腿型支撑梁的双轴体微机械谐振式加速度计。加速度计由质量块(1)、蟹腿型支撑梁(2)、激振梁(3)、拾振梁(4)、传动梁(5)、引线梁(6)、框架(7)组成。质量块(1)的重心位于4根蟹腿型支撑梁(2)组成的平面内。由激振梁(3)、拾振梁(4)、传动梁(5)组成的4个H型谐振器位于加速度计芯片上表面。激振梁(3)和拾振梁(4)分别采用电磁激励和电磁检测模式，面内弹性刚度低，质量块(1)在面内加速度作用下翻转角度小，交叉轴耦合干扰小，并具有较高的面内检测灵敏度。正面腐蚀工艺释放激振梁(3)、拾振梁(4)、传动梁(5)和引线梁(6)简化了工艺流程，缩短了芯片腐蚀时间。
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公开(公告)号：CN109855791A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811449173.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种基于多折叠梁梳齿谐振器的真空检测器件的结构及制作方法，属于微电子机械系统领域。真空检测器件由多折叠梁(1)、固定梳齿(2)和(3)、可动梳齿(4)和(5)、传动梁(6)、阻尼墙(7)、衬底(8)、锚点(9)和焊盘(10)组成。固定梳齿(2)和(3)、阻尼墙(7)竖立在衬底(8)上。可动梳齿(4)和(5)、传动梁(6)、多折叠梁(1)悬浮在衬底(8)上方，并通过多折叠梁(1)上的锚点(9)支撑在衬底(8)上。阻尼墙(7)布置在多折叠梁(1)附近以增强压膜阻尼，使得这种基于多折叠梁梳齿谐振器的真空检测器件具有较高的测量灵敏度。
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公开(公告)号：CN108931321A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810641917.8
申请日：2018-06-21
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明涉及一种梁-岛-膜一体化谐振式压力传感器结构及制造方法。本发明的目的是提供一种梁-岛-膜一体化谐振式压力传感器结构及制造方法。本发明的技术方案是：一种梁-岛-膜一体化谐振式压力传感器结构，具有谐振梁、感压膜片和位于感压膜片上的两个硅岛，所述谐振梁悬置于两个硅岛之间，该谐振梁上形成有激励电阻和压敏电阻；所述感压膜片、硅岛和谐振梁由一块(100)面硅片经各向异性腐蚀液腐蚀后形成；硅片在各向异性腐蚀液中腐蚀形成感压膜片和硅岛的同时，从(111)面腐蚀谐振梁下方的硅释放沿 晶向的谐振梁，获得一体化的梁岛膜结构；所述硅片的电阻率小于0.1Ω.cm，掺杂浓度小于自停止腐蚀浓度。本发明适用于微电子机械系统(MEMS)领域。
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公开(公告)号：CN106449960A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610541376.2
申请日：2016-07-01
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于静电激励/电容检测微桥谐振器的薄膜热电变换器的结构与制作方法。薄膜热电变换器由制作在同一硅片(1)上的加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)组成。加热电阻(2)通电后产生并辐射的热量引起双端固支梁(3)温度升高，进而改变双端固支梁(3)的轴向应力，最终使双端固支梁谐振频率的变化就可以测量出加载在加热电阻(2)上的输入电压或电流的大小。本发明所涉及的薄膜热电变换器具有以下优点：加热电阻(2)、双端固支梁(3)、激励电极(4)和检测电容(5)制作在同一硅片(1)上，简化了器件封装工艺。(3)的谐振频率降低。通过测量双端固支梁(3)的
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