公开(公告)号：CN107265394A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710572621.0

申请日：2017-07-10

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韩建强 ,  韩东 ,  牛文举

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种悬空微结构的正面释放技术。以重掺杂硅片(1)作为衬底淀积组成微结构(2)的薄膜材料，然后光刻并刻蚀出腐蚀窗口(3)，最后在各向异性腐蚀液中正面腐蚀，在沿(100)面(4)纵向腐蚀的同时也沿(111)面(5)底切微结构(2)，使微结构(2)得以释放。上述悬空微结构(2)的正面释放技术具有不需要双面套准和光刻，占用芯片面积较小，悬空微结构(2)不会与衬底之间产生粘连，微结构(2)的设计不受晶向限制的优点。

公开(公告)号：CN107235470A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710387527.8

申请日：2017-05-26

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韩建强 ,  尹伊君 ,  韩东

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00539 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明公开了一种湿法腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料的保护技术，腐蚀过程中芯片正面金属及多晶硅材料采用氮化硅薄膜保护。氮化硅薄膜采用平板型等离子体化学气相沉积(PECVD)设备淀积。淀积温度350～420℃，13.56MHz射频电源的功率在10‑30W之间。采用氨气和硅烷作为反应气体，氨气流量在3‑10sccm之间，硅烷和氨气的流量比在1.3～2.6之间。利用上述工艺参数淀积的氮化硅薄具有针孔密度和缺陷少的优点，可以光刻并刻蚀后在双面或正面湿法腐蚀过程中保护芯片正面的特定区域的金属及多晶硅材料。

公开(公告)号：CN107265394B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201710572621.0

申请日：2017-07-10

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 韩建强 ,  韩东 ,  牛文举

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种悬空微结构的正面释放技术。以重掺杂硅片(1)作为衬底淀积组成微结构(2)的薄膜材料，然后光刻并刻蚀出腐蚀窗口(3)，最后在各向异性腐蚀液中正面腐蚀，在沿(100)面(4)纵向腐蚀的同时也沿(111)面(5)底切微结构(2)，使微结构(2)得以释放。上述悬空微结构(2)的正面释放技术具有不需要双面套准和光刻，占用芯片面积较小，悬空微结构(2)不会与衬底之间产生粘连，微结构(2)的设计不受晶向限制的优点。