一种离子型大位阻锑化物发光材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN115073523B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202210856357.4

    申请日:2022-07-15

    Abstract: 本发明属于发光材料领域,具体涉及一种离子型大位阻锑化物发光材料及其制备方法和应用。其化学式为C66H60X3SbCl6(其中X=Sb,As,P,优选Sb)。本发明的发光材料在250‑450nm有很宽的激发带,最佳激发峰位于365nm处,可以很好的与商用紫外芯片相匹配,发射出发射峰位于619nm的明亮橙黄色发光。该材料制备方法简单易行、对环境友好,克服了传统铅基钙钛矿材料的毒性和不稳定性;而且此离子型大位阻锑化物发光材料的成本低,反应条件温和,生产周期短,荧光量子产率高,在白光照明和高能射线探测及成像领域具有非常好的发展前景。

    一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112331793B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202011242065.9

    申请日:2020-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括溶液和器件结构,所述溶液包括PEDOT:PSS、溶于氯苯的Poly‑TPD溶液以及溶于DMSO的Ph4PCl和SbCl3溶液,其中Ph4PCl和SbCl3的摩尔比为2:1。所述的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/Poly‑TPD/(Ph4P)2SbCl5/TPBi/LiF/Al。从而实现零维金属卤化物的橙色电致发光器件,以促进零维金属卤化物在显示照明上的应用。本发明中的各功能层对环境友好,制备方法简便,同时适应于其它零维金属卤化物,具有良好的应用前景。

    一种铈(Ⅲ)基金属卤化物透明玻璃闪烁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118373846A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410477288.5

    申请日:2024-04-19

    Abstract: 本发明公开一种铈(Ⅲ)基金属卤化物透明玻璃闪烁体及其制备方法和应用其化学表达式为:OruCe(Ⅲ)vBr3v,其中Or为季膦盐,u,v,3v分别表示Or,Ce(Ⅲ),Br的摩尔含量。包括步骤:将隔绝水氧环境中,将Or与CeBr3按照化学组成研磨混合,加热熔融成熔融物,排气泡得到玻璃液;将玻璃液冷却得到所述铈(Ⅲ)基金属卤化物透明玻璃闪烁体。该玻璃在衰减寿命方面表现出显著的优势,在保证光产额的同时,衰减寿命显著降低,很好的满足高能射线探测的快速响应需求。对比同类型器件不仅能维持一个高的光产额且进一步降低衰减时间。使其在X射线高分辨成像领域具有极强的竞争力,存在巨大的发展潜力。

    一种抗溶剂量子点薄膜的制备方法与量子点薄膜

    公开(公告)号:CN116836703A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310208650.4

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明公开了一种抗溶剂量子点薄膜的制备方法与量子点薄膜,其中,方法包括步骤:将胶体量子点制备成一层或多层量子点薄膜,成膜后量子点薄膜中的溶剂挥发,形成只有量子点的量子点薄膜;将量子点薄膜将量子点薄膜放入极性质子溶剂气氛的腔体中;热处理一定时间,从而得到具有抗溶剂性的量子点薄膜。发明的耗时短,操作简单,调节要求低,对反应物无特殊要求,而且不会产生新物质。另外,本发明制备的量子点薄膜其光学及电学性质没有变化,能够扩大溶液法的应用和选材范围。

    一种黄铜矿型太阳能电池溶液合成纳米颗粒的提纯方法

    公开(公告)号:CN116040589A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202210347556.2

    申请日:2022-04-01

    Abstract: 一种黄铜矿型太阳能电池溶液合成纳米颗粒的提纯方法。首先根据合成配方选择合适的有机溶剂分别配制第一分散混合溶剂、第一凝絮混合溶剂、第二分散混合溶剂、第二凝絮混合溶剂,然后向待提纯的反应溶液中加入第一分散混合溶剂进行离心分离,取得到的第一上清液并丢弃得到的第一固体,接着向第一上清液加入第一凝絮混合溶剂进行离心分离,取得到的第二固体丢弃得到的第二上清液,再向第二固体中加入第二分散混合溶剂充分振荡后,加入第二凝絮混合溶剂进行离心分离,取得到的第三固体进行干燥处理得到产物。本发明得到的产物能形成分散性和稳定性良好的纳米颗粒溶液,由此制备的薄膜结晶性好,形貌致密无孔隙裂纹。

    一种离子型大位阻锑化物发光材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN115073523A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210856357.4

    申请日:2022-07-15

    Abstract: 本发明属于发光材料领域,具体涉及一种离子型大位阻锑化物发光材料及其制备方法和应用。其化学式为C66H60X3SbCl6(其中X=Sb,As,P,优选Sb)。本发明的发光材料在250‑450nm有很宽的激发带,最佳激发峰位于365nm处,可以很好的与商用紫外芯片相匹配,发射出发射峰位于619nm的明亮橙黄色发光。该材料制备方法简单易行、对环境友好,克服了传统铅基钙钛矿材料的毒性和不稳定性;而且此离子型大位阻锑化物发光材料的成本低,反应条件温和,生产周期短,荧光量子产率高,在白光照明和高能射线探测及成像领域具有非常好的发展前景。

    一种改进的OLED像素驱动电路
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109830211A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910178386.8

    申请日:2019-03-11

    Abstract: 本发明涉及一种改进的像素驱动电路方案。用于有机发光二极管(OLED)微显示器设计的转换速率增强电路。由于OLED微显示器的基本像素单元面积只有几百平方微米,因此,像素电路的驱动电流只有数百皮安到数十纳安。当灰度非常低时,提出了采用转换速率增强电路插入原电路中,此时内置参考电压的电路电流很小,易受到开关晶体管的噪声影响,需要在参考电压与M1开关晶体管之间添加一个隔离器,隔绝开关晶体管产生的噪声。这种改进有助于实现OLED在亮度接近最暗的水平时具有更好的显示效果。

Patent Agency Ranking