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公开(公告)号:CN115073523B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202210856357.4
申请日:2022-07-15
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于发光材料领域,具体涉及一种离子型大位阻锑化物发光材料及其制备方法和应用。其化学式为C66H60X3SbCl6(其中X=Sb,As,P,优选Sb)。本发明的发光材料在250‑450nm有很宽的激发带,最佳激发峰位于365nm处,可以很好的与商用紫外芯片相匹配,发射出发射峰位于619nm的明亮橙黄色发光。该材料制备方法简单易行、对环境友好,克服了传统铅基钙钛矿材料的毒性和不稳定性;而且此离子型大位阻锑化物发光材料的成本低,反应条件温和,生产周期短,荧光量子产率高,在白光照明和高能射线探测及成像领域具有非常好的发展前景。
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公开(公告)号:CN115073523A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210856357.4
申请日:2022-07-15
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于发光材料领域,具体涉及一种离子型大位阻锑化物发光材料及其制备方法和应用。其化学式为C66H60X3SbCl6(其中X=Sb,As,P,优选Sb)。本发明的发光材料在250‑450nm有很宽的激发带,最佳激发峰位于365nm处,可以很好的与商用紫外芯片相匹配,发射出发射峰位于619nm的明亮橙黄色发光。该材料制备方法简单易行、对环境友好,克服了传统铅基钙钛矿材料的毒性和不稳定性;而且此离子型大位阻锑化物发光材料的成本低,反应条件温和,生产周期短,荧光量子产率高,在白光照明和高能射线探测及成像领域具有非常好的发展前景。
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公开(公告)号:CN114921249A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210818831.4
申请日:2022-07-08
Applicant: 中国计量大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明属于荧光材料技术领域,具体涉及一种深红光荧光粉,并进一步公开其制备方法以及应用。本发明所述深红光荧光粉包括组成化学式为AxRrQqMy:zD的无机化合物,激发波长在200–500nm,所述荧光粉能很好地被紫外光至蓝光所激发,在红光区的发射峰值为620–800nm的波长范围。本发明制备的深红光荧光粉工艺简单,且发光量子产率高、无污染,在工业大规模制备中具有潜在应用。
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公开(公告)号:CN113311308A
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN202110726525.3
申请日:2021-06-29
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明设计了一种多片旋转式OLED测试探针治具,包括方形基座,圆形器件装载平台,电极端口,电极探针,环形压片,装载平台盖板,步进电机,旋转平台,CCD光信号采集器。八个电极端口呈环形分布在器件装载平台上,每个电极端口内有六根电极探针。每个电极端口上配置的环形压片为器件与电极接触提供压力。装载平台盖板中间位置为步进电机,步进电机在脉冲驱动下通过旋转平台带动平台边缘的CCD转动,使CCD依次对准待测器件。发光点和器件更换均由计算机软件和硬件驱动电路配合完成,避免了OLED测试中的重复性手动操作,多个器件放置位点的设计缩短了测试前逐个点亮的等待时间,大大提高了测试效率。
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