-
公开(公告)号：CN114721072B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210481884.1
申请日：2022-05-05
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于消色差的多层框架结构的斜入射超表面隐身器，由框架区和隐身层组成；框架区为菱形框架所组成的空间；隐身层从下到上分别为第Ⅰ层超表面，第Ⅱ层超表面和第Ⅲ层超表面；第Ⅰ层超表面位于菱形框架的左侧且与菱形框架的下棱相切，所述第Ⅱ层超表面位于菱形框架的两侧且与菱形框架的侧棱相切，第Ⅲ层超表面位于菱形框架的右侧且与菱形框架的上棱相切；单元结构在隐身层上排列以使在平行于隐身层的方向上相位梯度dφ/dx等于线性色散dφ/df等于本发明具有体积小、易加工
-
公开(公告)号：CN114721072A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210481884.1
申请日：2022-05-05
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于消色差的多层框架结构的斜入射超表面隐身器，由框架区和隐身层组成；框架区为菱形框架所组成的空间；隐身层从下到上分别为第Ⅰ层超表面，第Ⅱ层超表面和第Ⅲ层超表面；第Ⅰ层超表面位于菱形框架的左侧且与菱形框架的下棱相切，所述第Ⅱ层超表面位于菱形框架的两侧且与菱形框架的侧棱相切，第Ⅲ层超表面位于菱形框架的右侧且与菱形框架的上棱相切；单元结构在隐身层上排列以使在平行于隐身层的方向上相位梯度dφ/dx等于线性色散dφ/df等于本发明具有体积小、易加工的优势，设计的方法以及隐身结构，为消色差隐身超表面的发展奠定了基础，在雷达、完美透镜和幻觉光学等领域都有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113130806A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110399827.4
申请日：2021-04-14
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种离子液体界面修饰的钙钛矿发光二极管制备方法，上述钙钛矿发光二极管结构从下到上依次为ITO层、空穴传输层、离子液体层，钙钛矿发光层、电子注入层、电极修饰层和金属电极，离子液体层能够钝化表面缺陷，操作方便，成本低廉，应用广泛，经过离子液体界面修饰的钙钛矿发光二极管，亮度和外量子效率明显提高。
-
公开(公告)号：CN114665051A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210214127.8
申请日：2022-03-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种调控发光层的钙钛矿发光二极管制备方法，上述钙钛矿发光二极管结构从下到上依次为ITO层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极，上述钙钛矿发光层是经过路易斯碱钠盐掺杂的。路易斯碱钠盐掺杂能够改善发光层光致发光性能，操作方便，成本低廉，应用广泛，经过路易斯碱钠盐掺杂的钙钛矿发光二极管操作稳定性明显增强，亮度和外量子效率同时提高。
-
公开(公告)号：CN114613929A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210219590.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法，上述器件结构从下到上依次为ITO层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属电极，量子点发光层经过特殊处理能够使得整体器件的各项性能得到极大的提升，且这种处理方式操作便捷，方法简单，利于推广。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114597321A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210214350.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种修饰无铅金属卤化物发光二极管中空穴注入层的方法。上述无铅金属卤化物发光二极管从下到上依次为：ITO层、修饰的空穴注入层、无铅金属卤化物发光层、电子注入层、电极修饰层和金属电极。上述修饰的空穴注入层是通过聚苯乙烯磺酸钠（Poly(sodium‑p‑styrenesulfonate)，PSSNa）水溶液与PEDOT:PSS掺杂而形成的。该修饰材料，能够减少空穴注入，平衡载流子传输，钝化表面缺陷，操作方便，容易控制，价格低廉。基于修饰空穴注入层的无铅金属卤化物发光二极管，性能显著提升。
-
公开(公告)号：CN114221134A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111550465.0
申请日：2021-12-17
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于消色差的多层框架结构的超表面隐身器，包括框架区和隐身区；框架区为菱形框架；隐身区的隐身层从下向上分别为第Ⅰ、第Ⅱ和第Ⅲ层超表面，隐身层与菱形框架的底面垂直，第Ⅰ层超表面切于框架的下棱；第Ⅲ层超表面切于框架的上棱；第Ⅱ层超表面位于棱形框架的两侧与菱形框架中间的棱相接；在框架区两侧的隐身层相位梯度相反；第I、Ⅲ层超表面的结构相同；晶格单元结构在每一层的隐身层上排列以使每一层的隐身层在垂直于入射波方向上的相位梯度dφ/dx满足线性色散dφ/dω满足本发明结构简单，体积微小，易于加工与集成；材料制作成本低廉，有利于广泛的应用；为实现消色差隐身开辟了新的道路。
-
公开(公告)号：CN114035390A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111542252.3
申请日：2021-12-16
Applicant: 中国计量大学
IPC: G02F1/31
Abstract: 本发明公开了全硅介质编码超表面的太赫兹波前散射角度调制器，包括全硅单元结构，全硅单元结构包括基体，基体为底面是正方形的长方体；从基体的底面中心为中心轴、以r为半径向外旋转挖空使全硅单元结构的透射相位分别为0°、90°、180°和270°；若干全硅单元结构形成基本编码序列；基本编码序列沿X方向以周期T1排列，沿Y方向以周期T2排列；基本编码序列的排列使全硅单元结构在XY平面上以N×N的方式排列。本发明为圆孔型的超表面结构，结构简单，体积微小，易于加工与集成。本发明为非金属硅材料，成本低廉，有利于广泛的应用。本发明使用全硅介质超表面结构，介质层超薄，损耗比金属介质结构更低，极大的推进了全硅介质超表面的实用化进程。
-
公开(公告)号：CN113013367A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110226911.6
申请日：2021-03-01
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿发光二极管及其PEDOT:PSS层的修饰方法。上述钙钛矿发光二极管从下到上依次为:ITO层、修饰的PEDOT:PSS层、钙钛矿发光层、电子注入层、电极修饰层和金属电极。上述修饰的PEDOT:PSS层是通过聚苯乙烯磺酸钠(Poly(sodium‑p‑styrenesulfonate)average,PSSNa)水溶液与PEDOT:PSS掺杂而形成。该修饰材料，能够提高空穴注入水平，平衡载流子传输，钝化表面缺陷，操作方便，容易控制，价格低廉。基于修饰PEDOT:PSS层的钙钛矿发光二极管，亮度和外量子效率显著提升。
-
公开(公告)号：CN216145361U
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202121409322.3
申请日：2021-06-24
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本实用新型提供一种OLED显示组件，属于显示组件技术领域，该OLED显示组件包括导光板，导光板上开设有凹槽，凹槽内嵌设有胶框框体，胶框框体的后内壁固定有多个等距分布的凸块，多个凸块之间形成安装槽，多个安装槽内安装有发光组件，整个显示装置结构设置合理，构思巧妙，采用在导光板设置凹槽，并将胶框放置在凹槽中，可有效实现显示模组的超薄、窄边框的效果，并且简化胶框模具，最大程度地节省加工成本，有效解决现有技术的OLED显示屏中的OLED显示模组都是将整个导光板进行包裹设计，导致了其边框较宽，厚度较厚等缺陷。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.02 seconds)
