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公开(公告)号：CN109786583A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910178327.0
申请日：2019-03-11
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本专利是一种基于OLED的液体流速光电传感器，所述的光电传感器包括CMOS电路基底、两个OLED发光单元、六个光电二极管、封装层。所述的OLED发光单元，在阳极上制作一层Si-SiO2光栅，用来增强OLED的光输出效率，提高传感器的灵敏度。将OLED和光电二极管与CMOS工艺结合，有利于光电传感器简化制作流程、降低成本、提高测量性能。
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公开(公告)号：CN109742254A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910178309.2
申请日：2019-03-11
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本专利是一种高效率的OLED微显示器件及制造方法。所述OLED器件包括阴极、电子注入层EIL、电子传输层ELT、发光层EML、空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、阳极、薄膜封装层；其中所述空穴注入层HIL为氧化石墨烯，阳极材料采用有机酸处理，使得OLED微显示器件的发光效率和稳定性得到提高，OLED与CMOS工艺的结合，简化了制作流程、降低了成本、改善了性能。
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公开(公告)号：CN111896085A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010973294.1
申请日：2020-09-16
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于压电效应的质量秤，属于质量衡量领域，本发明包含称重传感器模块、数据处理模块、显示器，秤体；所述的称重传感器包括绝缘衬底、底电极、压电层、上电极，数据处理模块包括电源、数模转换器、单片机控制器，秤体包括载物托盘、测量层、底座；本发明设置了称重传感器阵列，大大提高了质量秤的灵敏度和称重的精确度。
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公开(公告)号：CN109786080A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910178381.5
申请日：2019-03-11
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本专利提出了一种光控集成片上电感，属于微电子器件技术领域。其光控电感结构包括光磁材料，金属导线，二氧化硅隔离层以及硅基衬底。光磁材料线圈层为光控片上电感的主体部分，依附于衬底上，光磁材料感应光照变化，通过自身磁导率的变化来引起线圈整体磁导率发生改变，从而改变电感值。在电感线圈与衬底之间添加了一层二氧化硅绝缘层，用来隔绝衬底的涡流损耗，另外金属导线采用高导电性能材料，减少金属本身的欧姆损耗，这对电感的品质因数的提高有着很大的帮助，同时使电路的整体性能得到了提高。
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公开(公告)号：CN111965572A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010975435.3
申请日：2020-09-16
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其结构从下至上包括硅衬底、绝缘支撑层、下电极、压电层、上电极以及上电极两侧的绝缘体块；上电极采用具有磁致伸缩效应的材料，便于随磁场大小发生变化；硅衬底上刻蚀形成空气腔并在上方沉积绝缘支撑层作为声波反射层；当磁场发生变化，上电极发生磁致伸缩效应，引起电极发生形变，从而改变谐振频率，以此来测量磁场强度；本发明中磁场传感器的尺寸小，制造成本低，制备工艺简单，并且能够反复使用。
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公开(公告)号：CN109830211A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910178386.8
申请日：2019-03-11
Applicant: 中国计量大学
IPC: G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种改进的像素驱动电路方案。用于有机发光二极管（OLED）微显示器设计的转换速率增强电路。由于OLED微显示器的基本像素单元面积只有几百平方微米，因此，像素电路的驱动电流只有数百皮安到数十纳安。当灰度非常低时，提出了采用转换速率增强电路插入原电路中，此时内置参考电压的电路电流很小，易受到开关晶体管的噪声影响，需要在参考电压与M1开关晶体管之间添加一个隔离器，隔绝开关晶体管产生的噪声。这种改进有助于实现OLED在亮度接近最暗的水平时具有更好的显示效果。
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公开(公告)号：CN109755288A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910178410.8
申请日：2019-03-11
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明提出了一种显示质量较高，产品体积小以及应用场景广泛的带有反射隔离层的SOI基底OLED微显示器件，包括玻璃盖片，彩色光阻，封装薄膜层，透明阴极，OLED发光层，像素阳极，反射隔离层、SOI基底、二氧化硅氧化层。反射隔离层采用Cu金属使用电镀的方法生长在像素阳极的间隙处，反射隔离层被一层二氧化硅氧化层包裹。
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公开(公告)号：CN212569097U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202022029958.7
申请日：2020-09-16
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于薄膜体声波谐振器的磁场传感器，其结构从下至上包括硅衬底、绝缘支撑层、下电极、压电层、上电极以及上电极两侧的绝缘体块；上电极采用具有磁致伸缩效应的材料，便于随磁场大小发生变化；硅衬底上刻蚀形成空气腔并在上方沉积绝缘支撑层作为声波反射层；当磁场发生变化，上电极发生磁致伸缩效应，引起电极发生形变，从而改变谐振频率，以此来测量磁场强度；本实用新型中磁场传感器的尺寸小，制造成本低，制备工艺简单，并且能够反复使用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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