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公开(公告)号：CN113684019A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110832492.0
申请日：2021-07-22
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种促进植物生长的近红外光转化膜及其制备方法，其化学式为(Ph4P)2SbCl5。本发明得光转化膜吸收紫外光而发出发光峰位于700nm，半高宽为176nm的红外光，而红外光和植物中叶绿素a和叶绿素b的红光吸收区域(600‑680nm)相匹配。此外，该材料在室温下合成不需要铅元素的参与，且在室温下稳定性好，量子效率高，可通过简单工艺制成促进植物生长的光转化膜，用节能环保的方法提高了光利用率，有大批量工业化的潜力。
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公开(公告)号：CN113684019B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202110832492.0
申请日：2021-07-22
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种促进植物生长的近红外光转化膜及其制备方法，其化学式为(Ph4P)2SbCl5。本发明得光转化膜吸收紫外光而发出发光峰位于700nm，半高宽为176nm的红外光，而红外光和植物中叶绿素a和叶绿素b的红光吸收区域(600‑680nm)相匹配。此外，该材料在室温下合成不需要铅元素的参与，且在室温下稳定性好，量子效率高，可通过简单工艺制成促进植物生长的光转化膜，用节能环保的方法提高了光利用率，有大批量工业化的潜力。
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公开(公告)号：CN112331793A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011242065.9
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括溶液和器件结构，所述溶液包括PEDOT:PSS、溶于氯苯的Poly‑TPD溶液以及溶于DMSO的Ph4PCl和SbCl3溶液，其中Ph4PCl和SbCl3的摩尔比为2：1。所述的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/Poly‑TPD/(Ph4P2)SbCl5/TPBi/LiF/Al。从而实现零维金属卤化物的橙色电致发光器件，以促进零维金属卤化物在显示照明上的应用。本发明中的各功能层对环境友好，制备方法简便，同时适应于其它零维金属卤化物，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114921249A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210818831.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 中国计量大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明属于荧光材料技术领域，具体涉及一种深红光荧光粉，并进一步公开其制备方法以及应用。本发明所述深红光荧光粉包括组成化学式为AxRrQqMy:zD的无机化合物，激发波长在200–500nm，所述荧光粉能很好地被紫外光至蓝光所激发，在红光区的发射峰值为620–800nm的波长范围。本发明制备的深红光荧光粉工艺简单，且发光量子产率高、无污染，在工业大规模制备中具有潜在应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113235158A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110437236.1
申请日：2021-04-22
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸低维度金属卤化物钙钛矿闪烁晶体的反溶剂制备方法，其化学式为Cs3Cu2I5。本发明的闪烁晶体在紫外区域(250‑350nm)有较宽的激发光谱，在X射线照射下发出明亮的蓝紫色光，是一种可用于各种射线显像屏的闪烁材料。上述制备方法操作简单，成本低，重现性好，所得产物在空气中稳定，易于操作和大规模生产。
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公开(公告)号：CN115073523B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210856357.4
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于发光材料领域，具体涉及一种离子型大位阻锑化物发光材料及其制备方法和应用。其化学式为C66H60X3SbCl6(其中X＝Sb,As,P，优选Sb)。本发明的发光材料在250‑450nm有很宽的激发带，最佳激发峰位于365nm处，可以很好的与商用紫外芯片相匹配，发射出发射峰位于619nm的明亮橙黄色发光。该材料制备方法简单易行、对环境友好，克服了传统铅基钙钛矿材料的毒性和不稳定性；而且此离子型大位阻锑化物发光材料的成本低，反应条件温和，生产周期短，荧光量子产率高，在白光照明和高能射线探测及成像领域具有非常好的发展前景。
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公开(公告)号：CN112331793B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202011242065.9
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括溶液和器件结构，所述溶液包括PEDOT:PSS、溶于氯苯的Poly‑TPD溶液以及溶于DMSO的Ph4PCl和SbCl3溶液，其中Ph4PCl和SbCl3的摩尔比为2：1。所述的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/Poly‑TPD/(Ph4P)2SbCl5/TPBi/LiF/Al。从而实现零维金属卤化物的橙色电致发光器件，以促进零维金属卤化物在显示照明上的应用。本发明中的各功能层对环境友好，制备方法简便，同时适应于其它零维金属卤化物，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115073523A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210856357.4
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于发光材料领域，具体涉及一种离子型大位阻锑化物发光材料及其制备方法和应用。其化学式为C66H60X3SbCl6(其中X＝Sb,As,P，优选Sb)。本发明的发光材料在250‑450nm有很宽的激发带，最佳激发峰位于365nm处，可以很好的与商用紫外芯片相匹配，发射出发射峰位于619nm的明亮橙黄色发光。该材料制备方法简单易行、对环境友好，克服了传统铅基钙钛矿材料的毒性和不稳定性；而且此离子型大位阻锑化物发光材料的成本低，反应条件温和，生产周期短，荧光量子产率高，在白光照明和高能射线探测及成像领域具有非常好的发展前景。
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公开(公告)号：CN112341491A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011242066.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于喷墨打印的有机‑无机杂化长余辉材料及其制备方法。化学式为(Ph4P)2TiF6(Ph为苯基C6H5的缩写)，它以氟钛酸铵和四苯基氯化膦为主要原料，在水热釜中经过加热搅拌生成过饱和溶液，通过再结晶生成目标产物。经紫外光的照射后该型长余辉材料在暗处发出明亮的绿光，发光强度高，稳定性和显色性好，可用于喷墨打印，在防伪，信息存储等领域有广泛的应用前景。本发明材料通过溶液重结晶法制备，方法简单，重复性好，所得产品质量稳定。
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