一种空气中两步法制备高质量CsPbBr3薄膜的方法

    公开(公告)号:CN118943258A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411028220.5

    申请日:2024-07-30

    Abstract: 本发明针对如何在空气中制备高质量CsPbBr3薄膜的问题,提供一种两步法制备高质量CsPbBr3薄膜的方法,该制备方法是一种两步旋涂法,先在空气中旋涂PbBr2,再在PbBr2薄膜上旋涂由异丙醇和去离子水混合溶剂溶解的CsBr,最终形成CsPbBr3薄膜。通过调节CsBr混合溶剂中异丙醇和去离子水的比例,在空气中制备出了高质量的CsPbBr3薄膜。所制备的薄膜均匀性好,晶体质量高缺陷态少且具有良好的光致发光特性。

    一种抗溶剂量子点薄膜的制备方法与量子点薄膜

    公开(公告)号:CN116836703A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310208650.4

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明公开了一种抗溶剂量子点薄膜的制备方法与量子点薄膜,其中,方法包括步骤:将胶体量子点制备成一层或多层量子点薄膜,成膜后量子点薄膜中的溶剂挥发,形成只有量子点的量子点薄膜;将量子点薄膜将量子点薄膜放入极性质子溶剂气氛的腔体中;热处理一定时间,从而得到具有抗溶剂性的量子点薄膜。发明的耗时短,操作简单,调节要求低,对反应物无特殊要求,而且不会产生新物质。另外,本发明制备的量子点薄膜其光学及电学性质没有变化,能够扩大溶液法的应用和选材范围。

    一种无空穴传输层的全无机钙钛矿电致发光器件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117613164A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311521179.0

    申请日:2023-11-15

    Abstract: 本发明涉及电致发光技术领域,公开一种无空穴传输层的全无机钙钛矿电致发光器件及其制备方法和应用,所述全无机钙钛矿电致发光器件依次层叠设置阳极电极层、钙钛矿发光层、无机电子传输层和阴极电极层;所述无机电子传输层材料为氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌、氧化锡中任一种或多种的混合物;所述钙钛矿发光层材料为CsPbX3,其中X为Cl、Br、I中一种或两种。本发明中以全无机的CsPbX3为钙钛矿发光层材料,上层叠加无机的电子传输层材料,无需空穴传输层,避免了界面不稳定等潜在因素,得到的器件具有高稳定性特性同时,兼具高亮度和高效率发光性能,对于产业化有非常大的优势。

    一种促进植物生长的光转化膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113684019A

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202110832492.0

    申请日:2021-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种促进植物生长的近红外光转化膜及其制备方法,其化学式为(Ph4P)2SbCl5。本发明得光转化膜吸收紫外光而发出发光峰位于700nm,半高宽为176nm的红外光,而红外光和植物中叶绿素a和叶绿素b的红光吸收区域(600‑680nm)相匹配。此外,该材料在室温下合成不需要铅元素的参与,且在室温下稳定性好,量子效率高,可通过简单工艺制成促进植物生长的光转化膜,用节能环保的方法提高了光利用率,有大批量工业化的潜力。

    一种促进植物生长的光转化膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113684019B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202110832492.0

    申请日:2021-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种促进植物生长的近红外光转化膜及其制备方法,其化学式为(Ph4P)2SbCl5。本发明得光转化膜吸收紫外光而发出发光峰位于700nm,半高宽为176nm的红外光,而红外光和植物中叶绿素a和叶绿素b的红光吸收区域(600‑680nm)相匹配。此外,该材料在室温下合成不需要铅元素的参与,且在室温下稳定性好,量子效率高,可通过简单工艺制成促进植物生长的光转化膜,用节能环保的方法提高了光利用率,有大批量工业化的潜力。

    一种抗溶剂量子点薄膜的制备方法与量子点薄膜

    公开(公告)号:CN116836703B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202310208650.4

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明公开了一种抗溶剂量子点薄膜的制备方法与量子点薄膜,其中,方法包括步骤:将胶体量子点制备成一层或多层量子点薄膜,成膜后量子点薄膜中的溶剂挥发,形成只有量子点的量子点薄膜;将量子点薄膜将量子点薄膜放入极性质子溶剂气氛的腔体中;热处理一定时间,从而得到具有抗溶剂性的量子点薄膜。发明的耗时短,操作简单,调节要求低,对反应物无特殊要求,而且不会产生新物质。另外,本发明制备的量子点薄膜其光学及电学性质没有变化,能够扩大溶液法的应用和选材范围。

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