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公开(公告)号：CN112680715A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011263056.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅膜的生长方法及厚膜氮化硅波导器件的制备方法。氮化硅膜的生长方法：在半导体衬底上生长氧化层；在氧化层上刻蚀出多条深槽，每条深槽底部深入半导体衬底内部，并且多条深槽相交将氧化层分成多个区域；然后在氧化层表面，利用LPCVD方法分多次沉积多层氮化硅膜，多层氮化硅膜堆叠成预设厚度的氮化硅膜，并且多次沉积中除最后一次沉积外，其余每次沉积之后都进行退火处理。氮化硅波导器件的制备方法：采用上述的生长方法生长氮化硅厚膜，制作波导结构，经过后续工艺形成波导器件。本发明以多组相邻深槽作为隔离区，提出了划区域预留氮化硅沉积区域的方法，解决了氮化硅因膜太厚而产生的高应力问题。
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公开(公告)号：CN112462470A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011167383.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件，该方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅衬底；在所述绝缘体上硅衬底上至少沉积一层刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成凹槽；沉积第一侧墙材料，以在所述凹槽两侧形成第一侧墙；去除所述第一侧墙两侧的刻蚀停止层；沉积第二侧墙材料，以在所述第一侧墙两侧形成第二侧墙；刻蚀去除所述第一侧墙；以第二侧墙为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅衬底。该方法采用多次侧墙转移方法形成陡直度好的光栅结构，并可远超过光刻机线宽精度。
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公开(公告)号：CN111048627A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911368535.3
申请日：2019-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在SOI衬底的上表面形成第一介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；采用湿法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度与所述第一凹槽的深度之和等于所述第一介质层的厚度；采用TMAH碱性溶液对所述第二凹槽的底部进行刻蚀，形成第三凹槽；在所述第三凹槽的底部生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的半导体器件的制造方法，可以将低温生长、缺陷较多的探测层下移，达到减小硅基光电探测器暗电流的目的。
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公开(公告)号：CN110867428A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911149972.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种栅格形铜电极结构，包括经光刻刻蚀介质层而形成的栅格，以及被栅格分格形成的栅格形铜电极。本发明利用栅格将特征尺寸大于20微米的铜电极分格形成栅格形铜电极，栅格形铜电极包括若干分格区域，而且分格区域的特征尺寸小于20微米，当实施化学机械抛光工艺时，栅格能够提供避免栅格形铜电极凹陷的支撑，因此，栅格的设置能够避免特征尺寸大于20微米的铜电极在化学机械抛光过程中产生凹陷问题。本发明还提供一种栅格形铜电极结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN109904060A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910105271.6
申请日：2019-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该方法包括应力大于或者等于1GPa的结构层的制作过程，结构层的制作过程包括：多个沉积步骤，沉积步骤为在基底的表面上或者已经沉积的预结构子层的表面上沉积一个预结构子层，预结构子层的厚度在100～400nm之间；刻蚀步骤，在沉积步骤之后，刻蚀步骤为在一个预结构子层的厚度或者多个预结构子层的总厚度大于400nm的情况下，对厚度大于400nm的一个预结构子层进行退火或者对总厚度大于400nm的多个预结构子层进行刻蚀，至少一个刻蚀步骤使得刻蚀后的各预结构子层在基底表面的投影重合；退火步骤，刻蚀步骤后有一个退火步骤。该制作方法得到的半导体结构中的结构层的裂纹较少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118311716A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410571983.8
申请日：2024-05-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种光器件和物理不可克隆函数芯片，涉及光传输技术领域，以通过光器件包括的波导多点耦合结构和亚波长光栅波导结构对制造工艺误差的敏感特性，增加光器件输出光谱的随机性和唯一性。光器件包括基底、输入波导、输出波导、N个方向耦合器、N个反馈波导和至少N‑1个亚波长光栅波导。每个方向耦合器和自身相邻的一个反馈波导构成一个耦合反馈结构。输入波导和自身相邻的亚波长光栅波导之间、相邻亚波长光栅波导之间、输出波导和自身相邻的亚波长光栅波导之间均设置有相应耦合反馈结构。在每个耦合反馈结构中，方向耦合器的直通端和耦合端通过反馈波导相连，且方向耦合器的隔离端和自身相邻的相应亚波长光栅波导或输出波导相连。
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公开(公告)号：CN112269276B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202011272415.6
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光器件，涉及光器件技术领域，用于在加热电极加热过程中，使光波导均匀受热，从而提高光器件的工作性能。该光器件包括：基底和热场调节部。基底具有光波导、以及位于光波导上方的加热电极。加热电极具有镂空区域。热场调节部位于光波导和加热电极之间。热场调节部用于在加热电极加热过程中，调节加热电极所产生的热场的传导范围，以使光波导均匀受热。
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公开(公告)号：CN111129228B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201911403215.7
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/18 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器的制造方法，包括：提供第一半导体衬底；采用键合工艺在所述第一半导体衬底的上表面形成探测层；对所述探测层进行刻蚀，暴露出所述第一半导体衬底的部分上表面；在所述第一半导体衬底的所述部分上表面和所述探测层的上表面形成介质层。本发明提供的光电探测器的制造方法，采用键合工艺在半导体衬底的上表面形成探测层，可以减小硅基锗探测器的暗电流。
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公开(公告)号：CN113568105A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110673125.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种波导层间耦合结构及其制备方法，涉及硅光器件技术领域，以解决现有耦合结构存在层间耦合损耗较大的技术问题。所述波导层间耦合结构包括：基底。形成在基底上的第一波导；其中，第一波导位于基底的第一区域。形成在基底上的第一介质层，且第一介质层覆盖第一波导。以及形成在第一介质层上第二波导，其中，第二波导位于基底的第二区域，第一波导在基底上的投影与第二波导在基底上的投影具有重合区域，以使从第二波导出射的光耦合地进入第一波导中。第二波导靠近第一波导的一端具有台阶状结构，且沿第一波导至第二波导的方向，台阶状结构中的台阶的厚度依次增大。
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公开(公告)号：CN111048627B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911368535.3
申请日：2019-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在SOI衬底的上表面形成第一介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；采用湿法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度与所述第一凹槽的深度之和等于所述第一介质层的厚度；采用TMAH碱性溶液对所述第二凹槽的底部进行刻蚀，形成第三凹槽；在所述第三凹槽的底部生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的半导体器件的制造方法，可以将低温生长、缺陷较多的探测层下移，达到减小硅基光电探测器暗电流的目的。
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