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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110867428A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911149972.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种栅格形铜电极结构，包括经光刻刻蚀介质层而形成的栅格，以及被栅格分格形成的栅格形铜电极。本发明利用栅格将特征尺寸大于20微米的铜电极分格形成栅格形铜电极，栅格形铜电极包括若干分格区域，而且分格区域的特征尺寸小于20微米，当实施化学机械抛光工艺时，栅格能够提供避免栅格形铜电极凹陷的支撑，因此，栅格的设置能够避免特征尺寸大于20微米的铜电极在化学机械抛光过程中产生凹陷问题。本发明还提供一种栅格形铜电极结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN112269276A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011272415.6
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光器件，涉及光器件技术领域，用于在加热电极加热过程中，使光波导均匀受热，从而提高光器件的工作性能。该光器件包括：基底和热场调节部。基底具有光波导、以及位于光波导上方的加热电极。加热电极具有镂空区域。热场调节部位于光波导和加热电极之间。热场调节部用于在加热电极加热过程中，调节加热电极所产生的热场的传导范围，以使光波导均匀受热。
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公开(公告)号：CN112269276B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202011272415.6
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光器件，涉及光器件技术领域，用于在加热电极加热过程中，使光波导均匀受热，从而提高光器件的工作性能。该光器件包括：基底和热场调节部。基底具有光波导、以及位于光波导上方的加热电极。加热电极具有镂空区域。热场调节部位于光波导和加热电极之间。热场调节部用于在加热电极加热过程中，调节加热电极所产生的热场的传导范围，以使光波导均匀受热。
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公开(公告)号：CN108447938B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810162647.2
申请日：2018-02-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352
Abstract: 本申请提供了一种光电探测器。该光电探测器包括：衬底硅层；掩埋二氧化硅层，位于衬底硅层的部分表面上；顶层硅层，位于掩埋二氧化硅层的表面上，部分衬底硅层、掩埋二氧化硅层和顶层硅层形成光耦合区和波导区，光耦合区中的顶层硅层具有耦合光栅；P型轻掺杂层，位于衬底硅层的未设置有掩埋二氧化硅层的表面上，P型轻掺杂层的材料包括第一本征半导体材料；光电转化层，位于P型轻掺杂层的远离衬底硅层的表面上，光电转化层具有本征区、P型区与N型区，光电转化层的材料包括第二本征半导体材料，第一本征半导体材料与第二本征半导体材料相同。该光电探测器的暗电流较小。
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公开(公告)号：CN108447938A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810162647.2
申请日：2018-02-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352
Abstract: 本申请提供了一种光电探测器。该光电探测器包括：衬底硅层；掩埋二氧化硅层，位于衬底硅层的部分表面上；顶层硅层，位于掩埋二氧化硅层的表面上，部分衬底硅层、掩埋二氧化硅层和顶层硅层形成光耦合区和波导区，光耦合区中的顶层硅层具有耦合光栅；P型轻掺杂层，位于衬底硅层的未设置有掩埋二氧化硅层的表面上，P型轻掺杂层的材料包括第一本征半导体材料；光电转化层，位于P型轻掺杂层的远离衬底硅层的表面上，光电转化层具有本征区、P型区与N型区，光电转化层的材料包括第二本征半导体材料，第一本征半导体材料与第二本征半导体材料相同。该光电探测器的暗电流较小。
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