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公开(公告)号：CN113568105A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110673125.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种波导层间耦合结构及其制备方法，涉及硅光器件技术领域，以解决现有耦合结构存在层间耦合损耗较大的技术问题。所述波导层间耦合结构包括：基底。形成在基底上的第一波导；其中，第一波导位于基底的第一区域。形成在基底上的第一介质层，且第一介质层覆盖第一波导。以及形成在第一介质层上第二波导，其中，第二波导位于基底的第二区域，第一波导在基底上的投影与第二波导在基底上的投影具有重合区域，以使从第二波导出射的光耦合地进入第一波导中。第二波导靠近第一波导的一端具有台阶状结构，且沿第一波导至第二波导的方向，台阶状结构中的台阶的厚度依次增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114488394B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210089673.3
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件，涉及光器件技术领域，用于提供一种采用低压化学气相淀积法与等离子体增强化学气相沉积相结合的方式有效提升光纤与光芯片的耦合效率的技术方案。氮化硅光栅耦合器包括：衬底；形成在衬底上的包层；形成在包层中的光栅耦合器；其中，光栅耦合器包括自下而上间隔设置的第一氮化硅光栅耦合层和第二氮化硅光栅耦合层，第一氮化硅光栅耦合层与第二氮化硅光栅耦合层之间形成有包层；其中，第一氮化硅光栅耦合层采用低压化学气相淀积法形成，第二氮化硅光栅耦合层采用等离子体增强化学气相沉积法形成。
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公开(公告)号：CN113568105B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202110673125.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种波导层间耦合结构及其制备方法，涉及硅光器件技术领域，以解决现有耦合结构存在层间耦合损耗较大的技术问题。所述波导层间耦合结构包括：基底。形成在基底上的第一波导；其中，第一波导位于基底的第一区域。形成在基底上的第一介质层，且第一介质层覆盖第一波导。以及形成在第一介质层上第二波导，其中，第二波导位于基底的第二区域，第一波导在基底上的投影与第二波导在基底上的投影具有重合区域，以使从第二波导出射的光耦合地进入第一波导中。第二波导靠近第一波导的一端具有台阶状结构，且沿第一波导至第二波导的方向，台阶状结构中的台阶的厚度依次增大。
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公开(公告)号：CN114488394A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210089673.3
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件，涉及光器件技术领域，用于提供一种采用低压化学气相淀积法与等离子体增强化学气相沉积相结合的方式有效提升光纤与光芯片的耦合效率的技术方案。氮化硅光栅耦合器包括：衬底；形成在衬底上的包层；形成在包层中的光栅耦合器；其中，光栅耦合器包括自下而上间隔设置的第一氮化硅光栅耦合层和第二氮化硅光栅耦合层，第一氮化硅光栅耦合层与第二氮化硅光栅耦合层之间形成有包层；其中，第一氮化硅光栅耦合层采用低压化学气相淀积法形成，第二氮化硅光栅耦合层采用等离子体增强化学气相沉积法形成。
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公开(公告)号：CN113471656B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110604680.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种波导器件及其制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在氮化硅薄膜厚度较厚的情况下，在大面积生长氮化硅薄膜时，氮化硅薄膜存在较大的应力，易产生裂纹，从而影响波导器件的性能的技术问题。包括：提供一基底；在第一介质层上形成具有至少一个区域槽的第二介质层。当第二介质层的厚度大于预设厚度时，第二介质层包括多次形成的多个第二子介质层。其中，第二介质层为氮化硅介质层，形成每个第二子介质层均包括：在第一介质层上淀积第二介质材料层，对第二介质材料层依次进行第一图案化处理和热处理，得到第二子介质层，在第二介质层的波导器件区域形成波导结构，得到波导器件。
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公开(公告)号：CN113471656A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110604680.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种波导器件及其制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在氮化硅薄膜厚度较厚的情况下，在大面积生长氮化硅薄膜时，氮化硅薄膜存在较大的应力，易产生裂纹，从而影响波导器件的性能的技术问题。包括：提供一基底；在第一介质层上形成具有至少一个区域槽的第二介质层。当第二介质层的厚度大于预设厚度时，第二介质层包括多次形成的多个第二子介质层。其中，第二介质层为氮化硅介质层，形成每个第二子介质层均包括：在第一介质层上淀积第二介质材料层，对第二介质材料层依次进行第一图案化处理和热处理，得到第二子介质层，在第二介质层的波导器件区域形成波导结构，得到波导器件。
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