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公开(公告)号：CN103515524A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310503144.4
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种面向片上集成的热电器件制备方法，包括：在衬底上淀积第一绝缘材料层；光刻形成纳米线结构；去除纳米线结构上的第一绝缘材料层并填充第二绝缘材料层；回刻；去除纳米线结构一侧周围的第二绝缘材料层；在基片上淀积第三绝缘材料层，并开孔，在开了孔的基片上淀积第一金属材料层，刻蚀部分第一金属材料层，使其暴露出部分第三绝缘材料层；在具有上下电极的基片上淀积第四绝缘材料层及第二金属材料层，采用光刻和剥离的方法在第二金属材料层形成蛇形电阻；在第四绝缘材料层上开孔，暴露出第一金属材料层；在暴露出的第一金属材料层和第二金属材料层上淀积一层第三金属材料层，该第三金属材料层为加厚电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN102903790A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210311033.9
申请日：2012-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体太阳电池表面的多层金属纳米颗粒结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体太阳能电池的表面生长一层第一介质膜；步骤2：在第一介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤3：在金属纳米颗粒的上面再生长一层第二介质膜，并对第二介质膜进行平坦化处理；步骤4：在第二介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤5：重复步骤3和步骤4，使在第一介质膜的表面重复交替生长金属纳米颗粒和第二介质膜，最后一层为金属纳米颗粒。本发明通过改变不同层上金属纳米颗粒的尺寸和种类可以扩展表面等离子体对入射光的作用范围。
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公开(公告)号：CN102136492B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010520266.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操作，“写入”和“存储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下，p-n结耗尽区之外，通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单，制备工艺简单有效，综合了目前市场上主流存储器，即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点，具有读、写、擦除速度快，可实现非挥发性存储，寿命长，耗电少，工作电压较低等优点，并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。
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公开(公告)号：CN102054934B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010531375.2
申请日：2010-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备相变材料侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积相变材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的相变材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的相变材料侧墙；去除剩余的基底材料层，只保留纳米尺寸的相变材料侧墙；在该相变材料侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；再用薄膜淀积工艺制备一层绝缘材料层；再用化学机械抛光的方法抛光表面直至磨到将相变材料侧墙顶部的金属割断，形成中间夹有相变材料侧墙的nano-gap电极；淀积一层绝缘材料，在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极即可形成平面相变存储器。
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公开(公告)号：CN101764195B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810240931.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属GAP，接着再一次利用侧墙工艺制备出纳米尺寸的相变材料，纳米相变材料填充在金属GAP中。钝化开孔引出电极，最后制备出纳米尺寸的相变存储器件。本发明避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷，仅采用光刻和两步侧墙工艺，便制备出了纳米尺寸的相变存储器，在突破光刻分辨率限制及提高器件制备效率等方面具有很大的优越性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102136492A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010520266.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操作，“写入”和“存储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下，p-n结耗尽区之外，通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单，制备工艺简单有效，综合了目前市场上主流存储器，即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点，具有读、写、擦除速度快，可实现非挥发性存储，寿命长，耗电少，工作电压较低等优点，并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。
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公开(公告)号：CN102005378A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010283562.3
申请日：2010-09-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 一种利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在晶片表面涂布抗蚀剂；步骤2：采用飞秒激光直写技术，在抗蚀剂表面形成图形；步骤3：采用电子束蒸发技术，在图形的表面蒸发金属，使金属附着于图形的上面，同时该金属还附着于剩余抗蚀剂的上面；步骤4：剥离晶片表面涂布的抗蚀剂，并同时剥离掉抗蚀剂上面的金属，得到金属-半导体接触电极。
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公开(公告)号：CN101996944A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091398.3
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于相变存储器的纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作方法，包括：在衬底上淀积金属，作为相变存储器的下电极，接着在下电极上制备一层绝缘材料；在绝缘材料上，采用光刻方法制备金属插塞电极阵列的小孔，孔底部为在衬底上淀积的金属；采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属；采用化学镀方法制作纳米尺寸的金属插塞电极阵列，作为相变存储器的下电极加热层；淀积相变材料；淀积金属，作为相变存储器的上电极；光刻、干法刻蚀顶部金属形成顶部电极图形；钝化开孔，引出电极，完成纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作。本发明避免了溅射、电镀、CVD等传统小孔填充方法的小孔填充质量不好、成本高等缺陷，并将其应用于相变存储器电极加热层的制造中。
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公开(公告)号：CN101996935A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091406.4
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种应用于导电桥存储器的纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作方法，包括：在衬底上淀积金属，作为导电桥存储器的下电极，接着在下电极上制备一层绝缘材料；在绝缘材料上采用光刻方法制备金属插塞电极阵列的小孔，孔底部为在衬底上淀积的金属；采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属；采用化学镀方法制作纳米尺寸的金属插塞电极阵列，作为导电桥存储器的金属离子源；淀积一层绝缘材料作为金属离子的扩散层；淀积金属，作为导电桥存储器的上电极；光刻、干法刻蚀顶部金属形成顶部电极图形；钝化开孔，引出电极，完成纳米尺寸金属插塞电极阵列的制作。本发明避免了溅射、电镀、CVD等传统小孔填充方法的小孔填充质量不好、成本高等缺陷。
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公开(公告)号：CN101920932A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910087128.5
申请日：2009-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种制作纳米尺寸间距的电极的方法，该方法包括：在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层；在该电热绝缘材料层上淀积一层基底材料层并用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和去除基底材料层的上面及侧壁淀积侧墙材料层；采用干法回刻，去除基底材料层上表面的侧墙材料层及电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；用恒温TMAH溶液去除基底材料层，从而只保留下纳米尺寸的侧墙；最后采用光刻+剥离工艺或者光刻+干法刻蚀工艺在该侧墙材料层的相对两侧边上搭上一条制作纳米尺寸间距的电极的金属层；用湿法腐蚀方法去除侧墙同时剥离掉附着在侧墙材料层上的金属层，形成纳米尺寸间距的电极。
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