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公开(公告)号：CN103177939A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310068749.5
申请日：2013-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，高温退火30分钟后，在高温砷化镓层上生长半绝缘InGaP层；步骤4：在半绝缘InGaP层上生长薄砷化镓层，完成硅基半绝缘III-V族材料的制备。本发明采用锗层从硅过渡到III-V层，然后通过低温的砷化镓层获得高的晶格质量；本发明还采用掺铁InGaP层，获得高阻的III-V族层。
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公开(公告)号：CN102545054B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210033017.8
申请日：2012-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/323
Abstract: 一种制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法，包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；在二氧化硅层上沿着硅衬底的 方向刻蚀出沟槽；清洗；先在沟槽内依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；接着在第二缓冲层和二氧化硅层上生长第三缓冲层，然后在第三缓冲层生长顶层；将顶层抛光，抛光后的粗糙度小于1nm，然后清洗；在顶层上依次外延第四缓冲层、刻蚀停止层以及激光器结构；将激光器结构刻蚀成深脊，在深脊上刻蚀成浅脊；在深脊和浅脊的表面及刻蚀停止层上生长二氧化硅绝缘层；在浅脊上形成窗口，去除刻蚀停止层上的二氧化硅绝缘层；在浅脊的窗口处溅射钛铂金P电极；在刻蚀停止层上蒸发金锗镍N电极；退火。
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公开(公告)号：CN102820616A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210319231.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/3407 , H01S5/12 , H01S5/2077 , H01S5/4087
Abstract: 一种利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层；步骤2：在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形；步骤3：选择区域外延生长上分别限制层，使不同的激光器单元具有不同厚度的上分别限制层；步骤4：去掉介质掩膜图形；步骤5：在上分别限制层上大面积制作光栅；步骤6：在光栅7上生长接触层，完成激光器阵列的制备。本发明在获得不同阵列单元不同发光波长的同时对量子阱材料的发光性能不产生影响。
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公开(公告)号：CN102570309A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210032754.6
申请日：2012-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法，包括：采用低压MOCVD方法在硅衬底上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层、下包层、第一下限制层和第一二氧化硅层；干法刻蚀和湿法刻蚀结合的方法将第一二氧化硅层刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长第二下限制层、下波导层、多量子阱有源区和上波导层；在上波导层和第一二氧化硅层上生长结合层、上限制层、第一上包层和光栅层；将光栅层刻成光栅；在刻成光栅后的光栅层上二次外延第二上包层和接触层；在第二上包层和接触层上刻出脊条；在刻出脊条的第二上包层和接触层及脊条的两侧生长第二二氧化硅层，并在接触层上开电极窗口，溅射钛铂金电极；将硅衬底背面减薄，蒸发金锗镍电极，退火，完成器件的制备。
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公开(公告)号：CN101789462B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010113745.0
申请日：2010-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构，该结构由上至下依次包括：迎光面广谱陷光层；p型硅基衬底；n型磷扩散层；以及背光面广谱吸收黑硅层。本发明同时公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构的制作方法。利用本发明，可充分利用黑硅材料的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，同时利用背面掺杂梯度自建场分离黑硅中产生的光生电子-空穴对，使之被电极接收转化为光电流，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1微米以上波长太阳光谱的问题；该结构的pn结由扩散结形成，能确保电池开路电压不受黑硅低能光子转化降低的影响，从而有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101609857B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810115183.6
申请日：2008-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤：步骤1：在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构；步骤2：在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触；步骤3：在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构；步骤4：在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2层；步骤5：在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层，形成条形掩模图形结构；步骤6：在掩膜图形结构上，采用化学腐蚀的方法，向下腐蚀出燕尾槽；步骤7：腐蚀掉器件表面的第一SiO2层，重新在整个器件的表面生长第二SiO2层；步骤8：在燕尾槽中填入聚合物，使得材料表面平整；腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层；步骤9：在探测器台面结构的一侧制作p型金属电极；步骤10：将衬底减薄，在衬底的背面制作金属电极；步骤11：清除掉燕尾槽中的聚合物，解理芯片，完成整个器件的制作。
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公开(公告)号：CN101752789A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810240353.3
申请日：2008-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器，包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其中量子阱有源区层位于所述基极层与发射极层之间，一方面减少了基极层中掺杂杂质Zn向有源区层的扩散，另一方面也减少了基极层中掺杂杂质Zn向发射区层的扩散，有助于同时提高器件的光学和电学性能。由发射极注入的电子一部分在量子阱有源区层中辐射复合发光，另一部分被集电极层收集，形成集电极电流。
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公开(公告)号：CN100538412C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610007846.3
申请日：2006-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上光刻腐蚀出凹陷区域；步骤2：在凹陷区域内制作介质掩膜图形条；步骤3：在上述含介质掩膜图形条的衬底上同时外延生长缓冲层和有源波导层，形成介质掩膜选择区域、过渡区和凹陷区域外的平面区域；步骤4：在凹陷的介质掩膜选择区域、过渡区和凹陷区域外的平面区域上制作出具有同一水平上表面的平面型集成有源波导结构。
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公开(公告)号：CN100468090C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610089590.5
申请日：2006-07-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 一种吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：在砷化镓或磷化铟衬底上大面积沉积一层二氧化硅薄膜；在二氧化硅薄膜上涂一层光刻胶；将光刻胶曝光并显影得到光刻胶布拉格光栅掩模；以光刻胶布拉格光栅掩模充当掩蔽，刻蚀二氧化硅薄膜，得到二氧化硅布拉格光栅掩模；以光刻胶布拉格光栅掩模和二氧化硅布拉格光栅掩模一起充当掩蔽，对砷化镓或磷化铟衬底进行刻蚀，在砷化镓或磷化铟衬底上得到布拉格光栅；去掉光刻胶布拉格光栅掩模，保留二氧化硅布拉格光栅掩模；外延生长吸收层，填充布拉格光栅的低凹的部分，以形成吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅；去掉二氧化硅布拉格光栅掩模；在吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅上二次外延依次生长下分别限制层、有源区、上分别限制层、盖层和接触层。
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公开(公告)号：CN101005196A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610001812.3
申请日：2006-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种波长可选分布反馈激光器二维阵列集成组件，采用磷化铟/铟镓砷磷材料体系，包括依次连接的光放大器、Y型耦合器和2*2分布反馈激光器阵列；其中2*2分布反馈激光器阵列在上波导层上制作有2*2矩阵排列的四个不同周期的布拉格光栅。本发明的优点是可提供四个可选的波长，波长间隔为20nm，满足疏波分复用的信道间隔要求，本发明的制作工艺和传统光电集成组件的制作工艺一样简单方便，易于操作，且易与其他的半导体光电器件如调制器，模斑转换器等集成。
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