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公开(公告)号：CN104658831A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094671.3
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J2201/30403 , H01J2201/3048
Abstract: 一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件，包括：一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射-接收窗口，该电子发射-接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射-接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。
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公开(公告)号：CN104658829A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094612.6
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488
Abstract: 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势，将电子发射到真空中。
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公开(公告)号：CN104201256A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410426219.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0062
Abstract: 一种低电阻率低温P型铝镓氮材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底升温，在氢材料气环境下热处理；步骤2：在衬底上生长一层低温成核层，为后续外延生长提供成核中心；步骤3：在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；步骤4：在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层，形成外延片；步骤5：在氮气环境下，将外延片高温退火，使其P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率的P型铝镓氮层材料。本发明可以降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质浓度，从而减轻受主补偿作用，达到降低P型材料电阻率的目的。
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公开(公告)号：CN101898751A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085917.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/00 , C01B21/06 , C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 一种III族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNIII族氮化物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101872798A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010183403.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109888069B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910115508.9
申请日：2019-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明提供了一种InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法，该InGaN/GaN量子阱结构的制备方法包括：生长GaN垒层；在GaN垒层上生长一个或多个周期的InGaN阱层/GaN垒层的交替结构；在InGaN阱层/GaN垒层的交替结构的生长过程中，在生长GaN垒层时通入含氢气的反应气体。本发明的InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法提高了InGaN/GaN量子阱结构的界面陡峭度，提高了其内In组分分布的均匀性并且降低了其外延层缺陷密度，从而提高氮化镓基发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN105118762B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510520866.X
申请日：2015-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倒装阳极的纳米真空三极管结构，包括：一衬底；一氮化铝薄膜阴极生长于衬底的正面；一金属电极制作在衬底的背面；形成阴极；一玻璃基板；一透明导电层制作在玻璃基板上；一第一绝缘层制作在透明导电层上，中间为窗口；一金属栅极制作在第一绝缘层上，中间为窗口；一第二绝缘层制作在金属栅极上，中间为窗口；形成阳极；将该阳极的第二绝缘层与该阴极的氮化铝薄膜阴极扣置连接，形成倒装阳极的纳米真空三极管结构。本发明可以克服已有纳米真空三极管结构的不足，提出同时具有避免阴极氧化、提高阳极收集电子能力、以及便于倒装集成的多重优点。
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公开(公告)号：CN104300367B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410564609.1
申请日：2014-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种抑制GaAs基激光器高阶模的方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型高折射率插入层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型高折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在制作成脊型的上面生长一层氧化模，并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗，并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤5：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明通过对高折射率层合适的掺杂来增加高阶模的光学损耗，提高高阶模的激射阈值。
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公开(公告)号：CN104538524B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410784663.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种InGaN量子点的外延结构及生长方法，其中InGaN量子点的外延结构，包括：一衬底，该衬底的表面具有原子级的台阶形貌，台阶斜切角为0.05°‑10°；一低温GaN缓冲层，其生长在衬底上，其表面具有与衬底相同的台阶形貌；一高温GaN层，其生长在低温GaN缓冲层上，且其表面刻蚀有凹槽，使得该高温GaN层的表面为错开的台阶状形貌，其表面形成网格状结构；多个InGaN量子点，其分布生长在高温GaN层表面的网格状结构上；一GaN覆盖层，其生长在高温GaN层上，并覆盖多个InGaN量子点；多个InGaN量子点和GaN覆盖层，其依次重复生长在GaN覆盖层上。
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公开(公告)号：CN105048285A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510548632.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法。所述方法包括以下步骤：步骤1：在氮化镓衬底上依次制作n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、电子阻挡层、插入层、p型波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在制作成的所述脊型上生长一层氧化模，并采用光刻的方法制作p型欧姆电极；步骤4：将氮化镓衬底减薄、清洗，并在上面制作n型欧姆电极；步骤5：进行解理、镀膜，最后封装在管壳上，制成氮化镓激光器。本发明提出的上述激光器，由于插入层的引入，能带结构上带来两方面的好处：第一，使空穴容易注入。第二，电子有效势垒增大。
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