-
公开(公告)号：CN118117443A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410281959.0
申请日：2024-03-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 提供一种具有空穴阻挡层的氮化镓基垂直腔面发射激光器，其结构包括：衬底，所述衬底的材料包括氮化镓；位于所述衬底上的第一分布式布拉格反射器；位于所述第一分布式布拉格反射器远离所述衬底一侧的n型区；位于所述n型区远离所述衬底一侧的空穴阻挡层；位于所述空穴阻挡层远离所述衬底一侧的量子阱有源区；位于所述量子阱有源区远离所述衬底一侧的电子阻挡层；位于所述电子阻挡层远离所述衬底一侧的p型区；以及位于所述p型区远离所述衬底一侧的第二分布式布拉格反射器。其中，所述空穴阻挡层用于增强载流子的横向传输特性，且减少空穴向所述n型区的泄露；以及所述第二分布式布拉格反射器位于激光器的出光侧。
-
公开(公告)号：CN116072736A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310100927.1
申请日：2023-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/201
Abstract: 本发明公开了一种消除纳米管缺陷的肖特基二极管及其制备方法，包括由下至上设置的第一掺杂硅N型层和第二掺杂硅N型层，其特征在于，还包括：AlGaN插入层，设置于第一掺杂硅N型层与第二掺杂硅N型层之间，用于消除氮化镓中纳米管缺陷。本发明提供的肖特基二极管利用铝原子的迁移率较低的特点，在材料生长过程中加入一层铝镓氮可以使铝原子在纳米管的空心附近成核，从而阻止了纳米管继续向上延伸，实现消除纳米管缺陷的目的，进而降低了肖特基二极管的漏电流。
-
公开(公告)号：CN115733052A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111401026.3
申请日：2021-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种紫外激光器外延片及其制备方法，该制备方法包括：在n型GaN层上制备第一AlGaN限制层，其中，第一AlGaN限制层的Al的组分浓度沿第一方向增加，第一方向为n型GaN层朝向第一AlGaN限制层的方向；在第一AlGaN限制层上制备第一波导层；在第一波导层上制备量子阱发光层，其中，量子阱发光层的发光波长范围包括330nm至390nm；在量子阱发光层上制备第二波导层；以及在第二波导层上制备第二AlGaN限制层，其中，第二AlGaN限制层的Al的组分浓度沿第一方向减小。
-
公开(公告)号：CN114566426A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210189961.6
申请日：2022-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种AlGaN及其生长方法，方法包括：以第一温度制备基底(1)；在基底(1)上以第二温度生长GaN层(2)；在GaN层(2)上以第三温度生长AlN插入层(3)；在AlN插入层(3)上以第四温度生长AlGaN层(4)；其中，第一温度小于第二温度，第三温度小于第二温度，第三温度小于第四温度。利用本公开的方法生长AlGaN，可以得到厚度大于1μm的AlGaN层，并有效控制其中的位错密度，避免了裂纹的产生。
-
公开(公告)号：CN111404029B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010234396.1
申请日：2020-03-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器包括一氮化镓同质衬底；一n型同质外延层；一n型限制层；一n型波导层；一有源区；一AlInN镁反向扩散阻挡层；一p型电子阻挡层；一p型波导层；一p型限制层，其制作在p型波导层上，该p型限制层的中间为一凸起的脊形；一p型掺杂/p型重掺接触层，其制作在p型限制层凸起的脊形上；一p型欧姆电极以及一n型欧姆电极。本发明使p型掺杂区域远离量子阱有源区，降低了镁杂质的扩散长度，增大了光学限制因子，降低了激光器的阈值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111404024B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010234429.2
申请日：2020-03-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器包括一衬底；一n型外延层；一n型限制层；一第一n型AlInN波导层；一第二n型AlInN波导层；一有源区；一AlInN波导层；一p型电子阻挡层；一p型AlInN波导层；一p型限制层，其制作在p型AlGaN波导层上，该p型限制层的中间为一凸起的脊形；一p型掺杂/p型重掺接触层；一p型欧姆电极以及一n型欧姆电极。本发明采用AlInN材料代替AlGaN材料作为氮化镓基近紫外激光器的波导层，在同样的生长温度下，AlInN的晶体质量更好，缺陷密度更低，减少了由缺陷和杂质引起的光学吸收。AlInN更容易通过改变组分获得更大的折射率差，将光场更好地限制在有源区附近，增大了激光器的光学限制因子。
-
公开(公告)号：CN111952365A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010822480.5
申请日：2020-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/36 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供了一种碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构及其制作方法，其碳掺杂调控的GaN基HEMT外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层和势垒层；所述成核层外延生长在所述衬底上；所述缓冲层外延生长在所述成核层上；所述缓冲层的碳杂质浓度大于或等于1017cm-3；所述沟道层外延生长在所述缓冲层上；所述沟道层的碳杂质浓度小于或等于1017cm-3；所述插入层外延生长在所述沟道层上；所述势垒层外延生长在所述插入层上。本公开中高碳杂质浓度的缓冲层能够提供高电阻，能够有效抑制缓冲层漏电。
-
公开(公告)号：CN111446624A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010263086.2
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低比接触电阻率的p型接触层以及氮化镓基紫外激光器，该p型接触层为重掺杂Mg的p型GaN或p型AlGaN，Mg掺杂浓度为1×1020至3×1021cm-3，Al组分为0至0.3。本发明提高镁有机源的流量并降低生长温度，以提高重掺杂薄层内的Mg掺杂效率和杂质浓度；同时提高生长过程中反应室压强和V/III比，以降低p型重掺杂层中的碳杂质浓度引起的补偿作用，提高在退火过程中的Mg杂质的激活效率；通过上述制作方法，实现了满足氮化镓基紫外激光器需求的p型欧姆接触层。
-
公开(公告)号：CN111370548A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010234397.6
申请日：2020-03-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种抑制反向漏电的氮化镓基紫外发光器件及其制作方法，该氮化镓基紫外发光器件包括一衬底；一低温成核层；一n型GaN；一n型AlGaN；一InGaN/AlGaN量子阱有源区；一p型电子阻挡层；一p型AlGaN；一p型重掺接触层；一p型欧姆电极以及一n型欧姆电极。本发明通过改变n型掺杂AlGaN和InGaN/AlGaN量子阱的生长方法提高材料质量，降低反向漏电，改善发光效率；采用降低反应室生长压力的方法，减少三甲基铝有机源和氨气的预反应，提高AlGaN的材料质量和表面形貌，降低反应过程中Al原子表面迁移能力低的不利影响。
-
公开(公告)号：CN109461801B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201811274583.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构。其中，该方法包括：在衬底上生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；在非掺杂GaN层上生长InGaN层；以及保持反应室在N2氛围下将生长温度降低至一设定温度，将载气由N2变换成H2，继续降温，在InGaN层的表面获得In量子点。本方法获得的In量子点具有高的密度和非常好的尺寸均匀性，且生长工艺简单，为氮化金属液滴来获得InGaN量子点提供了均匀可靠的模板，推进了InGaN量子点在光电器件的实际应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.037 seconds)
