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公开(公告)号：CN101604050A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810114793.4
申请日：2008-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层，得到含有半导体波导结构的芯片；步骤2：在上波导层的上面，均匀地涂上一层光刻胶；步骤3：对涂有光刻胶的芯片进行全息曝光，使光刻胶上印制出条状的光栅轮廓；步骤4：将芯片置于取样周期光刻版之下进行二次曝光，二次曝光后对芯片上的光刻胶显影，使光刻胶形成有光栅轮廓的胶条；步骤5：对显影好的芯片，进行离子刻蚀，在上波导层上得到光栅；步骤6：用腐蚀液修整光栅形貌，完成取样光栅的制作。本发明具有成本低、适于大规模生产的优点。
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公开(公告)号：CN101303459A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710099043.X
申请日：2007-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/017
Abstract: 一种行波电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层、n－1.2Q四元层、n－铟磷空间层、下分别限制层、多量子阱、上分别限制层、缺陷扩散层；生长刻蚀出氧化硅掩膜保护电吸收调制器区，磷离子注入，退火，去掉氧化硅掩膜和缺陷扩散层；在模板转换器材料区刻蚀锥形上波导和下波导；依次外延p型磷化铟薄层、p型铟镓砷磷停止层、p型磷化铟盖层和p型铟镓砷接触层；刻蚀EA区的脊结构；刻蚀EA区的绝缘平面；制作氮化钽薄膜电阻；制作p型金属欧姆接触；制作N型金属欧姆接触；制作聚酰亚胺桥；在电吸收调制器材料区上制作钛金电极结构；减薄解理，完成制作。
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公开(公告)号：CN100354701C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200310116471.0
申请日：2003-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；2)光刻腐蚀出宽为2μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条；3)二次外延p型磷化铟和n型磷化铟作为条型有源区的限流的掩埋区；4)三次外延p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆接触层；5)制作p面和n面电极并在解理成管芯条后，在管芯条的受光和出光面镀抗反膜，完成器件制备。
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公开(公告)号：CN1909309A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200510088973.6
申请日：2005-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种电吸收调制激光器和模斑转换器的集成方法，包括：在衬底上生长n型磷化铟缓冲层等；腐蚀晶片上最上面的1.1Q层，生长缓冲层；在整个晶片上面生长二氧化硅保护层，腐蚀去掉两端模斑转换器的二氧化硅保护层；使用热耙低能磷离子注入；重长二氧化硅保护层；对晶片加热、保温、退火；腐蚀二氧化硅保护层；利用相应的光刻板把激光器和调制器区域进行掩蔽，刻出端模斑转换器上脊形状和下脊形状；生长p型磷化铟，铟镓砷磷刻蚀停止层；光刻脊型波导结构；在激光器和调制器区两边淀积聚酰亚胺；开激光器和调制器区电极窗口；光刻激光器和调制器区电极图形后溅射P电极并带胶剥离出P电极；外延片衬底减薄、溅射n电极；样品经划片解理成管芯，完成整个器件的工艺制作。
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公开(公告)号：CN1854877A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510011641.8
申请日：2005-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/39 , G02B6/13 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种光放大器电吸收调制器和模斑转换器的单片集成的方法，其是利用择外延生长技术，量子阱混杂技术以及非对称双波导技术开发出一种新的半导体光放大器(SOA)、电吸收调制器(EA)和模斑转换器(SSC)单片集成器件(即SSC+SOA+EA+SSC串接器件，以下简称SSES)。该器件只需三次LP－MOVPE。其中一次为选择外延生长。利用选择外延生长技术，可以在SOA和EA得到不同的生长速率，其中SOA是富In生长，生长速率高于EA区，带隙宽度小于EA区，即SOA区的PL谱波长比EA区长。通过选择不同的mask宽度和不同的生长压力和温度，可以得到你所需要的波长偏调量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1825722A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510011352.8
申请日：2005-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器，包括：一基片；一缓冲层，该缓冲层制作在基片上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上；一量子点有源区，该量子点有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子点有源区上；一上包层，该上包层在较低温度下制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在上包层上。由于InGaP可以在较低的生长温度下获得高的的材料质量，包层生长过程中量子点发光的蓝移得到有效的抑制，使得量子点激光器能够在1.3μm激射。
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公开(公告)号：CN1750336A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510004571.3
申请日：2005-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/0265 , B82Y20/00 , G02F1/01708 , H01S5/1039 , H01S5/12 , H01S2304/00
Abstract: 一种选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上制作调制器段的选择生长图形；步骤2：一次外延同时生长出调制器多量子阱和激光器多量子阱两叠层有源区结构；步骤3：刻制光栅并选择腐蚀去调制器段上面的激光器多量子阱层；步骤4：二次外延完成整个电吸收调制激光器结构的生长。
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公开(公告)号：CN1713472A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410050003.2
申请日：2004-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器，其特征在于，其中包括：一铟磷衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在铟磷衬底上，以便消除铟磷衬底上的微缺陷；一下波导层，该波导层制作在缓冲层上；一准量子阱有源区，该准量子阱有源区制作在波导层上，以实现宽带增益；一上波导层，该上波导层制作在准量子阱有源区上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；该包层、接触层形成带模斑转换器的脊形波导。
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公开(公告)号：CN1157613C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN01104431.4
申请日：2001-02-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法，包括：在衬底1上的InP或GaAs外延结构层上生长一层介质膜7；在介质膜上刻制出亚微米周期性介质掩膜光栅图形；以这种周期性介质为掩体，向外延结构层表面选择注入离子源或选择扩散杂质源，在介质栅格间隙的外延层表面内形成一定深度的离子注入岛区或杂质扩散岛区6；除去介质膜，外延结构层上留下表面平整的周期性注入或扩散区光栅结构，在这层平面光栅上作掩埋外延层5。
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公开(公告)号：CN1343030A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN00124757.3
申请日：2000-09-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种半导体模式转换器的制作方法,1、在磷化铟衬底上生长下波导层;2、在波导上生长磷化铟间隔层、铟镓砷磷有源层和磷化铟盖层;3、在磷化铟盖层上淀积一层介质膜;4、沿模式转换器的出光方向在介质膜上刻出图形;5、采用选择腐蚀磷化铟;6、采用选择腐蚀铟镓砷磷;7、腐蚀去掉介质膜后,重新长上磷化铟盖层,包在磷化铟中的一段厚度渐变薄、长度较短的铟镓砷磷有源区与铟镓砷磷下波导层一起构成了一个自对准方式的模式转换器。
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