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公开(公告)号：CN112009039A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010848868.2
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外、微波兼容的低可探测性结构材料及其制备方法。该材料为层状结构，从上到下依次为：红外结构材料层、红外介质层、频选层、频选基底层、微波介质层、微波结构材料层、屏蔽底层；其中，红外结构材料层主要由呈周期性排布的混合尺寸金属微结构组成；红外介质层为在红外窗口具有良好透波特性的材料；频选层为周期性排布的金属结构组成；频选基底层为频选层提供平整的表面；微波介质层为微波段常用的透波材料，微波结构材料层为周期图案排布的损耗性电阻膜层；屏蔽底层为高电导率的碳纤维复合材料构成；本发明提出的结构材料，可设计性强，具有宽频微波吸收、红外低发射率和散热性能优异等特性，可实现红外与微波兼容低可探测性。
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公开(公告)号：CN103457157B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310340691.5
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米激光器激光合束器件的制备方法，包括：曲面多层膜的制备；曲面多层膜的平坦化；曲面多层膜的减薄；涂覆、固化溶胶层；在溶胶层上沉积金属Ag层；反复涂覆溶胶层-沉积Ag层，最终得到这种纳米激光器激光合束器件。该纳米激光器激光合束器件利用人工材料结构实现对激光光束的定向耦合、传输，克服了单个纳米激光器激光功率有限的不足，进而实现多束激光的合束。
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公开(公告)号：CN102879360B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210325524.9
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种超衍射定向传输材料结构制备后的测试分析方法，在透明基底上通过纳米加工方法得到纳米狭缝或孔结构掩模；在已平坦化的纳米狭缝或孔结构掩模上沉积金属介质交替多层膜结构材料；通过刻蚀或研磨的方法实现表层薄膜材料的粗糙化，完成结构制备；然后通过光源照明狭缝或小孔，激发表面等离子体倏逝波光场，并交替耦合到多层金属介质薄膜材料中，表面等离子体光场在金属介质膜层材料最外层形成特定分布，并被粗糙化表面散射到远场，通过物镜和CCD观测记录；最后计算得出超衍射材料的定向传输角度θ。本发明将高频倏逝波能量转化到远场进行探测和分析，可满足超衍射材料光学特性在远场范围的量化分析及表征需求。
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公开(公告)号：CN102866594B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210365973.6
申请日：2012-09-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光栅辅助纳米成像的光刻方法，纳米物体或纳米图形掩模位于物方区域，在纳米物体或纳米图形掩模前放置一物方光栅，该光栅作用在于将高频倏逝波转化为传输波；在物方光栅外的远场区域放置一光学成像镜头组，利用该镜头组实现对光场分布投影成像。在光学成像镜头组另一侧放置一像方光栅，将传输波转化为高频倏逝波，最后在像方光栅下的成像区域成像。本发明利用两个光栅对传输波和倏逝波进行转化，同时利用光学成像镜头组实现对光场分布投影成像，得到了亚波长尺度的成像，突破了常规超衍射材料近场限制，物像空间位置关系可处于远场范围，且视场不受限于超衍射材料的损耗、加工困难等因素，拓展到与传统成像光学系统视场相当的尺寸。
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公开(公告)号：CN103968770A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410192906.8
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/14
Abstract: 本发明提供一种基于表面等离子体共振的高精度纳米间隙检测结构及方法，属于纳米光学技术领域，可解决现有技术测量精度低，无法动态测量等问题。本发明中光源输出光经过准直镜、宽带偏振器入射到分束器；经过分束镜的透射光与纳米间隙检测结构及基底相互作用后，反射光回至分束器；经分束器反射并由透镜会聚后入射至光谱探测器，探测器将探测得到的数据传到计算机，经计算机处理得到间隙值，实现纳米间隙的检测。本发明采用光谱探测的方法可以实现纳米量级间隙的高精度动态检测，为纳米加工、纳米测量领域提供一种全新的测试技术；并有望在包括近场光学，近场物理在内的多个研究领域发挥重要作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101359775B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200810222615.3
申请日：2008-09-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种二维沟槽定向微带贴片天线，其特征：首先确定贴片天线的工作频率f；然后选择金属板材料，金属板的厚度为h；在金属板中央区域放一微带贴片天线，利用同轴线对其进行馈电；接着在金属板的出射面，周期性地排布N1个环形“牛眼”沟槽，周期为P1，深度为d1，宽度为w1；最后紧接着在“牛眼”沟槽外，周期性地排布N2个环形传统沟槽，周期为P2，深度为d2，宽度为w2，制作完成；本发明结合“牛眼”沟槽结构对表面波的调制来提高天线的辐射性能和传统沟槽结构对金属板边沿表面波的抑制来减小后向辐射的原理，将两者集成并利用到微带贴片天线中，提高了天线辐射能量的前后比，并获得了显著增强的辐射增益，同时天线的波束宽度也得到了大幅度的压缩。
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公开(公告)号：CN101719597A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910244248.1
申请日：2009-12-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01Q13/10
Abstract: 一种介质加载型周期沟槽缝隙天线，首先确定天线的工作频率f；然后选择金属板材料；在金属板中央区域开一长度为sl，宽度为sw金属缝隙结构，波导结构作为激励源放在金属板下方激励该金属缝隙。接着在金属板的出射面，对称地排布若干周期沟槽结构，沟槽的周期为p，深度为d以及宽度为w，第一个沟槽距离金属缝隙中央的距离为p1，此外在相邻金属沟槽之间加载介电常数为ε，厚度为t的介质。本发明与传统的周期沟槽缝隙天线相比，利用加载的介质减小了天线的口径尺寸，并且还能够有效地激发出更多的表面能量，增加了向自由空间辐射的能量，从而进一步提高了天线的辐射性能，尤其是E和H面的波束角都得到了大幅度的压缩，方向性显著增强。
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公开(公告)号：CN101645539A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910091598.9
申请日：2009-08-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种低互耦的沟槽阵列天线，其基本原理是通过在相邻阵列单元的两边对称加载一对表面沟槽结构，来调制表面波的传播，并改变表面电磁能量的分布，使得阵元间的能量窜扰迅速地降低。此外部分表面电磁能量在SPs沟槽结构的散射下向自由空间辐射，提高了天线增益，并压缩了天线的波束宽度，从而显著改善了天线的辐射性能。相比传统抑制表面波的结构，该新型沟槽波导缝隙SP天线具有结构简单、成本低，并且在抑制表面波的同时，提高天线的增益等辐射性能，能够广泛应用于线阵、面阵以及相控阵等阵列天线之中。
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公开(公告)号：CN101383450A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810224692.2
申请日：2008-10-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种低折射率异向介质材料双频双极化微带贴片天线，包括以下步骤：(1)确定微带贴片天线分别在两个极化方向上的工作频率为f1和f2；(2)选取一个尺寸为L×W的传统矩形微带贴片天线，并用微带线进行馈电；(3)制作一个由周期性双层金属矩形网格构成的低折射率材料，并设置相关参数；(4)将金属矩形网格型低折射率材料放在距离微带贴片天线d高度处，四周用尼龙螺钉固定支撑在接地面上，一种低折射率异向介质材料双频双极化微带贴片天线制作完成；本发明利用金属矩形网格型低折射率材料作为微带贴片天线的覆层分别在两个极化方向的不同频段内提高贴片天线的方向性，提高了天线的增益，同时也压缩了贴片天线的半功率波束角。
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公开(公告)号：CN115197641A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210945280.8
申请日：2022-08-08
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: C09D183/04 , C09D5/25 , C09D5/24 , C22C19/03 , B05D1/18 , B05D1/38 , B05D3/02 , B05D7/00 , B05D7/14
Abstract: 本发明公开了一种电调控形状记忆材料及其制备方法，材料包含温控形状记忆合金、绝缘层和导电层。导电层原材料是导电浆液，依次经过高温烘烤和加电预处理而成。将制备成的形状记忆产品两端直接连接电源正负极，通过调控加载的电压可以控制形状记忆材料变形快慢和变形幅度。本发明采用的加电调控方式使得形状记忆合金应用范围更广，结构更简单、使用更安全可靠。
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