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公开(公告)号：CN110164765B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910116964.5
申请日：2019-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域的蚀刻方法。一实施方式的蚀刻方法中，相对于含有硅和/或锗的第二区域，有选择地蚀刻含有硅和氮的第一区域。在该蚀刻方法中，使用氢等离子体，对包含第一区域的表面的第一区域的至少一部分进行改性，形成第一改性区域，使用氧等离子体，对包含第二区域的表面的第二区域的至少一部分进行改性，形成第二改性区域，使用氟等离子体，相对于第二改性区域，有选择地蚀刻第一改性区域。由此，能够相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域。
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公开(公告)号：CN108878285B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201810448503.3
申请日：2018-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种对具有包含碳化硅的第一区域和与第一区域相接的包含氮化硅的第二区域的被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，该蚀刻方法通过反复实施以下流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，其中，在上述流程中，生成含氮的第一气体的等离子体，在第一区域的露出面的原子层形成包含该等离子体所含的离子的混合层，生成含氟的第二气体的等离子体，通过该等离子体所含的自由基除去混合层。由此，在对包含碳化硅的被处理体的蚀刻中能够适当地提高选择比。
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公开(公告)号：CN115513044A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210661189.3
申请日：2022-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够控制开口的尺寸的等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统。本公开的等离子体处理方法包含以下工序：准备工序，准备具有(a)被蚀刻膜、(b)光致抗蚀剂膜和(c)第1膜的基板，该光致抗蚀剂膜形成于所述被蚀刻膜的上表面，且具有在所述被蚀刻膜的所述上表面规定出至少一个开口的侧面，该第1膜至少包含第1部分和第2部分，所述第1部分是形成于所述光致抗蚀剂膜的上表面的部分，所述第2部分是形成于所述光致抗蚀剂膜的所述侧面的部分，所述第1部分的膜厚厚于所述第2部分的膜厚；以及修整工序，至少对所述光致抗蚀剂膜的所述侧面的至少局部和所述第1膜的所述第2部分的至少局部进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113745103A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110533635.8
申请日：2021-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种使利用等离子体的成膜处理的性能稳定的技术。等离子体处理方法包括工序a)、工序b)和工序c)。在工序a)中，将具有凹部的基片提供到处理容器内。在工序b)中，在处理容器内生成等离子体，在凹部上形成膜。在工序c)中，监控在工序b)中生成的等离子体的状态。基于监控到的等离子体的状态，决定工序b)是否要再次执行和再次执行时的处理条件。
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公开(公告)号：CN112133629A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010541013.5
申请日：2020-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。用等离子体来蚀刻膜的蚀刻方法包括准备基片的步骤、蚀刻步骤和修正步骤。准备基片的步骤，在该基片的第1膜之上形成有掩模。蚀刻步骤，用含Xe、Kr或Rn的第1气体的等离子体，以形成于第1膜的孔或者槽的高宽比成为30以上的方式蚀刻第1膜。修正步骤，用第2气体的等离子体来修正掩模的形状。根据本发明，能够改善掩模形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783187A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910660252.X
申请日：2019-07-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明能够减轻等离子体处理中对图案造成的损伤。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括开口部形成步骤、第一膜形成步骤、第二膜形成步骤和蚀刻步骤。等离子体处理装置在开口部形成步骤中，对包括基底层和形成在基底层上的第一层的处理对象基片实施蚀刻，来在第一层上形成开口部。等离子体处理装置在判断为开口部满足规定条件的情况下，在第一膜形成步骤中利用化学气相沉积在开口部的底面形成抑制剂，来形成规定的气体种不会吸附于其上的第一膜。等离子体处理装置在形成了第一膜之后，在第二膜形成步骤中通过以规定的气体种为前体气体的原子层沉积，在开口部的侧壁上形成第二膜。等离子体处理装置进而在蚀刻步骤中对开口部实施蚀刻。
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公开(公告)号：CN110581050A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910475932.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供能够提高有选择的处理的控制性能的技术。在一个实施方式中，提供一种在处理容器内进行的被处理体的处理方法，其包括：通过等离子体气相沉积在配置在处理容器内的被处理体的表面有选择地形成第一膜的第一步骤；和在不存在第一膜的区域通过原子层沉积形成第二膜的第二步骤。第二步骤通过反复执行流程形成第二膜，该流程包括：向处理容器内供给前体气体在被处理体的表面形成前体层的第三步骤；在第三步骤之后对处理容器内进行吹扫的第四步骤；在第四步骤之后，在处理容器内通过使前体暴露在改性等离子体中而将前体层变换成第二膜的第五步骤；和在第五步骤之后对处理容器内的空间进行吹扫的第六步骤。该处理方法可由等离子体处理装置执行。
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公开(公告)号：CN119836681A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380062542.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 熊仓翔
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种基板处理装置的控制方法和基板处理系统。包括以下工序：a)对被处理体局部地进行蚀刻来在所述被处理体形成凹部；b)在形成于所述被处理体的凹部的侧壁形成保护膜；c)对形成有所述凹部和所述保护膜的被处理体进一步进行蚀刻；d)重复所述b)和所述c)；e)对通过所述a)至所述d)中的至少一者得到的被处理体进行监视；f)进行模拟所述a)至所述d)的虚拟实验；g)基于所述被处理体的监视结果和所述虚拟实验的结果，来导出应该应用于所述a)至所述e)中的至少一者的参数；以及h)实施应用了所导出的参数的所述a)至所述d)中的至少一者。
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公开(公告)号：CN119816786A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380053980.9
申请日：2023-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：(a)在处理腔室内的基板支撑部上提供具有基底膜及设置于该基底膜上且由含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的基板，在该工序中，该含金属抗蚀剂具有第1区域及第2区域。基板处理方法还包括以下工序：(b)向处理腔室内供给包含羧酸的处理气体，使基板暴露于该羧酸，并相对于第1区域选择性地去除第2区域，从而对抗蚀剂膜进行干式显影。在(b)中，羧酸的压力或分压为0.3Torr(40Pa)以上且小于100Torr(13332Pa)。
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公开(公告)号：CN119585843A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054380.4
申请日：2023-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。本公开中的基板处理方法包括：(a)提供具有底膜和所述底膜上的抗蚀剂膜的基板的工序，所述抗蚀剂膜具有第一区域和第二区域；(b)除去所述第二区域的至少一部分，使所述第一区域的侧面的至少一部分露出的工序；(c)在所述第一区域的至少上面形成沉积膜的工序；和(d)除去所述沉积膜的至少一部分和所述第二区域的至少一个的工序。
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