公开(公告)号：CN117096027A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310564019.8

申请日：2023-05-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽隆宏 ,  泷野裕辅 ,  小野健太 ,  西塚哲也

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 提供适当地蚀刻包含含金属膜的基板的技术。本公开涉及的等离子体处理方法为在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包含(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具有包含第一含硅膜的蚀刻对象膜和所述蚀刻对象膜上的第一含金属膜，所述第一含金属膜包含开口图案；以及(b)蚀刻所述蚀刻对象膜的工序。所述(b)包含向所述腔室内供给包含含碳、氢以及氟的一种以上的气体的处理气体，在所述腔室内由所述处理气体生成等离子体，蚀刻所述第一含硅膜而在所述第一含硅膜上形成所述开口图案的工序，所述处理气体所包含的氢原子的数量与氟原子的数量的比例为0.3以上。还提供一种等离子体处理系统。

公开(公告)号：CN119895546A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380060904.0

申请日：2023-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽隆宏

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一种在蚀刻膜适当地形成凹部的技术。本公开所涉及的等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置具备腔室和设置于所述腔室内的基板支承部，所述等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，是准备工序，在所述基板支承部准备基板，所述基板具有作为含有硅的无机膜的含硅膜、以及所述含硅膜上的掩模，所述掩模包含开口宽度为30nm以下的开口图案；以及工序(b)，在所述腔室内生成等离子体，并经由所述掩模对所述含硅膜进行蚀刻来在所述含硅膜形成凹部，其中，所述工序(b)包括以下工序：工序(b‑1)，向所述腔室内供给包含氟化氢的处理气体；工序(b‑2)，在所述腔室内从所述处理气体生成等离子体；以及工序(b‑3)，向所述基板支承部供给偏置信号，所述偏置信号是功率的有效值小于2kW的偏置RF信号、或者电压的有效值小于2kV的包含负极性的DC脉冲的序列的偏置DC信号。

公开(公告)号：CN116705601A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310137724.X

申请日：2023-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽隆宏 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  田中康基 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的方法，等离子体处理装置具有腔室、基板支承部以及等离子体生成部，等离子体处理方法包括：准备的工序，在基板支承部准备具有含硅膜和掩模膜的基板，掩模膜包含开口图案；以及蚀刻的工序，在腔室内生成等离子体，将掩模膜作为掩模来对含硅膜进行蚀刻，蚀刻的工序包括：向腔室内供给含有碳、氢及氟的包含1种以上的气体的处理气体；向等离子体生成部供给源RF信号，来从处理气体生成等离子体；以及向基板支承部供给偏压RF信号，在蚀刻的工序中，一边在掩模膜的表面的至少一部分形成含碳膜，一边至少通过从处理气体生成的氟化氢来蚀刻含硅膜。

公开(公告)号：CN117316758A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310694554.5

申请日：2023-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽隆宏 ,  小野健太

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515 ,  C23C16/52 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14

Abstract: 提供能够控制基板的开口尺寸的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包含：(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具备蚀刻对象膜和形成在所述蚀刻对象膜上且具有在所述蚀刻对象膜上规定至少一个开口的侧面的含金属膜；(b)使用由第一处理气体生成的等离子体在含金属膜的表面的至少一部分上形成沉积膜的工序，所述第一处理气体包含含硅、碳或者金属的气体；以及(c)使用由第二处理气体生成的等离子体除去含金属膜的所述侧面的至少一部分的工序。还提供一种等离子体处理系统。

公开(公告)号：CN116027630A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211302181.4

申请日：2022-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽隆宏 ,  田中康基

IPC: G03F1/76

Abstract: 本发明提供一种形成图案的方法和形成图案的装置。在一个示例性实施方式中，形成图案的方法包括：(a)在基板上形成具有开口且包含第1材料的第1图案的工序；(b)在开口内形成包含与第1材料不同的第2材料的填充部的工序；及(c)通过去除第1图案，填充部作为相对于第1图案反转的第2图案残留的工序，第1材料及第2材料中至少一个包含锡。

公开(公告)号：CN115513044A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210661189.3

申请日：2022-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽隆宏 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够控制开口的尺寸的等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统。本公开的等离子体处理方法包含以下工序：准备工序，准备具有(a)被蚀刻膜、(b)光致抗蚀剂膜和(c)第1膜的基板，该光致抗蚀剂膜形成于所述被蚀刻膜的上表面，且具有在所述被蚀刻膜的所述上表面规定出至少一个开口的侧面，该第1膜至少包含第1部分和第2部分，所述第1部分是形成于所述光致抗蚀剂膜的上表面的部分，所述第2部分是形成于所述光致抗蚀剂膜的所述侧面的部分，所述第1部分的膜厚厚于所述第2部分的膜厚；以及修整工序，至少对所述光致抗蚀剂膜的所述侧面的至少局部和所述第1膜的所述第2部分的至少局部进行蚀刻。