-
公开(公告)号：CN116230524A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310384766.3
申请日：2018-04-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤，流程包括：向处理容器内供给第2气体的第1步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，第1气体包含碳原子和氟原子，第2气体包含氨基硅烷类气体，被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，第1步骤不生成第1气体的等离子体。
-
公开(公告)号：CN109427607B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201810971368.0
申请日：2018-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田端雅弘
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理，能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差，并且能够在沟槽的内表面按每一原子层高精细地形成含硅氧化物的膜。当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时，为了扩展沟槽宽度，利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理，各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。
-
公开(公告)号：CN110010464A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811565044.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 提供处理基板的方法。一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。
-
公开(公告)号：CN109923648A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780068805.1
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子体所含离子的混合层，生成含氟的第二处理气体的等离子体以利用该等离子体所含的自由基除去混合层，从而按原子层除去被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻。第二处理气体的等离子体包含自由基，该自由基能够除去含有硅氮化物的混合层。
-
公开(公告)号：CN108735597A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810329353.4
申请日：2018-04-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02274 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种能够良好地进行立体的图案形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中提供了对被处理体的蚀刻方法，被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面在从主面上看时露出，该方法包括：在多个凸区域各自的端面形成膜的第一步骤；和对通过第一步骤形成的膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个端面露出的第二步骤。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231579A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711326482.X
申请日：2017-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法，能够抑制堆积物的生成并且能够获得高选择性。一个实施方式的方法包括：在由等离子体处理装置的腔室主体提供的腔室内准备具有第一区域和第二区域的被加工物的步骤；在腔室内生成包含含氢气体的第一气体的等离子体，以使得通过氢的活性种将第一区域的一部分改性而形成改性区域的步骤；和在腔室内生成包含含氟气体的第二气体的等离子体，以使得利用氟的活性种除去改性区域的步骤。
-
公开(公告)号：CN111463123B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010016949.6
申请日：2020-01-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供蚀刻膜的方法。在一实施方式中，提供蚀刻基片的膜的方法。基片具有膜和形成于该膜上的掩模。方法包括在掩模的上表面之上选择性地形成沉积物的步骤。方法在形成沉积物的步骤后，还包括蚀刻膜的步骤。进行蚀刻的步骤包括在基片上形成处理气体的等离子体中所含的化学种的层的步骤。进行蚀刻的步骤还包括为了使化学种与膜反应，而从非活性气体的等离子体对基片供给离子的步骤。本发明能够抑制膜的蚀刻导致的掩模的膜厚减少。
-
公开(公告)号：CN110010464B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811565044.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: [课题]提供处理基板的方法。[解决方案]一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。
-
公开(公告)号：CN109427561B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201810971378.4
申请日：2018-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供处理被处理体的方法，在被处理体上形成图案时，为了实现高度集成化所需的细微化，高精度地抑制最小线宽的偏差。本发明的一个实施方式的处理被处理体的方法，在被处理体的表面设有多个孔。该方法包括第一流程，该第一流程包括在孔的内表面形成膜的第一工序和各向同性地对膜进行蚀刻的第二工序。第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，膜含有硅。
-
公开(公告)号：CN114156156A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111453386.8
申请日：2017-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置，其包括：具有气体导入口和排气口的腔室；设置在所述腔室内的基片支承部，该基片支承部包括电极，可对该电极供给高频偏置电力；等离子体产生部；和进行下述的a控制～c控制的控制部，a控制，将包括由氮化硅形成的第一区域和由氧化硅形成的第二区域的基片放置在所述基片支承部上，b控制，供给所述高频偏置电力，从含氢的第一气体产生第一等离子体以对所述第一区域进行改性，c控制，停止所述高频偏置电力的供给，从含氟的第二气体产生第二等离子体以除去改性了的所述第一区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.027 seconds)
