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公开(公告)号：CN119965072A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411506693.1
申请日：2024-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其在基片上生成等离子体而对基片实施处理。等离子体处理装置包括：处理容器；能够被插入所述处理容器的、将多个基片保持为多层的基片保持件；能够使所述基片保持件在所述处理容器内旋转的旋转轴；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给管；对所述处理容器内进行排气的排气部；配置在所述处理容器的外侧的、以面对所述处理容器的中心彼此相对的方式配置的一对电极；和对一对所述电极施加高频电功率而在所述处理容器内生成电容耦合等离子体的高频电源，所述基片保持件具有用于保持所述基片的、俯视时包围在所述基片的径向外侧的环部件。
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公开(公告)号：CN110544613B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910437815.9
申请日：2019-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制由于生成等离子体而导致的等离子体生成部的损伤。等离子体处理装置包括具有等离子体电极的等离子体生成部，能够对收纳在处理容器内的基片进行等离子体处理，上述等离子体生成部的至少与所述等离子体电极相对的部分由合成石英形成。
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公开(公告)号：CN112786425A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011169858.2
申请日：2020-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够抑制在等离子体生成部沉积膜的等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明的一个方式的等离子体处理装置包括：具有长度方向的处理容器；对上述处理容器内供给原料气体的原料气体供给部；等离子体分隔壁，其沿上述处理容器的长度方向设置，在内部形成等离子体生成空间，并具有使上述等离子体生成空间与上述处理容器内连通的开口；反应气体供给部，其能够对上述等离子体生成空间供给与上述原料气体反应的反应气体；和开闭上述开口的开闭部。
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公开(公告)号：CN112017936A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010412317.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的一个方式提供一种等离子体处理装置，其包括：圆筒体状的处理容器；沿着所述处理容器的长度方向相对配置的一对等离子体电极；和向所述一对等离子体电极供给高频电功率的高频电源，在所述等离子体电极中，离被供给所述高频电功率的供电位置较远的位置的电极间距离比所述供电位置的电极间距离长。根据本发明，可提供能够提高沿着处理容器的长度方向的电场强度的均匀性的技术。
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公开(公告)号：CN104051213B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410081006.6
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理体实施等离子体处理，其包括：能够抽真空的圆筒状的处理容器；保持多个被处理体向处理容器内插拔的保持单元；向处理容器内供给气体的气体供给单元；和利用等离子体使气体活性化的活性化单元，其中，活性化单元由沿处理容器长边方向配设的等离子体生成箱、沿等离子体生成箱配设的电感耦合型电极和连接到电感耦合型电极的高频电源构成，电感耦合型电极在等离子体生成箱的一端折返，沿等离子体生成箱的两侧壁配设，等离子体生成箱由截面“コ”状的等离子体区分壁区分形成，该等离子体区分壁由相对的一对侧壁和连接该侧壁的一端侧的背面壁构成，串联连接成为一部分被切去的状态的多个环状电极而形成电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738046A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210089654.7
申请日：2012-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/68707
Abstract: 本发明涉及基板搬送装置以及基板搬送方法。该基板搬送装置具备：搬送基体；用于保持基板的板状的保持体，其在水平方向进退自由地设置于所述搬送基体；压电体，其安装于所述保持体，当被施加电压时，收缩或者伸长地对所述保持体赋予弯曲应力；以及供电部，其对所述压电体施加电压，以便对所述保持体赋予能够抵消在所述保持体产生的挠曲这样的弯曲应力。
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公开(公告)号：CN101819918A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010102641.X
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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公开(公告)号：CN101192534A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196363.7
申请日：2007-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01L21/318 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , C23C16/507 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种具有处理容器的成膜装置的使用方法，该处理容器具有以选自由石英和碳化硅构成的组中的材料为主成分的内面。根据该方法，在前述处理容器内进行在制品用的被处理基板上形成硅氮化膜的成膜处理，接着，从前述处理容器卸载上述制品用的被处理基板。之后，将氧化气体供向没有容纳制品用的被处理基板的前述处理容器内，进行氧化处理，使附着在前述处理容器的前述内面上的副生成物膜在从其表面至规定深度的部分上变化为氧比氮丰富的状态。
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公开(公告)号：CN1891859A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100571.8
申请日：2006-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: C23C16/44 , C23C16/452 , C23C16/513 , C23C16/52 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/0214 , C23C16/345 , C23C16/45546 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3145
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氧化气体的第二处理气体和含有氮化气体的第三处理气体的处理区域内，利用CVD在被处理基板上形成氮氧化硅膜。该成膜方法具有相互交替的第一至第六工序。在第一、第三和第五工序中，分别供给第一、第二和第三处理气体，停止其他两种处理气体的供给。在第二、第四和第六工序中，停止第一、第二和第三处理气体的供给。所述第三和第五工序具有激励期间，所述第二和第三处理气体在由激励机构所激励的状态下被供给至所述处理区域。
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公开(公告)号：CN1881543A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610092209.0
申请日：2006-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 松浦广行
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , C23C16/507 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32935 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氯置换用气体的第二处理气体和含有氧化气体的第三处理气体的处理区域内，利用CVD在被处理基板上形成硅氧化膜。该成膜方法交替地具有第一～第六工序。在第一、第三和第五工序中，分别供给第一、第二和第三处理气体，停止其它2种处理气体的供给。在第二、第四和第六工序中，停止第一、第二和第三处理气体的供给。上述第三和第五工序分别具有将上述第二和第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给上述处理区域的激发期间。
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