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公开(公告)号：CN107779953A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710821497.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的无机卤化物闪烁晶体的生长方法，属于晶体材料制造技术领域，其步骤：(a).将有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到平底烧瓶中，再加入无机卤化物晶体粉末，放在磁力搅拌机上搅拌，使其完全溶解,直至饱和；溶解后，将其过滤，得到长晶的无机卤化物溶液；(b).将步骤(a)的长晶的溶液放置在加热台上进行油浴加热，生长出正方体的无机卤化物单晶晶体；取出上述无机卤化物单晶晶体，对其进行抛光，用乙醇擦洗干净，获得无机卤化物闪烁晶体。该方法操作方便，所用原料成本低廉，能够从无机卤化物的溶液来析出高质量的单晶晶体。
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公开(公告)号：CN106249403A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610813342.4
申请日：2016-09-10
Applicant: 上海大学
IPC: G02B26/08
CPC classification number: G02B26/0833
Abstract: 本发明涉及一种增强MEMS微镜抗变能力的方法，属于微机电系统器件制造领域。本方法采用在微镜背部增加圆环结构的方法降低微镜振动时的动态变形，来保证微镜对光束的正常偏转。具有成本更低、系统更加简单、体积更加精巧、可操作性更强的特点。通过比对三种不同背部结构，圆环形结构在降低动态变形的同时，可以减少工艺步骤，节省工艺成本。
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公开(公告)号：CN104952972A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510174196.0
申请日：2015-04-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法，采用近空间升华方法，通过对沉积后的薄膜进行后处理，来分离薄膜与衬底，获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源，通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备不受衬底尺寸限制，灵活应用于大面积、低漏电流的辐射探测器的薄膜，有望使得辐射探测器的制造技术更加简便。
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公开(公告)号：CN104730559A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510134207.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种平面型核辐射探测器件的制备方法，具体为采用CdZnTe晶片制备方法或CdZnTe薄膜制备方法制备平面型核辐射探测器件。本发明还公开了一种可携带式核辐射探测装置，包括探测器感应装置1、前级放大电路2、后级主放大电路3、模拟数字转换电路4、单片机处理器5、显示模块6、报警模块7和USB接口模块8，采用CdZnTe材料作为感应核辐射粒子射线的核辐射吸收层，具有平面式叉指电极结构，在电源模块9中还设有输出的电压为5-50V的DC/DC电压转换模块，核辐射探测装置集成为能够安装在使用者随身携带的物品上的小型器件。本发明方便携带，能实时报警，可长期可持续供电，适合于野外作业，适用于国防军事和有核辐射的民用场合。
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公开(公告)号：CN102544230A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210039923.9
申请日：2012-02-22
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/22 , C23C14/06 , C23C16/448
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种Cd1-xZnxTe(CZT)薄膜的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。其中CZT薄膜制备方法是：采用掺少量Zn(x小于1%)的Cd1-xZnxTe多晶或单晶圆盘做升华源，用近空间升华法直接制备x
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118006903A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410174270.8
申请日：2024-02-07
Applicant: 河北龙凤山辰昕新材料科技有限公司 , 上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院
Abstract: 利用连续式UHV垂直浮区区熔制备超纯金属工艺，利用真空预处理室和超高真空区熔工艺室相结合的双真空室结构，能够在全程真空环境下对金属棒材进行等离子表面清洗和n道次垂直区熔提纯以得到更高纯度级别的提纯金属棒材，有利于发挥杂质蒸发效应、杂质分凝效应或偏析效应、和杂质熔渣去除效应，实现连续式的金属棒材提纯作业，可应用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN112557343B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011367161.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。
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公开(公告)号：CN112786744B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110177271.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种平面结构的二维全无机钙钛矿白光LED器件的制备方法，通过酸化学法、真空抽滤以及干法球磨工艺制备微米尺度的Cs3Sb2Cl9晶体粉末；使用真空沉积法，在石英衬底上制备得到大气环境稳定、结晶质量高、具有明显(110)取向生长的二维全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9薄膜；采用PMMA封装，制成含有TiO2/Cs3Sb2Cl9薄膜的石英基片和UVLED单元的平面结构的白光LED器件。本发明制备方法以步骤简单、成本低、过程可控为特点，可运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN110565165B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号：CN113504268A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110647239.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种用于卤化物钙钛矿器件的系统级电学性能测试装置，提供真空测试条件，提供不同温度测试条件，减少器件的拆取，减少夹具对器件的损失，将测试系统与数据采集进行自动化处理。所述测试装置包括真空装置、夹具装置、测试仪器、控制程序。所述测试凹台由塑料材质与金属外壳进行绝缘处理，测试台上方铜制平台及上方铜制弹片通过铜丝导线与电学测试接口连接。本发明构建了一套完整的电学测试系统，解决了钙钛矿材料测试引起的材料水解、材料水氧反应等引起的测试不稳定问题，实现了低温下和变温条件下的电学测试，实现了电学测试金属屏蔽，实现了程序自动化测试，提高了电学测试的准确性。
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