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公开(公告)号：CN118983365A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411041213.9
申请日：2024-07-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/20
Abstract: 一种THBC太阳电池结构及其制备方法，包括：衬底、依次设置于衬底的前表面一侧的n+前表面场层或p+前漂浮结层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层；依次设置于衬底的背表面一侧的隧穿氧化层、磷掺杂的n+多晶硅层、硼掺杂的p+非晶硅层或者微晶硅层、氢化氮化硅钝化层和金属电极。本发明利用异质结(SHJ)太阳电池具有优越的界面钝化特性，将TBC太阳电池中钝化较差的p+多晶硅替换为p+氢化非晶硅或者p+氢化微晶硅；同时在电池前表面插入前表面场(FSF)或者前漂浮结(FFE)，提高晶硅衬底前表面光生载流子向背面的传输距离，从而显著提高TBC太阳电池背面p+区域界面钝化和载流子传输性能。
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公开(公告)号：CN117253926A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210649567.6
申请日：2022-06-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 一种化学钝化与场效应钝化协同效应的晶硅异质结双面太阳电池及其制备方法，n型单晶硅或p型单晶硅衬底、位于衬底一侧且作为发射极层或窗口极层的硼掺杂氢化纳米硅薄膜层以及由内向外依次设置于衬底上的氧化铝薄层、硼掺杂氢化纳米硅薄膜层、透明导电层和金属电极、位于衬底另一侧且作为窗口层或发射极层的磷掺杂氢化纳米硅薄膜层以及由内向外依次设置于衬底上的氢化非晶氮氧化硅薄层、磷掺杂氢化纳米硅薄膜层、透明导电层和金属电极。本发明通过采用具有高固定电荷的氧化物薄层起到钝化层和隧穿层的作用，从隧穿氧化物层的场效应钝化、隧穿氧化物层以及纳米硅薄膜层的化学钝化两个维度，运用复合钝化协同效应增强钝化效果的同时减少钝化层产生的光吸收。
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公开(公告)号：CN114134549A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111409308.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种通过硫酸根阴离子修饰来改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域、电化学领域，所述方法包括：在ITO玻璃上沉积硫酸根阴离子修饰的金属铅层；将ITO玻璃上含有的所述硫酸根阴离子修饰的金属铅层转化为所述硫酸根阴离子修饰的钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以有效地改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，从而得到更高光电转换效率的钙钛矿太阳电池；同时还可以突破平整基底的限制，在表面制绒的异质结太阳电池上实现钙钛矿薄膜的均匀保型生长。
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公开(公告)号：CN111211224A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010022553.2
申请日：2020-01-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种快速低成本制备商用钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域，所述方法包括：FTO玻璃清洗；在清洗干净的所述FTO玻璃表面制备金属铅层；将含有所述金属铅层的所述FTO玻璃浸入甲基碘化铵/异丙醇溶液中制备所述钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，不仅可以快速可控地实现金属铅层向钙钛矿薄膜的转变，而且容易控制钙钛矿薄膜晶体尺寸，还很容易在柔性、大尺寸、粗糙的衬底上制备钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN108878549B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201810675157.2
申请日：2018-06-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种实现准全向硅太阳电池的方法，涉及太阳电池领域，包括以下步骤：步骤一，将硅片置于含金属离子溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；步骤二，将所述附有金属纳米颗粒的硅片浸入酸性或碱性溶液中，使所述硅片表面形成纳米结构，得到表面附有纳米结构的硅片；步骤三，将所述表面附有纳米结构的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒，得到制绒的硅片；步骤四，将所述表面附有纳米结构的硅片制备成太阳电池。本发明还提供了太阳电池的准全向分析方法。本发明的方法提升太阳电池对不同角度入射光的准全向吸收性能，增加太阳电池的日或年发电量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110289354A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910496365.0
申请日：2019-06-10
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿层双侧钝化薄膜的太阳电池制备方法，包括以下步骤：导电玻璃基底处理、氧化镍空穴传输层的制备、聚苯乙烯下层钝化层的制备、钙钛矿层以及聚苯乙烯上层钝化层的制备、富勒烯衍生物层的制备、电极制备，最终形成基于钙钛矿层双侧钝化薄膜的太阳电池。相比于单侧钝化层的钙钛矿太阳电池而言，具有双侧钝化层的钙钛矿太阳电池具有更大的开路电压、短路电流密度和填充因子，自然具有更高的光电转换效率，更好的稳定性；相比于现有相分离的双侧钝化方案，本发明所提出的双侧钝化薄膜制备方法更加简便。
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公开(公告)号：CN106190101B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610548570.3
申请日：2016-07-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种荧光量子点薄膜技术领域的具有微结构表面的自支持薄膜及其制备方法，首先分别制得荧光量子溶液和PVA溶液，然后将荧光量子溶液加入PVA溶液中混合均匀，得到荧光量子/PVA混合溶液；接着在底部具有微结构的模具中加入荧光量子/PVA混合溶液，最后加热固化制得具有微结构表面的自支持薄膜。本发明通过在荧光量子点自支持薄膜的表面设置微结构，提高固态荧光量子产率及相应的光转换效率；可以在光电器件、生物科技等诸多领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN107195788A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710270043.5
申请日：2017-04-24
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0006 , H01L51/0077 , H01L51/42
Abstract: 一种基于电化学两步合成的钙钛矿薄膜制备方法，其以置于电解液中的导电材料为基底，通过在基底上施加负偏压以生成铅薄膜层；然后将基底置于卤化胺溶液中并施加正直流偏压或者交变电压，从而在铅薄膜层上得到所需的钙钛矿薄膜。本发明通过在溶液中进行电化学制备，制造适用于太阳电池等光电器件的钙钛矿薄膜材料。
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公开(公告)号：CN105826410A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610307092.7
申请日：2016-05-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , C30B33/10
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02363 , C30B33/10 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种消除金刚线切割痕迹的多晶硅制绒方法及其应用。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将具有金刚线切割痕迹的多晶硅片置于黑硅处理溶液中进行黑硅处理，在硅片表面形成多孔硅结构；(2)将该多晶硅片置于氢氟酸、硝酸的混合酸溶液中进行表面酸制绒，在表面形成微米尺度的孔状结构；(3)将该多晶硅片再次置于黑硅处理溶液中，在微米孔的内部形成多孔硅结构；(4)将该多晶硅片置于氢氧化钠溶液中进行碱制绒处理，在多晶硅片表面形成纳米倒金字塔嵌于微米孔内的微纳复合结构。本发明的制绒方法消除了金刚线切割多晶硅片的表面的划痕，有效降低了制绒后硅片的反射率，大幅度提升了金刚线切割多晶硅太阳电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN102957092B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210397689.7
申请日：2012-10-18
Applicant: 上海交通大学无锡研究院
Abstract: 本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器，其特征在于：利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构，形成双量子阱三能级的结构，以入射激光进行激发，形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。相比之下，常规的太赫兹激光器（如量子级联激光器）通常工作在低温状态，需要安置在杜瓦或循环制冷机中。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在30到40微米波段产生太赫兹激光。
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