公开(公告)号：CN118198166A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410347690.1

申请日：2024-03-26

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  黄环佩 ,  李正平 ,  丁东 ,  杜大学 ,  马胜 ,  贺礼 ,  李琳

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 一种全铝钝化背接触太阳电池及其制备方法，包括：晶硅衬底、依次设置于其一侧的隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺磷多晶硅层、掺硼多晶硅层、背面钝化层以及设置于晶硅衬底另一侧的正面钝化层和正面减反射层，其中：掺磷多晶硅层上分别设有层叠的两个铝负电极和两个铝正电极。本发明优化了背接触电池的背面电极结构，并结合钝化接触，不仅可以降低接触电阻、增强背面载流子传输，也能够提升衬底选择自由度，免除工业用银的消耗，大幅降低了电池的量产成本。

公开(公告)号：CN118983365A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411041213.9

申请日：2024-07-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  丁东 ,  李正平 ,  黄环佩

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

Abstract: 一种THBC太阳电池结构及其制备方法，包括：衬底、依次设置于衬底的前表面一侧的n+前表面场层或p+前漂浮结层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层；依次设置于衬底的背表面一侧的隧穿氧化层、磷掺杂的n+多晶硅层、硼掺杂的p+非晶硅层或者微晶硅层、氢化氮化硅钝化层和金属电极。本发明利用异质结(SHJ)太阳电池具有优越的界面钝化特性，将TBC太阳电池中钝化较差的p+多晶硅替换为p+氢化非晶硅或者p+氢化微晶硅；同时在电池前表面插入前表面场(FSF)或者前漂浮结(FFE)，提高晶硅衬底前表面光生载流子向背面的传输距离，从而显著提高TBC太阳电池背面p+区域界面钝化和载流子传输性能。

公开(公告)号：CN119384046A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411467367.4

申请日：2024-10-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  丁东 ,  李正平 ,  贺礼 ,  黄环佩

IPC: H10F10/166 ,  H10F77/1223 ,  H10F71/10

Abstract: 一种叠层本征非晶硅结构的异质结太阳电池及其制备方法，包括：n型晶硅衬底、依次设置于衬底前表面的三层H浓度依次降低的本征层、磷掺杂层、第一导电层和正面电极以及依次设置于衬底背表面的三层H浓度依次降低的本征层、硼掺杂层、第二导电层和背面电极，其中：本征层、磷掺杂层、硼掺杂层和导电层均为若干金字塔形结构。本发明拓宽了晶硅异质结太阳电池的工艺窗口，能够提高前表面的透光率，并且兼顾了电池两侧的界面钝化和高载流子迁移率，从而获得较高的电池转换效率。

公开(公告)号：CN118919595A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411007182.5

申请日：2024-07-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 丁东 ,  沈文忠 ,  李正平 ,  黄环佩

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 一种改进型IBC太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括：n型晶硅衬底、依次设置于衬底前表面的p+漂浮结FFE层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层以及依次设置于衬底背表面的隧穿氧化层、n+非晶硅层、n+微晶硅层、p+非晶硅层、p+微晶硅层、氢化氮化硅减反射层和金属电极。本发明通过在IBC晶硅太阳电池前表面制备硼掺杂的漂浮结FFE层，利用FFE层不同区域电压梯度所形成的泵浦效应把电池背表面场区域载流子长距离抽送到发射极区域，提高载流子传输距离，让更多光生载流子进入硅片背面p+和n+区域被有效收集，以获得更高的短路电流密度，从而提升太阳电池的转换效率。