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公开(公告)号：CN103467711A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310379799.5
申请日：2013-08-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08G61/12 , C07D519/00 , H01L51/46
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了一种连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物及其制备、用途；所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示：其中50>n>1；本发明还涉及前述连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效；本发明的连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物主链含有柔性的易于分子链排列的双键羟吲哚基团和侧链为促进溶解性的烷基链，材料可溶液加工处理，且具有较低的能带隙，可以应用于光伏器件。
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公开(公告)号：CN102504213B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110361802.1
申请日：2011-11-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08G61/12 , C07D487/04 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及其制备方法。该全共轭聚合物结构式为：其中，R1为烷基，R2为氢或三氟甲基，n≥1。该制备方法为以二溴苯四羰基二亚胺和1，4二炔基苯或其衍生物为单体，在Heck反应条件下共聚反应，即得所述全共轭聚合物。与现有技术相比，本发明的聚合物，由于其分子中引入了强缺电子的苯四羰基二亚胺基团，使聚合物拥有很低的HUMO能级，所以此聚合物的亲电能力强；同时，此聚合物引入三键，降低了给体受体单元间的空间位阻，有利于其更规整地排列，所以含有此聚合物的场效应晶体管器件的电子迁移率将得到提高，因此在聚合物场效应晶体管、薄膜晶体管等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102702234A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210141507.X
申请日：2012-05-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: C07D513/04 , C08G61/12 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及含二呋喃并噻唑二溴单体及其共轭聚合物、用途。所述含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物的结构式分别如式（Ⅰ）、式（Ⅱ）、式（Ⅲ）所示：其中，R1为C8～C20烷基，n≥1；其中，R2为C6～C20烷基；R3为C6～C20烷基或者氢，n≥1。本发明中的含全新的二呋喃并噻唑单元的共轭聚合物，是主链共轭的可溶液加工的低能隙半导体聚合物，薄膜光伏器件研究表明这类材料具有用作薄膜光伏器件的活性层材料的潜力，本体异质结光伏器件测试中，能量转化效率达到3.06%。
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公开(公告)号：CN102504213A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110361802.1
申请日：2011-11-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08G61/12 , C07D487/04 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及其制备方法。该全共轭聚合物结构式为：其中，R1为烷基，R2为氢或三氟甲基，n≥1。该制备方法为以二溴苯四羰基二亚胺和1，4二炔基苯或其衍生物为单体，在Heck反应条件下共聚反应，即得所述全共轭聚合物。与现有技术相比，本发明的聚合物，由于其分子中引入了强缺电子的苯四羰基二亚胺基团，使聚合物拥有很低的HUMO能级，所以此聚合物的亲电能力强；同时，此聚合物引入三键，降低了给体受体单元间的空间位阻，有利于其更规整地排列，所以含有此聚合物的场效应晶体管器件的电子迁移率将得到提高，因此在聚合物场效应晶体管、薄膜晶体管等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101266795B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710064350.4
申请日：2007-03-12
CPC classification number: H04N19/94
Abstract: 一种格矢量量化编解码的实现方法及装置，其主要是在格矢量量化编码方案中，选定新的基础码本，在该基础码本中直接或间接地包含了RE8点集中任意维的数值小于等于3的所有点，且该基础码本中的第4级超球面上的点全部为奇数点，以使得部分的最近邻点数值仅经过相应的奇数化处理便可以包含于基础码本中。。本发明实施例中选定的基础码本容量得到进一步扩大；同时，选定的基础码本中的矢量量化Leader数比现有技术中的基础码本中的码字量进一步减小，从而使得量化器内存空间占用减少，查找基础码本的速度大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115678073A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211430189.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08J5/22 , C08G73/06 , H01M8/103 , H01M8/1069 , C08L79/04
Abstract: 本发明公开了一种支化聚(芳基哌啶鎓)阴离子交换膜及其制备方法和应用，属于膜技术领域。本发明通过简单的两步合成法，离子化后制备出一种新型的支化型碱性阴离子交换膜。聚合物的支化结构产生了高刚性，大大降低了阴离子交换膜的吸水性和膨胀比，从而提高了尺寸稳定性。其高OH‑导电率、碱性稳定性和高机械强度表明，本发明的支化聚(芳基哌啶鎓)阴离子交换膜可作为碱性燃料电池用阴离子交换膜材料。
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公开(公告)号：CN107602886B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201710842707.0
申请日：2017-09-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08J3/24 , C08J3/28 , C07C69/76 , C07C67/14 , C09K11/06 , H01L51/10 , H01L51/30 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了一种光敏交联剂及其制备方法、用途。所述光交联剂为支状苯二酮类光交联剂。本发明制备得到的交联剂能够通过UVA光照射，在很短的光照时间内，不需要催化剂，不产生副产物的条件下就能实现有效的交联过程。采用本发明的新型的光交联方法，仅需交联剂与基体材料简单混合后紫外辐射即可制备交联的聚合物材料。本发明所得的交联绝缘层材料适合溶液法制备各种有机场效应晶体管器件，是一种性能优异的交联的聚合物绝缘层材料。本发明所得的交联空穴传导层材料适合各种有机电致发光显示器件中溶液法制备有机薄膜，是一种性能优异的交联的聚合物空穴传导层材料。
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公开(公告)号：CN108727567A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810415099.X
申请日：2018-05-03
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/3223 , C08G2261/3225 , C08G2261/3241 , C08G2261/414 , H01L51/0043 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种引入重原子硒的异靛蓝衍生物共轭聚合物的制备及用途；所述共轭聚合物如式(I)所示：R为C8～C20烷基链，1000≥n﹥1。本发明第一次将重原子硒原子引入了半异靛蓝中，合成了新型的单体。揭示了重原子的引入对聚合物光伏性能的影响，聚合物的合成步骤简单，产率高，表现出了良好的紫外光谱吸收。重原子的引入会降低聚合物的摩尔消光系数，使吸收光谱红移。本发明制备的两种共轭聚合物可作为有机半导体层中的给体材料，应用于聚合物太阳能电池测试中。在结构ITO/ZnO/polymer:PC61BM/MoO3/Ag的有机薄膜太阳能电池的测试中分别得到了4.28％和3.36％的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN105367561B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201510807837.1
申请日：2015-11-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: C07D409/06 , H01L51/42 , H01L51/46 , C08G61/12
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了一种吲哚衍生物及其共轭聚合物的制备和用途；所述吲哚衍生物及其共轭聚合物的结构如式I和式II所示：其中R为C8～C20烷基链，X为O、S、Se或Te，300≥n﹥1。本发明提供的合成方法操作简单、原料成本低，得到的目标聚合物具有分子量大分布较窄的特点。本发明制备的共轭聚合物可作为半导体有机层应用于聚合物太阳能电池测试中；且该聚合物具有良好的主体共轭体系，材料可以溶液加工，具有较窄的能带隙、良好的热稳定性，薄膜光伏器件测试表明，聚合物材料可以应用于薄膜光伏器件活性层，倒置结构的本体异质结光伏器件测试中，能量转化效率可以达到7.0％，并且具有进一步提升的空间。
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公开(公告)号：CN105367756B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510807862.X
申请日：2015-11-19
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种吲哚衍生物与苯并二噻吩双锡共聚物的制备和用途。所述共聚物结构如式I或式II所示：其中R1,R2,R3分别独自地为C8～C20烷基链，100≥n﹥1。本发明提供的合成方法操作简单、原料成本低，得到的目标聚合物具有分子量大分布较窄的特点。本发明制备的共聚物可作为半导体有机层应用于聚合物太阳能电池测试中；且该聚合物具有良好的主体共轭体系，材料可以溶液加工，具有较窄的能带隙、良好的热稳定性，薄膜光伏器件测试表明，聚合物材料可以应用于薄膜光伏器件活性层，倒置结构的本体异质结光伏器件测试中，能量转化效率可以达到4.9％，在薄膜太阳能电池领域有着光明的应用前景。
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