N-酰基取代异靛蓝基的共轭聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN103304782B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201310176081.6

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 本发明公开了一种N-酰基取代异靛蓝基的共轭聚合物及其制备方法。所述共轭聚合物的结构式如式(I)所示:其中,R为含碳原子数6~20的烷烃链,100>n>1,Ar为式(II)、(III)或(IV)所示的结构式:该共轭聚合物中的N-酰基取代异靛蓝是由烷基酰氯与异靛蓝在吡啶的作用下反应生成。本发明的共轭聚合物主链中具有大π共轭体系,其侧链含有强烈吸电子的羰基与柔性促溶的烷基链;本发明涉及的共轭聚合物属于主链共轭的可溶液处理的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物,可用于制备OFETs器件。

    萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途

    公开(公告)号:CN103304781A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310176074.6

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 本发明提供了一种萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途;所述半导体聚合物的结构式如式(Ⅰ)或(II)所示:其中,50>n>1;本发明还涉及前述萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效;原料易于合成制备,合成的成本低,得到的目标化合物纯度高;本发明的萘并二呋喃基的半导体聚合物主链具有刚性平面的大π共轭体系和侧链为柔性促溶的烷基链,材料可溶液加工处理,且具有低的能带隙,可以应用于光伏器件。

    N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途

    公开(公告)号:CN102807667A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201210144479.7

    申请日:2012-05-10

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途。所述共轭聚合物的结构式如下:其中,R为C6~C29烷基,n≥1。本发明还涉及所述N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管器件中的用途。本发明的N-酰基取代的苯并吡咯二酮基的共轭聚合物具有大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的酰基化侧链,是主链共轭的可溶液加工的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物;薄膜场效应晶体管器件研究表明这类材料具有薄膜场效应晶体管器件的应用潜力。

    稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物、制备方法及用途

    公开(公告)号:CN102584822A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201110418599.7

    申请日:2011-12-14

    Abstract: 本发明涉及一种稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物、制备方法及用途。所述稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物结构式如下,R1为C8~C12烷烃链;其中R2为氢,R3为三氟甲基;或者R2为三氟甲基,R3为氢;或者R2、R3同时为三氟甲基。本发明还涉及所述稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管中的用途。本发明的衍生物具有刚性平面的大π共轭体系和柔性促溶的烷基链,并引入兼具有吸电子性质、提高化合物溶解度和提高材料器件空气稳定性优点的三氟甲基基团,可以制备高电子迁移率的OTFT器件,是一种性能和稳定性均优异的n-型有机半导体材料,应用前景十分广泛。

    一种血瘀证勃起功能障碍动物模型的制作方法

    公开(公告)号:CN104055579A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410320952.1

    申请日:2014-07-04

    Abstract: 本发明涉及一种血瘀证勃起功能障碍动物模型的制作方法,包括如下步骤:S1:将大鼠置于电击设备中,给予持续电刺激;S2:将大鼠置于噪声设备中,给予高频噪声刺激;S3:将大鼠放入冰水混合的游泳设备中,使其冰泳。本发明通过采用电击、噪音和冰泳的复合因素成功地建立了血瘀证ED大鼠模型,避免了采用一种刺激强度较弱,成模时间延长,成模率低等情况,同时避免了单一较弱刺激动物容易出现适应现象的问题。另外,本发明的复合因素实施较为方便,容易定量,将电流和噪音控制在合适的范围内,成模率高。

    稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物、制备方法及用途

    公开(公告)号:CN102584822B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201110418599.7

    申请日:2011-12-14

    Abstract: 本发明涉及一种稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物、制备方法及用途。所述稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物结构式如下,R1为C8~C12烷烃链;其中R2为氢,R3为三氟甲基;或者R2为三氟甲基,R3为氢;或者R2、R3同时为三氟甲基。本发明还涉及所述稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管中的用途。本发明的衍生物具有刚性平面的大π共轭体系和柔性促溶的烷基链,并引入兼具有吸电子性质、提高化合物溶解度和提高材料器件空气稳定性优点的三氟甲基基团,可以制备高电子迁移率的OTFT器件,是一种性能和稳定性均优异的n-型有机半导体材料,应用前景十分广泛。

    苯并吡咯二酮基的半导体聚合物及其制备、用途

    公开(公告)号:CN102643410A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201210097066.8

    申请日:2012-04-05

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种苯并吡咯二酮基的半导体聚合物及其制备、用途。所述苯并吡咯二酮衍生物的结构式如下:其中,R1为C8~C20烷烃链,R2为C8~C20烷烃链,n≥1。本发明还涉及所述苯并吡咯二酮基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜光伏器件中的用途。本发明的苯并吡咯二酮基的半导体聚合物含新颖的刚性平面的大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的烷基链,是主链共轭的可溶液加工的低能隙聚合物,薄膜光伏器件研究表明这类材料具有薄膜光伏应用潜力。

    可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及制备方法

    公开(公告)号:CN102504213B

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201110361802.1

    申请日:2011-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及其制备方法。该全共轭聚合物结构式为:其中,R1为烷基,R2为氢或三氟甲基,n≥1。该制备方法为以二溴苯四羰基二亚胺和1,4二炔基苯或其衍生物为单体,在Heck反应条件下共聚反应,即得所述全共轭聚合物。与现有技术相比,本发明的聚合物,由于其分子中引入了强缺电子的苯四羰基二亚胺基团,使聚合物拥有很低的HUMO能级,所以此聚合物的亲电能力强;同时,此聚合物引入三键,降低了给体受体单元间的空间位阻,有利于其更规整地排列,所以含有此聚合物的场效应晶体管器件的电子迁移率将得到提高,因此在聚合物场效应晶体管、薄膜晶体管等方面有广泛的应用前景。

    含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物、用途

    公开(公告)号:CN102702234A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210141507.X

    申请日:2012-05-08

    Abstract: 本发明涉及含二呋喃并噻唑二溴单体及其共轭聚合物、用途。所述含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物的结构式分别如式(Ⅰ)、式(Ⅱ)、式(Ⅲ)所示:其中,R1为C8~C20烷基,n≥1;其中,R2为C6~C20烷基;R3为C6~C20烷基或者氢,n≥1。本发明中的含全新的二呋喃并噻唑单元的共轭聚合物,是主链共轭的可溶液加工的低能隙半导体聚合物,薄膜光伏器件研究表明这类材料具有用作薄膜光伏器件的活性层材料的潜力,本体异质结光伏器件测试中,能量转化效率达到3.06%。

    可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及制备方法

    公开(公告)号:CN102504213A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201110361802.1

    申请日:2011-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及其制备方法。该全共轭聚合物结构式为:其中,R1为烷基,R2为氢或三氟甲基,n≥1。该制备方法为以二溴苯四羰基二亚胺和1,4二炔基苯或其衍生物为单体,在Heck反应条件下共聚反应,即得所述全共轭聚合物。与现有技术相比,本发明的聚合物,由于其分子中引入了强缺电子的苯四羰基二亚胺基团,使聚合物拥有很低的HUMO能级,所以此聚合物的亲电能力强;同时,此聚合物引入三键,降低了给体受体单元间的空间位阻,有利于其更规整地排列,所以含有此聚合物的场效应晶体管器件的电子迁移率将得到提高,因此在聚合物场效应晶体管、薄膜晶体管等方面有广泛的应用前景。

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