连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物及其制备、用途

    公开(公告)号:CN103467711A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310379799.5

    申请日:2013-08-27

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明提供了一种连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物及其制备、用途;所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示:其中50>n>1;本发明还涉及前述连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效;本发明的连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物主链含有柔性的易于分子链排列的双键羟吲哚基团和侧链为促进溶解性的烷基链,材料可溶液加工处理,且具有较低的能带隙,可以应用于光伏器件。

    含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物、用途

    公开(公告)号:CN102702234A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210141507.X

    申请日:2012-05-08

    Abstract: 本发明涉及含二呋喃并噻唑二溴单体及其共轭聚合物、用途。所述含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物的结构式分别如式(Ⅰ)、式(Ⅱ)、式(Ⅲ)所示:其中,R1为C8~C20烷基,n≥1;其中,R2为C6~C20烷基;R3为C6~C20烷基或者氢,n≥1。本发明中的含全新的二呋喃并噻唑单元的共轭聚合物,是主链共轭的可溶液加工的低能隙半导体聚合物,薄膜光伏器件研究表明这类材料具有用作薄膜光伏器件的活性层材料的潜力,本体异质结光伏器件测试中,能量转化效率达到3.06%。

    N-酰基取代异靛蓝基的共轭聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN103304782B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201310176081.6

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 本发明公开了一种N-酰基取代异靛蓝基的共轭聚合物及其制备方法。所述共轭聚合物的结构式如式(I)所示:其中,R为含碳原子数6~20的烷烃链,100>n>1,Ar为式(II)、(III)或(IV)所示的结构式:该共轭聚合物中的N-酰基取代异靛蓝是由烷基酰氯与异靛蓝在吡啶的作用下反应生成。本发明的共轭聚合物主链中具有大π共轭体系,其侧链含有强烈吸电子的羰基与柔性促溶的烷基链;本发明涉及的共轭聚合物属于主链共轭的可溶液处理的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物,可用于制备OFETs器件。

    连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物及其制备、用途

    公开(公告)号:CN103467711B

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201310379799.5

    申请日:2013-08-27

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明提供了一种连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物及其制备、用途;所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示:其中50>n>1;本发明还涉及前述连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效;本发明的连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物主链含有柔性的易于分子链排列的双键羟吲哚基团和侧链为促进溶解性的烷基链,材料可溶液加工处理,且具有较低的能带隙,可以应用于光伏器件。

    萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途

    公开(公告)号:CN103304781A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310176074.6

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 本发明提供了一种萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途;所述半导体聚合物的结构式如式(Ⅰ)或(II)所示:其中,50>n>1;本发明还涉及前述萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效;原料易于合成制备,合成的成本低,得到的目标化合物纯度高;本发明的萘并二呋喃基的半导体聚合物主链具有刚性平面的大π共轭体系和侧链为柔性促溶的烷基链,材料可溶液加工处理,且具有低的能带隙,可以应用于光伏器件。

    N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途

    公开(公告)号:CN102807667A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201210144479.7

    申请日:2012-05-10

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途。所述共轭聚合物的结构式如下:其中,R为C6~C29烷基,n≥1。本发明还涉及所述N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管器件中的用途。本发明的N-酰基取代的苯并吡咯二酮基的共轭聚合物具有大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的酰基化侧链,是主链共轭的可溶液加工的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物;薄膜场效应晶体管器件研究表明这类材料具有薄膜场效应晶体管器件的应用潜力。

    稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物、制备方法及用途

    公开(公告)号:CN102584822A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201110418599.7

    申请日:2011-12-14

    Abstract: 本发明涉及一种稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物、制备方法及用途。所述稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物结构式如下,R1为C8~C12烷烃链;其中R2为氢,R3为三氟甲基;或者R2为三氟甲基,R3为氢;或者R2、R3同时为三氟甲基。本发明还涉及所述稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管中的用途。本发明的衍生物具有刚性平面的大π共轭体系和柔性促溶的烷基链,并引入兼具有吸电子性质、提高化合物溶解度和提高材料器件空气稳定性优点的三氟甲基基团,可以制备高电子迁移率的OTFT器件,是一种性能和稳定性均优异的n-型有机半导体材料,应用前景十分广泛。

    N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途

    公开(公告)号:CN102807667B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201210144479.7

    申请日:2012-05-10

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途。所述共轭聚合物的结构式如下:其中,R为C6~C29烷基,n≥1。本发明还涉及所述N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管器件中的用途。本发明的N-酰基取代的苯并吡咯二酮基的共轭聚合物具有大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的酰基化侧链,是主链共轭的可溶液加工的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物;薄膜场效应晶体管器件研究表明这类材料具有薄膜场效应晶体管器件的应用潜力。

    含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物、用途

    公开(公告)号:CN102702234B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201210141507.X

    申请日:2012-05-08

    Abstract: 本发明涉及含二呋喃并噻唑二溴单体及其共轭聚合物、用途。所述含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物的结构式分别如式(Ⅰ)、式(Ⅱ)、式(Ⅲ)所示:其中,R1为C8~C20烷基,n≥1;其中,R2为C6~C20烷基;R3为C6~C20烷基或者氢,n≥1。本发明中的含全新的二呋喃并噻唑单元的共轭聚合物,是主链共轭的可溶液加工的低能隙半导体聚合物,薄膜光伏器件研究表明这类材料具有用作薄膜光伏器件的活性层材料的潜力,本体异质结光伏器件测试中,能量转化效率达到3.06%。

    N-酰基取代异靛蓝基的共轭聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN103304782A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310176081.6

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 本发明公开了一种N-酰基取代异靛蓝基的共轭聚合物及其制备方法。所述共轭聚合物的结构式如式(I)所示:其中,R为含碳原子数6~20的烷烃链,100>n>1,Ar为式(II)、(III)或(IV)所示的结构式:该共轭聚合物中的N-酰基取代异靛蓝是由烷基酰氯与异靛蓝在吡啶的作用下反应生成。本发明的共轭聚合物主链中具有大π共轭体系,其侧链含有强烈吸电子的羰基与柔性促溶的烷基链;本发明涉及的共轭聚合物属于主链共轭的可溶液处理的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物,可用于制备OFETs器件。

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