一种波段选择性红外调控兼辐射冷却涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN117364025A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311160776.5

    申请日:2023-09-07

    Abstract: 本发明公开了一种波段选择性红外调控兼辐射冷却涂层及其制备方法,该涂层自下而上依次包括反射层以及纳米颗粒复合层;所述纳米复合层由介电常数近零陶瓷纳米粒子混合介质复合材料组成。该涂层的制备方法:(1)制备陶瓷纳米颗粒混合溶液;(2)在基底上沉积一层金属反射层;(3)在反射层上制备纳米颗粒复合层。与现有技术相比,本发明具有优异的波段选择性红外调控兼辐射冷却性能,其在5~8μm非大气探测窗口辐射率高达0.79‑0.82,3~5μm大气探测窗口红外辐射率为0.11‑0.16,8~14μm大气探测窗口红外辐射率为0.21‑0.25;通过简单的双层结构实现了热辐射调控,材料来源广泛,所采用的制备方法简便,制备流程简易,可实现大面积低成本的生产。

    N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途

    公开(公告)号:CN102807667B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201210144479.7

    申请日:2012-05-10

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途。所述共轭聚合物的结构式如下:其中,R为C6~C29烷基,n≥1。本发明还涉及所述N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管器件中的用途。本发明的N-酰基取代的苯并吡咯二酮基的共轭聚合物具有大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的酰基化侧链,是主链共轭的可溶液加工的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物;薄膜场效应晶体管器件研究表明这类材料具有薄膜场效应晶体管器件的应用潜力。

    含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物、用途

    公开(公告)号:CN102702234B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201210141507.X

    申请日:2012-05-08

    Abstract: 本发明涉及含二呋喃并噻唑二溴单体及其共轭聚合物、用途。所述含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物的结构式分别如式(Ⅰ)、式(Ⅱ)、式(Ⅲ)所示:其中,R1为C8~C20烷基,n≥1;其中,R2为C6~C20烷基;R3为C6~C20烷基或者氢,n≥1。本发明中的含全新的二呋喃并噻唑单元的共轭聚合物,是主链共轭的可溶液加工的低能隙半导体聚合物,薄膜光伏器件研究表明这类材料具有用作薄膜光伏器件的活性层材料的潜力,本体异质结光伏器件测试中,能量转化效率达到3.06%。

    PEA基复合材料及其制备方法、光学导电膜、可穿戴设备

    公开(公告)号:CN114015184B

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202111423701.2

    申请日:2021-11-26

    Abstract: 本发明公开一种PEA基复合材料及其制备方法、光学导电膜、可穿戴设备,涉及材料改性领域,以解决现有技术中不能同时具备良好的光学和电学应变响应的技术问题。本发明实施例的PEA基复合材料,所述PEA基复合材料采用如下配方制得:所述配方至少包括PS/PEA型核壳结构纳米微球、咪唑类离子液体与醇类的混合液。本发明还公开了一种包括上述PEA基复合材料光学导电膜、可穿戴设备。本发明提供的PEA基复合材料可制成柔性的导电复合材料膜,具备光学应变变色的性能,还具有导电性和应变电学响应特性。

    PEA基复合材料及其制备方法、光学导电膜、可穿戴设备

    公开(公告)号:CN114015184A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111423701.2

    申请日:2021-11-26

    Abstract: 本发明公开一种PEA基复合材料及其制备方法、光学导电膜、可穿戴设备,涉及材料改性领域,以解决现有技术中不能同时具备良好的光学和电学应变响应的技术问题。本发明实施例的PEA基复合材料,所述PEA基复合材料采用如下配方制得:所述配方至少包括PS/PEA型核壳结构纳米微球、咪唑类离子液体与醇类的混合液。本发明还公开了一种包括上述PEA基复合材料光学导电膜、可穿戴设备。本发明提供的PEA基复合材料可制成柔性的导电复合材料膜,具备光学应变变色的性能,还具有导电性和应变电学响应特性。

    N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途

    公开(公告)号:CN102807667A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201210144479.7

    申请日:2012-05-10

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途。所述共轭聚合物的结构式如下:其中,R为C6~C29烷基,n≥1。本发明还涉及所述N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管器件中的用途。本发明的N-酰基取代的苯并吡咯二酮基的共轭聚合物具有大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的酰基化侧链,是主链共轭的可溶液加工的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物;薄膜场效应晶体管器件研究表明这类材料具有薄膜场效应晶体管器件的应用潜力。

    稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物、制备方法及用途

    公开(公告)号:CN102584822A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201110418599.7

    申请日:2011-12-14

    Abstract: 本发明涉及一种稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物、制备方法及用途。所述稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物结构式如下,R1为C8~C12烷烃链;其中R2为氢,R3为三氟甲基;或者R2为三氟甲基,R3为氢;或者R2、R3同时为三氟甲基。本发明还涉及所述稠合三氟甲基的苯并咪唑萘酰亚胺衍生物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管中的用途。本发明的衍生物具有刚性平面的大π共轭体系和柔性促溶的烷基链,并引入兼具有吸电子性质、提高化合物溶解度和提高材料器件空气稳定性优点的三氟甲基基团,可以制备高电子迁移率的OTFT器件,是一种性能和稳定性均优异的n-型有机半导体材料,应用前景十分广泛。

    可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及制备方法

    公开(公告)号:CN102504213B

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201110361802.1

    申请日:2011-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及其制备方法。该全共轭聚合物结构式为:其中,R1为烷基,R2为氢或三氟甲基,n≥1。该制备方法为以二溴苯四羰基二亚胺和1,4二炔基苯或其衍生物为单体,在Heck反应条件下共聚反应,即得所述全共轭聚合物。与现有技术相比,本发明的聚合物,由于其分子中引入了强缺电子的苯四羰基二亚胺基团,使聚合物拥有很低的HUMO能级,所以此聚合物的亲电能力强;同时,此聚合物引入三键,降低了给体受体单元间的空间位阻,有利于其更规整地排列,所以含有此聚合物的场效应晶体管器件的电子迁移率将得到提高,因此在聚合物场效应晶体管、薄膜晶体管等方面有广泛的应用前景。

    含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物、用途

    公开(公告)号:CN102702234A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210141507.X

    申请日:2012-05-08

    Abstract: 本发明涉及含二呋喃并噻唑二溴单体及其共轭聚合物、用途。所述含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物的结构式分别如式(Ⅰ)、式(Ⅱ)、式(Ⅲ)所示:其中,R1为C8~C20烷基,n≥1;其中,R2为C6~C20烷基;R3为C6~C20烷基或者氢,n≥1。本发明中的含全新的二呋喃并噻唑单元的共轭聚合物,是主链共轭的可溶液加工的低能隙半导体聚合物,薄膜光伏器件研究表明这类材料具有用作薄膜光伏器件的活性层材料的潜力,本体异质结光伏器件测试中,能量转化效率达到3.06%。

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