聚噻吩衍生物及其合成方法

    公开(公告)号:CN101891879B

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201010257736.9

    申请日:2010-08-20

    Inventor: 张国兵 张清 胡超

    Abstract: 一种化工技术领域的聚噻吩衍生物及其合成方法,通过引入了强吸电子的二酰亚胺基团,大大降低了聚合物的HOMO能级,同时聚合方法简单、聚合条件温和。本发明的可溶性聚噻吩衍生物,是使用于光电组件上,如:有机薄膜晶体管、有机发光二极管或有机太阳能电池,该方法制成产物的结构式为:

    可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及制备方法

    公开(公告)号:CN102504213B

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201110361802.1

    申请日:2011-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及其制备方法。该全共轭聚合物结构式为:其中,R1为烷基,R2为氢或三氟甲基,n≥1。该制备方法为以二溴苯四羰基二亚胺和1,4二炔基苯或其衍生物为单体,在Heck反应条件下共聚反应,即得所述全共轭聚合物。与现有技术相比,本发明的聚合物,由于其分子中引入了强缺电子的苯四羰基二亚胺基团,使聚合物拥有很低的HUMO能级,所以此聚合物的亲电能力强;同时,此聚合物引入三键,降低了给体受体单元间的空间位阻,有利于其更规整地排列,所以含有此聚合物的场效应晶体管器件的电子迁移率将得到提高,因此在聚合物场效应晶体管、薄膜晶体管等方面有广泛的应用前景。

    可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及制备方法

    公开(公告)号:CN102504213A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201110361802.1

    申请日:2011-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种可溶性含苯四羰基二亚胺基团的全共轭聚合物及其制备方法。该全共轭聚合物结构式为:其中,R1为烷基,R2为氢或三氟甲基,n≥1。该制备方法为以二溴苯四羰基二亚胺和1,4二炔基苯或其衍生物为单体,在Heck反应条件下共聚反应,即得所述全共轭聚合物。与现有技术相比,本发明的聚合物,由于其分子中引入了强缺电子的苯四羰基二亚胺基团,使聚合物拥有很低的HUMO能级,所以此聚合物的亲电能力强;同时,此聚合物引入三键,降低了给体受体单元间的空间位阻,有利于其更规整地排列,所以含有此聚合物的场效应晶体管器件的电子迁移率将得到提高,因此在聚合物场效应晶体管、薄膜晶体管等方面有广泛的应用前景。

    聚噻吩衍生物及其合成方法

    公开(公告)号:CN101891879A

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:CN201010257736.9

    申请日:2010-08-20

    Inventor: 张国兵 张清 胡超

    Abstract: 一种化工技术领域的聚噻吩衍生物及其合成方法,通过引入了强吸电子的二酰亚胺基团,大大降低了聚合物的HOMO能级,同时聚合方法简单、聚合条件温和。本发明的可溶性聚噻吩衍生物,是使用于光电组件上,如:有机薄膜晶体管、有机发光二极管或有机太阳能电池,该方法制成产物的结构式为:

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