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公开(公告)号：CN114824391A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210365482.5
申请日：2022-04-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01M8/1025 , H01M8/1069 , C08G65/48
Abstract: 本发明公开了一种含三唑基长侧链的聚苯醚阴离子膜及其制备方法和应用，属于膜技术领域。该膜材料以聚苯醚作为主链，通过季铵盐炔基功能化、叠氮功能化以及Cu(I)催化叠氮化‑炔基环加成(CuAAC)反应，引入具有三唑基的长支链，离子化后制备的一种新型的碱性阴离子交换膜。通过引入具有三唑基的长支链，使膜具有良好的耐碱性、较高的离子传导率和优异的尺寸稳定性，同时三唑基团的引入，进一步提高了膜的氢氧根传导率，可作为碱性燃料电池用阴离子交换膜材料。
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公开(公告)号：CN112111050A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010923463.0
申请日：2020-09-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种含噻唑并噻唑单元的聚合物，其具有如下所述的结构式： 所述的聚合物为基于2,5‑双(3‑((2‑乙基己基)噻吩‑2‑基)噻唑并[5，4‑d]噻唑(CTZ)的聚合物。所述聚合物具有良好的溶解性，较好的热稳定性以及空气稳定性，所述聚合物失重5％的温度达284℃。载流子迁移率达到了该类型分子的最高水平，其氮气条件下，空穴迁移率达到2.3cm2V‑1s‑1；空气条件下，其迁移率达到1.5cm2V‑1s‑1。并且，该聚合物的合成处理简单高效利于大量制备。可广泛应用于有机太阳能电池、有机光电晶体管及有机场效应晶体管等领域，具有潜在的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN111961194A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010801937.4
申请日：2020-08-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种含联二炔基的交联空穴传输材料及其制备方法与用途，属于有机光电技术领域；所述空穴传输材料以4，4，-双(N-咔唑)-1，1，-联苯为母核，联二炔为交联基团的聚合物空穴传输材料。该材料在联二炔基聚合物在紫外光或加热的条件下发生自由基偶合反应，形成三维网络结构实现材料交联，得到具有抗溶剂性的交联材料，实现全溶液法制备发光器件。这种光交联方法不需要加入引发剂或催化剂，反应温度低、交联时间较短、反应过程无副产物、以及交联前后对空穴传输材料的电学及光学性质影响较小。本发明所得的交联空穴传输材料适合溶液法制备有机电致发光显示器件，在溶液法制备有机电子领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105418897B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510875894.3
申请日：2015-12-02
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了一种吲哚与噻吩共轭聚合物及其制备方法和用途，该聚合物的结构如式I所示：(I)，其中，R为C8～C24烷基链，X为S或Se，300≥n＞1。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：本发明提供的采用全新的合成方法，合成简单、成本低廉、而能量转化效率高，达到7.32％；可在给体材料的合成以及在太阳能倒置器件中应用，对太阳能电池技术的发展和应用具有极其重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106046330A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610457970.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , C08G61/126 , C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/18 , C08G2261/3223 , C08G2261/344 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , H01L51/0036
Abstract: 本发明涉及一种以丁二烯为空间隔离基团的共聚物及其制备方法和用途；本发明提供了一种如式I所示的共轭聚合物及其制备方法和用途，其中，R1为C8～C20烷基链，100≥n>1。式I化合物的制备方法为：将化合物EBI与化合物T在80～120℃下进行反应，得到式I化合物；该化合物与PC61BM共混作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。与现有技术相比，本发明披露的合成方法简单有效，合成的成本低；材料可溶液加工，可用于有机薄膜太阳能电池器件。
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公开(公告)号：CN103304782B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310176081.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08G61/12 , C07D495/04 , C07D519/00 , C07D409/14 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种N-酰基取代异靛蓝基的共轭聚合物及其制备方法。所述共轭聚合物的结构式如式(I)所示：其中，R为含碳原子数6～20的烷烃链，100＞n＞1，Ar为式(II)、(III)或(IV)所示的结构式：该共轭聚合物中的N-酰基取代异靛蓝是由烷基酰氯与异靛蓝在吡啶的作用下反应生成。本发明的共轭聚合物主链中具有大π共轭体系，其侧链含有强烈吸电子的羰基与柔性促溶的烷基链；本发明涉及的共轭聚合物属于主链共轭的可溶液处理的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物，可用于制备OFETs器件。
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公开(公告)号：CN103467711B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310379799.5
申请日：2013-08-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08G61/12 , C07D519/00 , H01L51/46
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了一种连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物及其制备、用途；所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示：其中50>n>1；本发明还涉及前述连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效；本发明的连二噻吩羟吲哚基的半导体聚合物主链含有柔性的易于分子链排列的双键羟吲哚基团和侧链为促进溶解性的烷基链，材料可溶液加工处理，且具有较低的能带隙，可以应用于光伏器件。
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公开(公告)号：CN103304781A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310176074.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08G61/12 , C07D519/00 , G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备方法、用途；所述半导体聚合物的结构式如式（Ⅰ）或（II）所示：其中,50＞n＞1；本发明还涉及前述萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效；原料易于合成制备，合成的成本低，得到的目标化合物纯度高；本发明的萘并二呋喃基的半导体聚合物主链具有刚性平面的大π共轭体系和侧链为柔性促溶的烷基链，材料可溶液加工处理，且具有低的能带隙，可以应用于光伏器件。
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公开(公告)号：CN102807667A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210144479.7
申请日：2012-05-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08G61/12 , C07D487/04 , H01L51/46
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途。所述共轭聚合物的结构式如下：其中，R为C6～C29烷基，n≥1。本发明还涉及所述N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管器件中的用途。本发明的N-酰基取代的苯并吡咯二酮基的共轭聚合物具有大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的酰基化侧链，是主链共轭的可溶液加工的低LUMO（最低未占有轨道）能级的低能隙聚合物；薄膜场效应晶体管器件研究表明这类材料具有薄膜场效应晶体管器件的应用潜力。
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