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公开(公告)号：CN115566050A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210471876.9
申请日：2022-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/15 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上延伸的鳍型有源区。栅极线在鳍型有源区上在第二横向方向上延伸。第二横向方向与第一横向方向交叉。沟道区在衬底和栅极线之间。源极/漏极区在鳍型有源区上与栅极线相邻，并具有面对沟道区的侧壁。超晶格阻挡物在衬底和沟道区之间。超晶格阻挡物与源极/漏极区接触。超晶格阻挡物具有包括掺有氧原子的半导体层的多个第一子层和包括未掺杂的半导体层的多个第二子层被交替堆叠的结构。
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公开(公告)号：CN104600070B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201410601952.9
申请日：2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/02645 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法，其中衬底结构包括：衬底；位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层；以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度，并且还提高了形成有该衬底结构的半导体器件的性能特征。
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公开(公告)号：CN104425620A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410443424.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ-Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
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公开(公告)号：CN101005195A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610121484.0
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/18383 , H01S3/08072 , H01S3/109 , H01S5/0213 , H01S5/024 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/18305
Abstract: 本发明提供了一种端泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。该VECSEL包括：散热器，用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散产生的热量；激光器芯片，设置在散热器上，并且由泵浦光束激发而发射第一波长的光束；倍频发生(SHG)晶体，其设置在激光器芯片上，并且将从激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束，其为第一波长的一半；和平面外腔，其直接形成在SHG晶体上，并且对第二波长的光束有预定的透射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119108397A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202311832327.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/48
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：下图案层，包括第一半导体材料；第一导电类型掺杂图案层，设置在下图案层上并且包括掺杂有第一导电类型杂质的半导体材料；源极/漏极图案，设置在第一导电类型掺杂图案层上并且包括掺杂有不同于第一导电类型杂质的第二导电类型杂质的半导体材料；沟道图案，包括半导体图案，半导体图案连接在源极/漏极图案之间，彼此隔开地堆叠，并包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料；以及栅极图案，设置在第一导电类型掺杂图案层上并在源极/漏极图案之间，并且围绕沟道图案。
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公开(公告)号：CN113725218A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110338820.1
申请日：2021-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的有源图案；在有源图案上的一对源极/漏极图案；在所述一对源极/漏极图案之间的沟道图案，该沟道图案包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案；以及栅电极，与沟道图案重叠并在第一方向上延伸。所述一对源极/漏极图案中的一个包括第一半导体层和其上的第二半导体层。第一半导体层与第一半导体图案接触，该第一半导体图案是堆叠的半导体图案之一。第一半导体图案、第一半导体层和第二半导体层在第一方向上的最大宽度分别是第一宽度、第二宽度、第三宽度，第二宽度大于第一宽度并且小于第三宽度。
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公开(公告)号：CN112687731A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010984326.8
申请日：2020-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案，在衬底上并在第一方向上延伸，第一有源图案的上部包括第一沟道图案；第一源极/漏极图案，在第一沟道图案的上部中的凹陷中；以及栅电极，在第一有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极在第一沟道图案的顶表面和侧表面上，其中每个第一源极/漏极图案包括依次提供在凹陷中的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第一沟道图案和第一至第三半导体层中的每个包括硅锗(SiGe)，第一半导体层具有比第一沟道图案的锗浓度和第二半导体层的锗浓度高的锗浓度。
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公开(公告)号：CN104425620B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201410443424.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ‑Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
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公开(公告)号：CN104425492B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201410442976.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/8249
Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体器件及其制造方法。在互补金属氧化物半导体器件中，缓冲层处于硅衬底上，包含第Ⅲ‑Ⅴ主族材料的第一层处于缓冲层上。包含第Ⅳ主族材料的第二层处于缓冲层或硅衬底上，且第二层与第一层间隔开。
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