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公开(公告)号：CN112786787A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011222305.9
申请日：2020-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及光电转换器件、传感器和电子设备。光电转换器件包括第一电极和第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层。所述光电转换层包括：第一材料和第二材料，所述第一材料和所述第二材料配置成形成pn结；以及不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料。所述第三材料包括吸电子基团。
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公开(公告)号：CN102682584B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210060447.9
申请日：2012-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔容硕
IPC: G08C17/02 , G08C23/04 , H04N21/422
CPC classification number: H03J1/0025 , H01H2009/0257
Abstract: 本发明提供一种遥控装置，该遥控装置包括：第一操作单元，包括第一按键部、第一控制单元以及第一发射单元，第一按键部具有当遥控装置处于第一模式时可操作的多个按键，第一控制单元产生与通过第一按键部的键输入对应的按键信号，第一发射单元向图像装置发射按键信号；及第二操作单元，包括第二按键部、第二控制单元以及第二发射单元，第二按键部设置在遥控装置的不同于第一按键部的一表面上，并具有当遥控装置处于第二模式时将被操纵的多个按键，第二控制单元产生与通过第二按键部的键输入对应的按键信号，第二发射单元向图像装置发射按键信号。
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公开(公告)号：CN102796246A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210162689.9
申请日：2012-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , B82Y10/00 , C08G61/126 , C08G2261/1426 , C08G2261/146 , C08G2261/3243 , C08G2261/414 , C08G2261/91 , C09B69/109 , H01B1/127 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L51/4253 , Y02E10/50 , Y02E10/549
Abstract: 提供包含由化学式1表示的部分A的聚合物和包含该聚合物的太阳能电池，其中，在化学式1中，X1为包含至少两个酯残基和连接所述酯残基的取代或未取代的二价脂族基团的官能团，和X2为氢、卤素原子、取代或未取代的C1~C20脂族基团、羟基、取代或未取代的C1~C20烷氧基、取代或未取代的C1~C30酮基、取代或未取代的C1~C20酯基、硫醇基、-SR100及其组合之一，其中R100为取代或未取代的C1~C20脂族基团、取代或未取代的C2~C30芳族基团、和取代或未取代的C2~C30杂环烷基之一。[化学式1]
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公开(公告)号：CN100552978C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610009391.9
申请日：2006-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/40 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7885 , G11C16/0425 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42328
Abstract: 披露了分裂栅极存储单元及制造其阵列的方法，该存储单元包括：形成于半导体衬底中的第一和第二扩散区；在第一和第二扩散区之间形成于半导体衬底上的浮置栅电极，其中浮置栅电极的第一侧与所述第一扩散区的一部分重叠；在浮置栅电极的第二侧和第二扩散区之间形成于半导体衬底上的控制栅电极；设置于控制栅电极和浮置栅电极的第二侧之间的隧穿介质层；形成于半导体衬底中的第一扩散区上且与所述浮置栅电极的第一侧相邻的耦合栅电极；以及设置于耦合栅电极和浮置栅电极的第一侧之间的耦合介质层，其中耦合介质层的厚度小于隧穿介质层的厚度。这样的分裂栅极储存器件具有的架构提供增强的浮置栅极耦合比，由此能够提高写入和擦除效率和性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101118293A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710149419.3
申请日：2007-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B5/02 , G02F1/13357
CPC classification number: G02B5/0278 , G02B5/021 , G02B5/0215 , G02B5/0242 , G02F1/133382 , G02F1/133606 , G02F2201/36
Abstract: 一种混合散射板包括多个彼此面对并且散射光线的亚散射板、具有比该亚散射板更低的导热率并且分别置于每对相邻亚散射板之间的绝热层，以及沿边缘施加到每对相邻的亚散射板之间而将亚散射板彼此粘合的密封剂。
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公开(公告)号：CN1638099A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410081976.2
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/8246 , H01L27/115 , H01L27/105 , H01L29/788
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/42328
Abstract: 本发明公开一种包括形成在半导体基底上的通道介电层、浮动栅层、层间介电层和至少两个模层的闪存器件及其制造方法。通过顺序对所述层布图，形成彼此对准的第一模层布图和浮动栅层布图。有选择地横向蚀刻第一模层布图的侧面的露出部分，从而形成在其侧面内具有凹槽的第一模层第二布图。在半导体基底上形成邻近浮动栅层布图的栅介电层。在栅介电层上形成控制栅，该控制栅的宽度由所述第二模层布图中的凹槽预定。通过除去第一模层第二布图，在控制栅的侧壁上形成间隔件。使用所述间隔件作为蚀刻掩膜有选择地蚀刻层间介电层的露出部分和浮动栅层布图，从而形成浮动栅，其宽度由所述凹槽和间隔件的宽度决定。
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公开(公告)号：CN119626971A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410334684.2
申请日：2024-03-22
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及静电吸盘制造方法，更详细地，涉及将温度偏差最小化的静电吸盘的制造方法。本发明包括：步骤(S10)，在包括陶瓷原材料且上部具有ESC电极的底座的下部沉积金属形成金属层；以及步骤(S20)，利用光刻工序在上述金属层形成图案来形成加热器电极。本发明具有可均匀地加热晶片的效果，并且，具有在制造成成品之前中间产品阶段中可执行电阻测定的效果。
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公开(公告)号：CN109942529B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201811464011.X
申请日：2018-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D307/94 , C07D209/96 , C07D333/78 , C07D345/00 , C07F7/08 , C07C13/72 , C23C14/12 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K85/20 , H10K30/60
Abstract: 公开富勒烯衍生物、薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基，所述薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备包括所述富勒烯衍生物。在化学式1中，X、Ar、和R1‑R3与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#
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