公开(公告)号：CN111196799A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911127111.8

申请日：2019-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  崔容硕 ,  松尾豊

IPC: C07D333/78 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 公开了富勒烯衍生物、以及包括其的有机光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基。在化学式1中，X、Ar、R1-R3、a、b、和c与详细的说明书中所定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN111196799B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN201911127111.8

申请日：2019-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  崔容硕 ,  松尾豊

IPC: C07D333/78 ,  H10K85/20 ,  H10K30/60 ,  H10K39/32

Abstract: 公开了富勒烯衍生物、以及包括其的有机光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基。在化学式1中，X、Ar、R1‑R3、a、b、和c与详细的说明书中所定义的相同。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN109942529B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201811464011.X

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  石井宽人 ,  崔容硕 ,  松尾豊

IPC: C07D307/94 ,  C07D209/96 ,  C07D333/78 ,  C07D345/00 ,  C07F7/08 ,  C07C13/72 ,  C23C14/12 ,  H10K85/60 ,  H10K85/40 ,  H10K85/20 ,  H10K30/60

Abstract: 公开富勒烯衍生物、薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基，所述薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备包括所述富勒烯衍生物。在化学式1中，X、Ar、和R1‑R3与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN111952452A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010411126.3

申请日：2020-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  白铁 ,  松尾豊 ,  尹晟荣 ,  林宣晶 ,  申智琇 ,  李启滉 ,  崔容硕 ,  崔泰溱 ,  洪慧林

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146

Abstract: 公开了N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备，所述N型半导体组合物包括：富勒烯或富勒烯衍生物；和由化学式1表示的富勒烯子单元衍生物。在化学式1中，X、Cy和R1-R8与详细描述中所定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN109942529A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811464011.X

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  石井宽人 ,  崔容硕 ,  松尾豊

IPC: C07D307/94 ,  C07D209/96 ,  C07D333/78 ,  C07D345/00 ,  C07F7/08 ,  C07C13/72 ,  C23C14/12 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 公开富勒烯衍生物、薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备，所述富勒烯衍生物包括由化学式1表示的取代基，所述薄膜、光电器件、图像传感器、和电子设备包括所述富勒烯衍生物。在化学式1中，X、Ar、和R1-R3与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]