公开(公告)号：CN118412293A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410092266.7

申请日：2024-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李旻洙 ,  姜旼秀 ,  尹详皓 ,  黄灿

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: 提供了检测图案重叠的方法和使用其形成图案的方法。该检测图案重叠的方法包括在衬底上形成下图案和上图案。绘制与下图案有公切线的样本图案。使用公切线计算下图案的真实重心的位置。

公开(公告)号：CN117991595A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311340097.6

申请日：2023-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭旻哲 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种光刻方法。光刻系统包括光源、光掩模台、投影光学系统和晶片台，并且投影光学系统包括变形透镜。在该光刻方法中，晶片和光掩模被各自安装在晶片台和光掩模台上，并且使用所述光掩模来执行第一曝光工艺，以将光掩模中所包括的图案的布局转移到晶片的第一半场。改变光掩模相对于晶片的相对位置，并且执行第二曝光工艺，以将光掩模中所包括的图案的布局转移到晶片的第二半场。

公开(公告)号：CN117991582A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311458657.8

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋玟承 ,  金壮勋 ,  尹详皓 ,  黄灿

IPC: G03F1/70 ,  G03F1/22

Abstract: 一种制造极紫外掩模的方法，包括：准备初步布局；通过使用经由使用初步布局而形成的多个初步间隔物图案来形成多个初步目标图案；评估所述多个初步目标图案之中的异常目标图案的存在或不存在；当所述多个初步目标图案包括异常目标图案时，通过修改初步布局来准备配置为形成多个间隔物图案的布局；以及用所述布局制造极紫外掩模以通过使用所述多个间隔物图案形成多个目标图案，其中，所述多个初步间隔物图案在一个方向上延伸。

公开(公告)号：CN117855075A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311280807.0

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭仁浩 ,  金真善 ,  李茂松 ,  李承润 ,  李汀镇 ,  黄灿 ,  朴道炫 ,  韩睿恩

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开一种重叠测量方法，在该重叠测量方法中，提供具有编程的重叠值的重叠标记。用电子束扫描重叠标记以获得电压对比图像。从电压对比图像数据获得根据重叠值而变化的缺陷函数。对缺陷函数执行自互相关以确定重叠。

公开(公告)号：CN117452763A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310912279.X

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵亨钟 ,  黄炫晶 ,  金熙范 ,  沈星辅 ,  李承润 ,  郑羽容 ,  黄灿

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/42

Abstract: 本公开提供了反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法。一种在EUV曝光工艺中使用的反射掩模包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案，并且抗反射图案包括在对准标记区域中具有预定线宽的线和间隔图案。