公开(公告)号：CN108231773A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711223457.9

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真雅 ,  李善荣 ,  金容宽 ,  金志永 ,  赵昶贤

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10885 ,  H01L22/26 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10882

Abstract: 一种制造半导体器件的方法。单元区域和核心区域被限定在衬底中。设置在单元区域中的位线结构被提供。设置在核心区域中的栅极结构被提供，以及设置在栅极结构上的核心盖膜被提供。核心盖膜的高度大于位线结构的高度。第一接触膜在位线结构上被形成。第二接触膜在核心盖膜上被形成。掩模在第一接触膜上被形成。核心盖膜的上表面使用掩模被暴露。第一接触膜使用蚀刻工艺被蚀刻直到第一接触膜的高度变得小于位线结构的高度。在蚀刻工艺中，对于第一接触膜的蚀刻速率大于对于位线结构和核心盖膜的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN102956645B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201210292295.5

申请日：2012-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容宽 ,  黄荣南

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/101 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436

Abstract: 本发明公开一种数据存储装置及其制造方法，该数据存储装置可包括：衬底；晶体管，位于衬底上，晶体管包括栅线结构；以及导电隔离图案，限定晶体管的有源区。每个导电隔离图案包括埋入衬底中的至少一部分，并且导电隔离图案彼此电性连接。

公开(公告)号：CN103633145A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310367400.1

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南奇亨 ,  P.赵 ,  金容宽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/78 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：基板，包括二维布置的有源部分；器件隔离图案，沿有源部分的侧壁延伸，每个器件隔离图案包括第一和第二器件隔离图案；跨过有源部分和器件隔离图案延伸的栅图案，每个栅图案包括栅绝缘层、栅线和栅覆盖图案；以及分别在有源部分上的欧姆图案。第一器件隔离图案的顶表面可以低于第二器件隔离图案的顶表面，栅绝缘层的顶表面可以低于栅覆盖图案的顶表面，欧姆图案可以包括在第一绝缘层上的延伸部。

公开(公告)号：CN101320577B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810142887.2

申请日：2008-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 西蒙·比尔曼 ,  张银珠 ,  田信爱 ,  洪承范 ,  金容宽

IPC: G11B9/02

CPC classification number: G11B9/02

Abstract: 提供一种具有铁电纳米点的铁电信息存储介质和一种制造该铁电信息存储介质的方法。该铁电信息存储介质包括衬底，形成在衬底上的电极，以及形成在电极上的铁电纳米点，其中铁电纳米点彼此相互分离，并且多个铁电纳米点形成单个位区。

公开(公告)号：CN101241727B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200810005438.3

申请日：2008-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承范 ,  西蒙·比尔曼 ,  田信爱 ,  左圣薰 ,  张银珠 ,  金容宽

IPC: G11B9/10

CPC classification number: G11B5/7325 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B9/02 ,  G11B9/08 ,  G11B9/1472

Abstract: 本发明公开了一种使用纳米晶粒子的信息存储介质、该信息存储介质的制造方法以及包含该信息存储介质的信息存储设备。该信息存储介质包括：导电层；第一绝缘层，形成于该导电层上；纳米晶层，形成于该第一绝缘层上并包括可以俘获电荷的导电纳米晶粒子；以及第二绝缘层，形成于该纳米晶层上。