公开(公告)号：CN120021408A

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202410906702.X

申请日：2024-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  柳淀春 ,  金洸奭 ,  朴盛健 ,  李昇宰

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10B61/00

Abstract: 提供了磁隧道结元件和包括磁隧道结元件的存储器件。磁隧道结元件包括：彼此面对的钉扎层和自由层；在钉扎层上的缓冲层；在缓冲层上的辅助层；在辅助层和自由层之间的极化增强层；以及在极化增强层和自由层之间的隧道阻挡层，其中缓冲层为非晶态并且包括CoFeBX，并且X为W、Mo、Re或Ta，辅助层包括W、Mo或Ta。

公开(公告)号：CN118843322A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202311646466.4

申请日：2023-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金洸奭 ,  朴盛健 ,  柳淀春

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10N50/85

Abstract: 一种磁存储器件包括：(i)参考磁性图案和自由磁性图案，其相对于衬底的表面被垂直对齐地堆叠，以及(ii)隧道势垒图案，其在参考磁性图案与自由磁性图案之间延伸。参考磁性图案包括：第一钉扎图案和第二钉扎图案，第二钉扎图案在第一钉扎图案与隧道势垒图案之间延伸；以及交换耦合图案，其在第一钉扎图案与第二钉扎图案之间延伸并将第一钉扎图案和第二钉扎图案彼此反铁磁地耦合。第一钉扎图案包括第一磁性图案和第二磁性图案，第二磁性图案在第一磁性图案与交换耦合图案之间延伸。第一磁性图案和第二磁性图案中的一者包括：钴、铂、和包括Nb、Cr、Mo、W、Zr、Hf和Ti中的至少一者的第一非磁性元素，而第一磁性图案和第二磁性图案中的另一者包括钴。

公开(公告)号：CN117063460A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280024189.0

申请日：2022-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  李海权

IPC: H04M1/17

Abstract: 根据本公开的各种实施例的电子装置可以包括：第一结构；第二结构，容纳第一结构的至少一部分并且引导第一结构的滑动运动；柔性显示器，包括连接到第一结构的第一区域和从第一区域延伸并能够弯曲的第二区域；以及清扫器构件，附接到柔性显示器的第二区域的一个端部，并形成为响应于柔性显示器的滑动运动沿着第二结构的内部可滑动地移动。

公开(公告)号：CN111192955A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910850336.X

申请日：2019-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金柱显 ,  吴世忠 ,  皮雄焕

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁存储器件包括：第一导线，在基板上沿第一方向延伸；第一磁图案，在所述第一导线上，所述第一磁图案包括具有不同厚度的第一部分和第二部分；以及第二导电线，在第一磁图案上，并且沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN109494236A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811055002.5

申请日：2018-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴基喆 ,  金基雄 ,  石瀚率 ,  权炳昊 ,  尹普彦

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括在半导体衬底上的选择晶体管、覆盖选择晶体管的层间绝缘层、联接到选择晶体管的漏极区域并构造为穿透层间绝缘层的下接触插塞、以及联接到下接触插塞的磁隧道结图案。下接触插塞可以包括金属图案以及与金属图案的顶表面接触的盖金属图案。盖金属图案可以包括具有比金属图案的顶表面的表面粗糙度小的表面粗糙度的顶表面。磁隧道结图案可以包括底电极和顶电极、在顶电极与底电极之间的下磁层和上磁层、以及在下磁层与上磁层之间的隧道势垒层。

公开(公告)号：CN104347796B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201410370250.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑塡 ,  金基雄 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 提供了一种磁存储装置，所述磁存储装置可以包括通过隧道阻挡件彼此分隔开的自由磁结构和参考磁结构。自由磁结构可以包括交换耦合层以及通过交换耦合层彼此分隔开的第一自由层和第二自由层。第一自由层可以设置在第二自由层和隧道阻挡件之间。第一自由层的厚度可以大于第一最大各向异性厚度，第一最大各向异性厚度是第一自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。第二自由层的厚度可以小于第二最大各向异性厚度，第二最大各向异性厚度是第二自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。具有不同厚度的两个自由层的磁隧道结能够实现具有提高的MR比率和减小的切换电流的磁存储装置。

公开(公告)号：CN108023015A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710983541.4

申请日：2017-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  金基雄 ,  朴相奂 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01F10/12 ,  H01F10/3204 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 公开磁存储器件。磁存储器件包括参考磁结构、自由磁结构、以及在参考磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒图案。参考磁结构包括第一被钉扎图案、在第一被钉扎图案和隧道势垒图案之间的第二被钉扎图案、以及在第一和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案。第二被钉扎图案包括邻近交换耦合图案的第一磁图案、邻近隧道势垒图案的第二磁图案、在第一和第二磁图案之间的第三磁图案、在第一和第三磁图案之间的第一非磁图案、以及在第二和第三磁图案之间的第二非磁图案。第一非磁图案具有与第二非磁图案不同的晶体结构，且第三磁图案的至少一部分是非晶的。

公开(公告)号：CN107611256A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710056924.7

申请日：2017-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金起园 ,  吴世忠 ,  朴容星 ,  金柱显

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 磁器件包括自由层；钉扎层；隧道势垒，设置在自由层和钉扎层之间；极化增强层，设置在隧道势垒和钉扎层之间；以及阻挡层，设置在极化增强层和钉扎层之间，其中阻挡层包括第一扩散陷阱层和设置在第一扩散陷阱层上的第二扩散陷阱层。

公开(公告)号：CN103633240A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310366932.3

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  金基雄 ,  金英铉 ,  金晥均 ,  朴相奂

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。