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公开(公告)号:CN112236992B
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN201980038080.0
申请日:2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:壳体,其包括第一板、背向第一板的第二板、以及围绕第一板与第二板之间的空间的侧构件;第一PCB,其在第一板与第二板之间的空间中与第一板平行布置,并且包括面向第一板的第一面和面向第二板的第二面;形成在第二面上的至少一个导电板;被嵌入在第一PCB中的第一导电图案,当从第一板的上方观察时,第一导电图案被布置成比导电板更靠近侧构件的一部分;以及安装在第一PCB的第一面上并电耦合到导电板和第一导电图案的第一无线通信电路。
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公开(公告)号:CN109841964B
公开(公告)日:2022-05-10
申请号:CN201811438154.3
申请日:2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01Q21/00 , H01Q21/06 , H01Q19/10 , H01Q9/04 , H01Q1/50 , H01Q1/48 , H01Q1/38 , H01Q1/24 , H01Q1/22
Abstract: 公开了一种包括天线的电子装置。提供了一种电子装置。所述电子装置包括:壳体,其中,壳体包括:第一板体、面向第一板体并且与第一板体间隔开的第二板体、以及围绕第一板体与第二板体之间的空间的侧构件,其中,第二板体包括非导电材料;至少一个天线元件,布置在所述空间内并且布置在与第二板体平行的基板上,其中,所述至少一个天线元件与第二板体间隔开间隙h;以及无线通信电路,与天线元件电连接并且被配置为发送和/或接收具有从20GHz到100GHz的频率以及与所述频率相应的波长的信号,其中,间隙h与相应,其中,n是整数并且λ是波长。
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公开(公告)号:CN111386692B
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN201880076661.9
申请日:2018-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 电子装置包括:第一导电板;与第一导电板间隔开并平行于第一导电板设置的第二导电板;设置在第一导电板和第二导电板之间的空间中的导电元件;无线通信电路,其与第一导电板和导电元件电连接;以及印刷电路板,与第一导电板的至少一侧、第二导电板的至少一侧以及导电元件的一端联接。无线通信电路被配置为使用第一导电板和第二导电板发送/接收具有垂直极化特性的第一射频(RF)信号,并使用导电元件发送/接收具有水平极化特性的第二RF信号。
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公开(公告)号:CN111406443A
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN201880076674.6
申请日:2018-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开的各种实施例,一种电子装置可以包括:壳体,包括第一板和第二板;印刷电路板,具有第一表面和第二表面;以及通信电路,布置在壳体内。印刷电路板可以包括:在第一表面和第二表面之间彼此层叠的多个绝缘层;天线元件,当从印刷电路板的第二表面上方看时布置在第一区域中且在印刷电路板的第二表面之上或在印刷电路板的第一对绝缘层之间;以及多个第一导电图案,布置在至少围绕第一区域的一个表面的第二区域中。各种实施例是可能的。
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公开(公告)号:CN109256612A
公开(公告)日:2019-01-22
申请号:CN201810768243.8
申请日:2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种天线装置,其包括布置成阵列的多个天线辐射器、与多个天线辐射器可操作通信的接地构件、布置在多个天线辐射器上的多个导电单元以及电连接到多个天线辐射器的多个馈电线。
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公开(公告)号:CN103823917B
公开(公告)日:2018-08-07
申请号:CN201310574528.5
申请日:2013-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5068 , G06F2217/40 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73257 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331
Abstract: 提供了种用于使用计算系统设计半导体封装的系统,该系统包括:虚拟堆叠模块,被配置为接收第芯片的布局参数、第二芯片的布局参数、以及封装基板的布局参数,并且响应于第芯片、第二芯片、和封装基板的布局参数在封装基板上生成多个虚拟布局,其中第和第二芯片堆叠在所述多个虚拟布局中;建模模块,被配置为响应于所述虚拟布局对第和第二芯片以及封装基板的操作参数建模;和特性分析模块,被配置为响应于所建模的操作参数分析所述虚拟布局的操作特性。
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公开(公告)号:CN103823917A
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201310574528.5
申请日:2013-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5068 , G06F2217/40 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73257 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331
Abstract: 提供了一种用于使用计算系统设计半导体封装的系统,该系统包括:虚拟堆叠模块,被配置为接收第一芯片的布局参数、第二芯片的布局参数、以及封装基板的布局参数,并且响应于第一芯片、第二芯片、和封装基板的布局参数在封装基板上生成多个虚拟布局,其中第一和第二芯片堆叠在所述多个虚拟布局中;建模模块,被配置为响应于所述虚拟布局对第一和第二芯片以及封装基板的操作参数建模;和特性分析模块,被配置为响应于所建模的操作参数分析所述虚拟布局的操作特性。
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公开(公告)号:CN102759827A
公开(公告)日:2012-10-31
申请号:CN201110396571.8
申请日:2011-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G09G3/3659 , G09G2300/0439 , G09G2300/0447 , G09G2300/0814 , G09G2300/0876 , G09G2320/028
Abstract: 根据本发明的示范性实施例的一种液晶显示器包括:绝缘基板;第一栅极线和第二栅极线,形成在该绝缘基板上;数据线,交叉该第一栅极线和该第二栅极线;多个像素,分别包括连接到第一栅极线和数据线的第一子像素和第二子像素;第一开关元件,连接到该第一栅极线且控制连接到该第一子像素的第一子像素电极的第一电容器的电压;以及第二开关元件,连接到该第二栅极线且控制该第一电容器的电压。
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公开(公告)号:CN102466935A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201110089192.4
申请日:2011-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/134336 , G02F1/136209 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/134345 , G02F2001/136218 , G09G3/3648 , G09G2300/0447 , G09G2320/028
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器。该液晶显示器包括:第一基板;第二基板,面对第一基板;液晶层,插设在第一基板与第二基板之间并包括液晶分子;位于第一基板上的栅极线;设置在第一基板上并与栅极线交叉的数据线;第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,连接到栅极线和数据线;第三薄膜晶体管,连接到栅极线和第二薄膜晶体管;参考电压线,连接到第三薄膜晶体管;以及像素电极,包括连接到第一薄膜晶体管的第一子像素电极和连接到第二薄膜晶体管的第二子像素电极。
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公开(公告)号:CN101814508A
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN201010126199.4
申请日:2010-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/11565 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供一种具有选择晶体管的集成电路存储器器件。在该半导体存储器器件中,下选择栅控制第一沟道区和第二沟道区,所述第一沟道区限定在半导体衬底处,所述第二沟道区限定在半导体衬底上设置的有源图案的下部处。第一沟道区的第一阈值电压与第二沟道区的第二阈值电压不同。
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