公开(公告)号：CN1574282A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047416.5

申请日：2004-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹喆柱 ,  郑泰荣

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/30 ,  H01L21/822 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种利用牺牲掩模层形成自对准接触结构的方法。该方法包括在半导体衬底上形成多个平行互连图形。每个互连图形分别具有顺序层叠的互连和掩模图形。形成层间绝缘层图形以填充互连图形之间的间隙区域。部分蚀刻掩模图形，以形成确定层间绝缘层图形之间的凹槽的凹掩模图形。然后，形成用于填充凹槽的牺牲掩模图形。利用牺牲掩模图形作为蚀刻掩模，蚀刻层间绝缘层图形的预定区域，以形成露出半导体衬底的预定区域的自对准接触孔。由自对准接触孔的侧壁形成隔离片。在自对准接触孔内形成被隔离片包围的栓塞。

公开(公告)号：CN1177353C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01110990.4

申请日：2001-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹亨洙 ,  李圭现 ,  郑泰荣 ,  金奇南 ,  黄有商

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供一种具有低电阻同时能够形成自对准接触焊盘的金属镶嵌栅电极。具有间隔层和间隔层限定的沟槽的绝缘体提供在半导体衬底上。杂质注入到由沟槽露出的半导体衬底内，形成沟道区。沟槽由导电材料部分地填充形成凹陷的栅电极。沟槽的其余部分由相对于绝缘层有腐蚀选择性的绝缘体填充，形成覆盖栅电极和间隔层的帽盖层。因此，帽盖层作为随后自对准接触工艺中的腐蚀中止层。

公开(公告)号：CN1536669A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN03147820.4

申请日：2003-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泰荣 ,  李宰求 ,  朴济民

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体设备包括半导体衬底和形成于半导体衬底之上的中间绝缘层。中间绝缘层优选地包含一个接触焊盘。电容器下电极与接触焊盘电连接。电容器下电极还包括与接触焊盘相连的焊盘形状存储节点；和置于焊盘形状存储节点之上的杯状存储节点。使用这种方法，可以增加电容容量并降低非开放接触。同样可显著减少发生存储节点倾斜问题的机率。

公开(公告)号：CN1319881A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01110990.4

申请日：2001-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹亨洙 ,  李圭现 ,  郑泰荣 ,  金奇南 ,  黄有商

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供一种具有低电阻同时能够形成自对准接触焊盘的金属镶嵌栅电极。具有间隔层和间隔层限定的沟槽的绝缘体提供在半导体衬底上。杂质注入到由沟槽露出的半导体衬底内,形成沟道区。沟槽由导电材料部分地填充形成凹陷的栅电极。沟槽的其余部分由相对于绝缘层有腐蚀选择性的绝缘体填充,形成覆盖栅电极和间隔层的帽盖层。因此,帽盖层作为随后自对准接触工艺中的腐蚀中止层。

公开(公告)号：CN1090090A

公开(公告)日：1994-07-27

申请号：CN93120817.3

申请日：1993-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永帝 ,  郑泰荣 ,  朴钟佑 ,  金荣毕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/86 ,  H01L21/26533 ,  H01L28/87 ,  H01L28/88

Abstract: 一种半导体存储器的制造方法，其中，提供具有双翅状结构的一种电容器。在由导电层组成的两翅片之间，通过施加能够被湿法腐蚀的厚层平面材料形成存储电极。因此，能够解决由常规结构中的不良台阶差所引起的光刻工艺问题。另外，采用腐蚀速率较大的薄的高温氧化膜形成存储电极。于是改善了单元的构形和减少了存储电极的损坏。