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公开(公告)号：CN110910925A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910837939.6
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可提供一种存储器装置，包括：包括第一磁电阻存储器单元的正常存储器单元阵列，第一磁电阻存储器单元连接到第一位线、第一源极线和第一字线，并被构造为通过第一字线接收选择电压；包括第二磁电阻存储器单元的监视器存储器单元阵列，第二磁电阻存储器单元连接到第一信号线和第二信号线，第二磁电阻存储器单元的单元晶体管的栅极被构造为接收非选择电压；和体偏置发生器，其被构造为感测流过第一信号线的泄漏电流，并基于泄漏电流控制提供到第一磁电阻存储器单元的单元晶体管的体和第二磁电阻存储器单元的单元晶体管的体中的每个的体电压。
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公开(公告)号：CN106486153B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201610768898.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 一种半导体存储器件包括存储单元中的短路可变电阻器元件。所述半导体存储器件包括：主单元和参考单元，其每个包括单元晶体管和可变电阻器元件。通过施加磁性隧道结(MTJ)元件的击穿电压、并联地连接到导电通孔元件、连接到在单元晶体管与可变电阻器元件之间的节点处的参考位线或者利用导电通孔元件替换可变电阻器元件，使所述参考单元的可变电阻器元件短路。感测放大器通过检测和放大在主单元的位线中流动的电流以及在参考电阻器所连接到的参考位线中流动的电流，来提高主单元的感测容限。
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公开(公告)号：CN109461466A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201810886322.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种电阻式存储器器件包括：电压发生器，根据写入使能信号的激活生成写入字线电压；开关电路，响应于写入使能信号输出写入字线电压和读取字线电压中的一个作为输出电压；字线功率路径，连接到开关电路以接收输出电压；以及根据施加到字线功率路径的电压驱动字线的字线驱动器，其中写入命令在写入使能信号激活之后的特定延迟之后开始被接收，并且响应于所接收的写入命令在写入使能信号的激活时段内执行写入操作。
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公开(公告)号：CN1822224B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510131599.3
申请日：2005-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/406 , G11C7/00 , G06F12/00
CPC classification number: G11C11/406 , G06F13/1636 , G11C11/40603 , G11C11/40607 , G11C11/40618
Abstract: 一种集成电路存储器装置包括在存储器系统中的多个存储器与一个刷新控制器。刷新控制器被配置来生成刷新请求信号。多个存储器包括对刷新请求信号作出响应的多个存储器的存储体。附加的存储器包括缓冲器单元，其被配置来响应从多个存储器的存储体的第一个存储体收到刷新-访问中断信号，生成给多个存储器的存储体的第一个存储体的刷新指示信号，并接收对多个存储器的存储体的第一个存储体进行寻址的缓冲器写数据。多个存储器的存储体和该缓冲器单元可以是分开的DRAM芯片。
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公开(公告)号：CN109542666B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811106617.6
申请日：2018-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种用于支持纠错码的装置及其测试方法。一种根据本发明构思的示例实施例的用于支持用于存储器测试的测试模式的装置可包括：存储器，被配置为接收并存储写入数据，并且从存储的写入数据输出读取数据；纠错码(ECC)引擎，被配置为通过对输入数据进行编码来生成写入数据，并且当N是正整数时，通过校正包括在接收数据中的N位或更少位的错误位来生成输出数据；错误插入电路，被配置为在正常模式下将读取数据作为接收数据提供给ECC引擎，并且在测试模式下将通过使读取数据的小于N位的至少一个位反相而获得的数据作为接收数据提供给ECC引擎。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115223625A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210423510.4
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器设备，包括：控制逻辑电路，基于写入命令生成写入使能信号；第一存储器单元，与第一字线和第一列线连接；第一写入电路，通过第一写入输入/输出线接收要存储在第一存储器单元中的第一写入数据，并响应于写入使能信号，基于第一写入数据向第一数据线施加写入电压；以及第一列复用器电路，响应于第一列选择信号选择第一列线并将第一列线与第一数据线连接，使得将写入电压施加到第一存储器单元。第一写入电路响应于写入使能信号而向第一列复用器电路的块体端口施加写入电压。
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公开(公告)号：CN114974377A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210176283.X
申请日：2022-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可以提供一种非易失性存储设备，包括包含多个非易失性存储单元的存储单元阵列和通过字线与存储单元阵列连接的行译码器。行译码器可以被配置为响应于接收到第一行地址和第一命令，对字线当中与第一行地址相对应的第一字线预充电，并且响应于接收到与第一行地址相同的第二行地址和跟随在第一命令之后的第二命令，保持第一字线的预充电状态。
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公开(公告)号：CN110890113A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910680939.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括第一非易失性存储器设备和第二非易失性存储器设备的存储设备及其操作方法。该方法包括：检测突然断电；响应于检测到的突然断电，暂停第一非易失性存储器设备中正在执行的操作；将关于所暂停操作的暂停信息写入第二非易失性存储器设备；并且在突然断电之后的通电时，基于写入第二非易失性存储器设备的暂停信息，对第一非易失性存储器设备执行块管理操作。
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公开(公告)号：CN109509497A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811072218.2
申请日：2018-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置被配置成响应于读取命令来输出存储在存储单元中的值，所述电阻式存储器装置包括：单元阵列，包括所述存储单元及参考单元；参考电阻电路，被配置成电连接到所述参考单元；偏移电流源电路，被配置成对被提供到所述参考电阻电路的读取电流加上偏移电流或者从被提供到所述参考电阻电路的所述读取电流汲取所述偏移电流；以及控制电路，被配置成控制所述偏移电流源电路来补偿所述存储单元的电阻的变化。本发明的电阻式存储器装置通过补偿存储单元的电阻的变化来准确地读取存储在存储单元中的值。
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公开(公告)号：CN109390017A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810908939.6
申请日：2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/24
Abstract: 本申请提供了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元，其包括存储器单元和伪单元；行解码器，其通过字线连接至存储器单元；伪字线偏置电路，其通过伪字线连接至伪单元；写驱动器和读出放大器，其通过位线连接至存储器单元；以及伪位线偏置电路，其通过伪位线连接至伪单元。伪字线偏置电路被构造为将相同或不同的电压施加至对应的各条伪字线，以将选择的伪单元关断，和调整流动通过伪单元的漏电流；并且通过对伪单元中的漏电流的调整而使存储器单元中的漏电流保持在基本均匀的电平。
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