公开(公告)号：CN1893540A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610103088.5

申请日：2006-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锡河 ,  李德炯 ,  李康福

IPC: H04N3/15 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641

Abstract: 一方面，提供了一种图像传感器，其包括单位有源像素阵列。每一单位有源像素包括具有多个光电转换区的第一有源区，以及与所述第一有源区隔开的第二有源区。按行和列排列所述第一有源区，以界定其间的行延伸间隔和列延伸间隔，所述第二有源区位于所述第一有源区之间界定的行延伸间隔和列延伸间隔的相应交叉处。

公开(公告)号：CN1674297A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410099771.7

申请日：2004-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宰燮 ,  李德炯 ,  南丁铉 ,  柳政澔 ,  金利泰 ,  孔海庆

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

Abstract: 一种用于将信号电荷转换成电压的信号转换器，包括用于接收信号电荷的第一级的第一驱动器FET。后续驱动器FET连接到第一驱动器FET的输出端，且减少了后续驱动器FET的栅极电介质厚度。后续驱动器FET用于第二级或用于第三级。后续驱动器FET的栅极电介质厚度的减少增加了电压增益AVtotal，而不会降低电荷转移效率，因此增强了信号转换器的整体灵敏度。

公开(公告)号：CN1146035C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN98118804.4

申请日：1998-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  朴钟

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10894

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，可消除半导体器件制造时因对准偏差引起的工序缺陷，使工序简化。本方法包括工序：在衬底上形成栅电极，在栅电极两侧壁上形成隔离层，在栅电极两边侧衬底内部形成源-漏用有源区域，在衬底面上形成绝缘膜，对绝缘膜刻蚀处理、仅在DRAM单元形成部的栅电极间的有源区域表面自对准地留下绝缘膜，在DRAM单元形成部的栅电极表面及以外的任意区域的栅电极和有源区域表面分别形成硅化物膜。

公开(公告)号：CN1236990A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN99106789.4

申请日：1999-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金弘基 ,  李德炯 ,  催昌植

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/1052

Abstract: 通过在集成电路衬底上制造空间上分开的存储器单元场效应晶体管阵列和外围电路场效应晶体管,制造集成电路存储器器件。存储器单元晶体管包括存储器单元晶体管源和漏区及栅。外围电路晶体管包括外围电路晶体管源和漏区及栅。在存储器单元晶体管源和漏区上形成硅化物阻挡层。在存储器单元晶体管栅、外围电路源和漏区、栅上形成硅化物层。存储器单元晶体管源和漏区上没有硅化物层。可在存储器单元中提供低接触电阻不降低泄漏特性。