公开(公告)号：CN104934067B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201510119045.5

申请日：2015-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金斗铉 ,  金甫根 ,  朴起台 ,  韩真晚

IPC: G11C16/26

Abstract: 提供一种非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法。根据示例实施例，一种操作存储装置的方法包括：使用存储器控制器读取工序能力指数；基于工序能力指数调节至少一个操作条件；根据调节的所述至少一个操作条件来操作至少一个非易失性存储器装置中的一个非易失性存储器装置。所述工序能力指数指示与将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状。

公开(公告)号：CN103971739B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410045093.X

申请日：2014-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  朴起台

IPC: G11C16/06 ,  G06F12/02

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/22

Abstract: 一种存储系统及其编程方法。存储系统包括：非易失性存储设备；以及存储控制器，被配置为控制所述非易失性存储设备，使得通过第一编程模式和第二编程模式中的一个对与所述非易失性存储设备的所选择的行相连接的存储单元进行编程。在所述第一编程模式，将数目与最大页数目相对应的多个逻辑页存储在所述存储单元；以及在所述第二编程模式，使用与在所述第一编程模式中使用的不同的偏置条件将数目小于所述最大页数目的一个或多个逻辑页存储在所述存储单元。

公开(公告)号：CN107393589A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710611578.4

申请日：2014-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  朴起台

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/16 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明涉及一种具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备。一种三维(3D)快闪存储器，包括：被布置在地选择线和最低主字线之间的第一伪字线，以及被布置在串选择线和最高主字线之间的具有不同的字线配置的第二伪字线。

公开(公告)号：CN104252880A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410301698.0

申请日：2014-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  朴起台 ,  朴贤郁 ,  李栽均

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/28

Abstract: 一种读取非易失性存储器设备的方法，包括：向非易失性存储器设备的被选字线施加读取电压；向非易失性存储器设备的未被选字线施加读取通过电压；感测连接到被选字线的存储单元的状态；以及在感测之后向被选字线施加读取通过电压。

公开(公告)号：CN104143358A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410195246.9

申请日：2014-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  朴起台

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3427

Abstract: 本发明涉及一种具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备。一种三维(3D)快闪存储器，包括：被布置在地选择线和最低主字线之间的第一伪字线，以及被布置在串选择线和最高主字线之间的具有不同的字线配置的第二伪字线。

公开(公告)号：CN103093818A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210436459.7

申请日：2012-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱相炫 ,  朴起台 ,  尹翔镛 ,  韩真晚

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G06F11/1016 ,  G06F11/08 ,  G06F11/10 ,  G06F11/1008 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1076 ,  G06F11/108 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418 ,  H03M13/151 ,  H03M13/1525 ,  H03M13/1545

Abstract: 一种存储系统及其操作方法，存储系统包括：非易失性存储装置和存储器控制器，存储器控制器配置为控制非易失性存储装置，并配置为向非易失性存储装置提供包括从该非易失性存储装置读取的数据的错误的错误位置信息的错误标志信息。

公开(公告)号：CN101393774B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200810175617.1

申请日：2008-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金杜坤 ,  朴起台 ,  李永宅

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/14

Abstract: 一种在非易失性存储器件中的后编程的擦除方法。该方法包括：后编程伪存储单元；验证所述伪存储单元的阈值电压是否大于或等于第一电压；后编程普通存储单元；并且验证所述普通存储单元的阈值电压是否大于或等于第二电压。所述第一电压与所述第二电压不同。

公开(公告)号：CN102820057A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210189683.0

申请日：2012-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋永先 ,  金甫根 ,  权五锡 ,  朴起台 ,  申昇桓 ,  尹翔镛

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/08 ,  G11C16/34 ,  G11C16/3459

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及编程非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置包括：存储单元阵列、输出校验读取结果的页缓冲单元、产生参考电流信号的参考电流产生单元、根据校验读取结果输出电流的页缓冲解码单元、配置成对所述电流进行计数的模拟位计数单元、计算计数结果的累加和的数字加法单元、根据计算结果输出成功信号或失败信号的成功/失败检查单元、以及控制随后的编程操作的控制单元。

公开(公告)号：CN101221813B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200710306135.0

申请日：2007-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起台 ,  金奇南 ,  李永宅

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/349 ,  G11C16/3495

Abstract: 在包括闪存设备和控制闪存设备的存储控制器的存储系统中设置读取电压的方法，包括顺序改变分布读取电压以从闪存设备读取页数据；构成具有数据位号和分布读取电压的分布表，该数据位号指示分别从闪存设备读取的页数据中的擦除状态，分布读取电压对应于读取页数据；根据分布表检测对应于数据位号的分布读取电压，每个数据位号表示存储单元的可能的单元状态的最大点；并根据检测的分布读取电压定义新的读取电压。

公开(公告)号：CN101206922B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200710160149.6

申请日：2007-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起台 ,  李永宅 ,  金奇南 ,  金杜坤

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/3418 ,  G11C16/24 ,  G11C16/3427

Abstract: 本发明提供了在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压。本方法可以包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以预充电电压和高于该预充电电压的升压电压。本方法可以还包括：施加与编程数据相对应的位线电压到偶数位线和奇数位线中所选择的位线。