公开(公告)号：CN102820057A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210189683.0

申请日：2012-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋永先 ,  金甫根 ,  权五锡 ,  朴起台 ,  申昇桓 ,  尹翔镛

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/08 ,  G11C16/34 ,  G11C16/3459

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及编程非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置包括：存储单元阵列、输出校验读取结果的页缓冲单元、产生参考电流信号的参考电流产生单元、根据校验读取结果输出电流的页缓冲解码单元、配置成对所述电流进行计数的模拟位计数单元、计算计数结果的累加和的数字加法单元、根据计算结果输出成功信号或失败信号的成功/失败检查单元、以及控制随后的编程操作的控制单元。