公开(公告)号：CN111952452A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010411126.3

申请日：2020-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 涩谷宽政 ,  白铁 ,  松尾豊 ,  尹晟荣 ,  林宣晶 ,  申智琇 ,  李启滉 ,  崔容硕 ,  崔泰溱 ,  洪慧林

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146

Abstract: 公开了N型半导体组合物、及包括其的膜、有机光电器件、图像传感器和电子设备，所述N型半导体组合物包括：富勒烯或富勒烯衍生物；和由化学式1表示的富勒烯子单元衍生物。在化学式1中，X、Cy和R1-R8与详细描述中所定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN109694374A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811227739.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申智琇 ,  崔容硕 ,  柴田胜则 ,  崔泰溱 ,  尹晟荣 ,  权五逵 ,  金相模 ,  涩谷宽政 ,  李启滉 ,  陈勇完 ,  崔惠成 ,  白铁 ,  洪慧林

IPC: C07D421/04 ,  C07D421/14 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

CPC classification number: C07D421/04 ,  C07D471/04 ,  C07D471/14 ,  C07F7/0816 ,  C07F7/30 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1096 ,  C07D421/14 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0094

Abstract: 公开化合物以及包括其的光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，各基团与在具体实施方式部分中定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN118852198A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410514235.6

申请日：2024-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林允熙 ,  金亨柱 ,  房非非 ,  李贞仁 ,  朴敬培 ,  朴正一 ,  崔泰溱

IPC: C07D495/16 ,  C07D495/22 ,  C07F7/10 ,  H10K85/60 ,  H10K85/40 ,  H10K30/60 ,  H10K39/32

Abstract: 提供化合物、光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。所述化合物具有小于或等于约0.191eV的重组能和小于或等于约500nm的通过密度泛函理论(DFT)计算的最大吸收波长值。在化学式1中，各基团的定义如说明书中所描述的。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN118546157A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410207623.X

申请日：2024-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨柱 ,  朴敬培 ,  房非非 ,  尹晟荣 ,  李贞仁 ,  林允熙 ,  崔泰溱 ,  许哲准

IPC: C07D495/16 ,  H10K30/60 ,  H10K39/34 ,  H10K39/32 ,  C07D513/16 ,  C07F7/08 ,  H10K85/60 ,  H10K85/40 ,  G01N21/27

Abstract: 提供化合物以及包括其的光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1表示并且具有小于约0.163eV的化合物的重组能和小于或等于约495nm的通过密度泛函理论(DFT)计算的最大吸收波长值。在化学式1中，各取代基的限定如说明书中所描述的。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN117939899A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311396769.5

申请日：2023-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许哲准 ,  徐辉贞 ,  尹晟荣 ,  金亨柱 ,  朴敬培 ,  房非非 ,  林允熙 ,  崔泰溱

IPC: H10K30/81 ,  H10K30/80 ,  H10K30/87 ,  H10K39/32 ,  H10K59/90

Abstract: 公开传感器、传感器阵列、显示面板和电子设备。所述传感器可包括反射性电极、在所述反射性电极上并且包括一种或多种光电转换材料的光电转换层、在所述光电转换层上的半透射性电极、在所述半透射性电极上的光透射缓冲层、和在所述光透射缓冲层上的半透射性辅助层。

公开(公告)号：CN115677558A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210904754.4

申请日：2022-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪慧林 ,  林宣晶 ,  许哲准 ,  朴敬培 ,  尹晟荣 ,  崔泰溱

IPC: C07D209/86 ,  C07F5/02 ,  H10K59/60

Abstract: 公开化合物、传感器、嵌入有传感器的显示面板、和电子设备。所述化合物可应用于传感器以改善其电性质并且由化学式1表示，在化学式1中，各取代基与详述的说明书中所定义的相同。[化学式1]。

公开(公告)号：CN114944416A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210136515.9

申请日：2022-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许哲准 ,  朴敬培 ,  尹晟荣 ,  崔泰溱 ,  房非非 ,  沈明善 ,  李晟熏

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50

Abstract: 本公开提供了传感器嵌入式显示面板和显示装置。一种传感器嵌入式显示面板包括：基板；在基板上的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，该第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件包括单独的、相应的发光层；以及在基板上的包括光吸收层的光吸收传感器，该光吸收层沿着基板的表面方向平行于发光层，其中第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件以及光吸收传感器包括连续地设置在发光层和光吸收层上的第一公共辅助层、以及在第一公共辅助层上并配置为向第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件以及光吸收传感器施加公共电压的公共电极，光吸收传感器还包括在光吸收层和第一公共辅助层之间并包括n型半导体的n型半导体层。

公开(公告)号：CN114106030A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110993819.2

申请日：2021-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨柱 ,  洪慧林 ,  朴敬培 ,  朴正一 ,  尹晟荣 ,  林宣晶 ,  林允熙 ,  崔泰溱

IPC: C07F7/08 ,  H01L27/30

Abstract: 用于光电器件的组合物、以及包括其的光电器件、图像传感器和电子设备，所述用于光电器件的组合物包括由化学式1表示的p型半导体化合物和n型半导体化合物，在化学式1中，各取代基与详细描述中定义的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN113471248A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110346419.2

申请日：2021-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林宣晶 ,  金亨柱 ,  朴敬培 ,  尹晟荣 ,  崔泰溱 ,  许哲准

IPC: H01L27/30

Abstract: 本发明涉及图像传感器、图像处理装置和电子设备。图像传感器包括在竖直方向上堆叠并且分别配置成选择性地吸收在所述可见波长谱的一部分中的光和非选择性地吸收在所述可见波长谱中的光的第一和第二有机光电转换器件。所述第一有机光电转换器件可选择性地吸收在蓝色波长谱中的光，并且所述第二有机光电转换器件可选择性地吸收在绿色波长谱中的光。所述图像传感器可具有堆叠的分别配置成选择性地吸收在红色波长谱和绿色波长谱中的光的有机光电转换器件。

公开(公告)号：CN111192962A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201911034343.9

申请日：2019-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许哲准 ,  朴敬培 ,  姜铉范 ,  朴性俊 ,  朴正一 ,  白铁 ,  申智琇 ,  尹晟荣 ,  李启滉 ,  李敦旭 ,  李恩庆 ,  陈勇完 ,  崔容硕 ,  崔泰溱

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

Abstract: 本发明涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间且配置为吸收在光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换为电信号的光电转换层、以及在所述第一电极和所述光电转换层之间且具有比光电转换层的电荷迁移率高的电荷迁移率的有机辅助层。有机传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机传感器。