-
公开(公告)号：CN117586183A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311043258.5
申请日：2023-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D219/02 , H10K30/60 , H10K39/34 , C07D401/10 , C07D409/10 , C07D421/10 , H10K85/60
Abstract: 提供化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备，所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，各取代基的定义如说明书中所描述的。[化学式1]
-
公开(公告)号：CN117156906A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310575499.8
申请日：2023-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及传感器嵌入式显示面板和电子设备。传感器嵌入式显示面板包括：在基板上且包括发光层的发光元件、以及在所述基板上的包括光敏层的光电传感器，其沿着所述基板的面内方向与所述发光层平行布置，使得所述光敏层和所述发光层在面内方向上至少部分地重叠，其中所述发光元件和所述光电传感器进一步包括第一公共辅助层的单独的相应部分，所述部分设置在所述发光层和所述光敏层各自的下面并且彼此连接以成为在所述发光元件和所述光电传感器之间连续延伸的单块材料，并且所述光敏层包括由化学式1表示的第一半导体以及不包括任何富勒烯并与所述第一半导体形成pn结的第二半导体。
-
公开(公告)号：CN115677470A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210909618.4
申请日：2022-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07C49/683 , C07C255/40 , C07D333/78 , C07D345/00 , C07D409/06 , C07D409/14 , C07D421/04 , C07D421/06 , C07D421/14 , C07D471/04 , C07D495/04 , C07D498/04 , C07D517/04 , C07D517/16 , C07F7/08 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K59/35 , H10K39/34 , H10K30/60 , H10K50/125
Abstract: 公开化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，G、R1、R2、R3、X1、Ar1和Ar2各自与说明书中相同。[化学式1]
-
公开(公告)号：CN118852198A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410514235.6
申请日：2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/16 , C07D495/22 , C07F7/10 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K30/60 , H10K39/32
Abstract: 提供化合物、光电器件、图像传感器、和电子设备。所述化合物由化学式1表示。所述化合物具有小于或等于约0.191eV的重组能和小于或等于约500nm的通过密度泛函理论(DFT)计算的最大吸收波长值。在化学式1中，各基团的定义如说明书中所描述的。[化学式1]#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN118546157A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410207623.X
申请日：2024-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D495/16 , H10K30/60 , H10K39/34 , H10K39/32 , C07D513/16 , C07F7/08 , H10K85/60 , H10K85/40 , G01N21/27
Abstract: 提供化合物以及包括其的光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1表示并且具有小于约0.163eV的化合物的重组能和小于或等于约495nm的通过密度泛函理论(DFT)计算的最大吸收波长值。在化学式1中，各取代基的限定如说明书中所描述的。[化学式1]#imgabs0#
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117939899A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311396769.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开传感器、传感器阵列、显示面板和电子设备。所述传感器可包括反射性电极、在所述反射性电极上并且包括一种或多种光电转换材料的光电转换层、在所述光电转换层上的半透射性电极、在所述半透射性电极上的光透射缓冲层、和在所述光透射缓冲层上的半透射性辅助层。
-
公开(公告)号：CN114944416A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210136515.9
申请日：2022-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了传感器嵌入式显示面板和显示装置。一种传感器嵌入式显示面板包括：基板；在基板上的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，该第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件包括单独的、相应的发光层；以及在基板上的包括光吸收层的光吸收传感器，该光吸收层沿着基板的表面方向平行于发光层，其中第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件以及光吸收传感器包括连续地设置在发光层和光吸收层上的第一公共辅助层、以及在第一公共辅助层上并配置为向第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件以及光吸收传感器施加公共电压的公共电极，光吸收传感器还包括在光吸收层和第一公共辅助层之间并包括n型半导体的n型半导体层。
-
公开(公告)号：CN103809233B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201310544956.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B5/305 , C09K19/3491 , C09K19/60 , C09K19/601 , G02B1/08 , G02B5/3016 , G02F1/133533 , G02F2001/133541 , G02F2001/133635 , G02F2001/133638 , G02F2201/38 , G02F2202/043
Abstract: 本发明涉及偏振膜和抗反射膜及显示装置。抗反射膜包括偏振膜和补偿膜，其中所述偏振膜包括聚合物、和多种具有在约380纳米‑约780纳米范围内的吸收波长区域的二色性染料，和所述抗反射膜的反射颜色在CIE‑Lab色坐标中基本上在‑5≤a*≤5和‑5≤b*≤5的范围内。
-
公开(公告)号：CN103809234B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310548290.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B5/30 , G02B1/08 , G02F1/1335 , H01L27/32 , H01L51/52 , H01L51/54 , H01L51/56 , C08L23/06 , C08L23/12 , C08L23/14 , C08L67/02 , C08K5/45
CPC classification number: G02B1/04 , C09B31/043 , C09B31/12 , C09B31/14 , C09B31/18 , C09B31/28 , C09B33/00 , G02B5/3033
Abstract: 公开了偏振膜、含其的显示装置、用于其的组合物、及其制法，所述偏振膜包括聚烯烃和二色性染料，其中在所述聚烯烃和所述二色性染料之间的溶解度参数差小于7.4。
-
公开(公告)号：CN117500331A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310929614.7
申请日：2023-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/60 , H10K59/12 , H10K101/40
Abstract: 公开光电传感器以及嵌入有传感器的显示面板和电子设备。嵌入有传感器的显示面板包括：在基板上并且包括光发射层的光发射元件、和光电传感器，光电传感器在基板上并且包括光敏层，光敏层沿着基板的面内方向平行于光发射层延伸，使得光敏层和光发射层在所述面内方向上彼此至少部分地重叠。光发射元件和光电传感器包括各自分别在光发射层和光敏层的每一个下面和上作为单块材料连续地延伸的第一和第二公共辅助层各自的单独的、分别的部分。光敏层可包括HOMO能级与第一公共辅助层的HOMO能级的差值小于约1.0eV且LUMO能级与第二公共辅助层的LUMO能级的差值小于约1.0eV的光吸收半导体。光敏层不包括用于与光吸收半导体形成任何pn结的任何配对半导体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.028 seconds)
