传感器嵌入式显示面板和电子设备

    公开(公告)号:CN118076181A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202311558071.9

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 公开传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述传感器嵌入式显示面板包括光发射元件和传感器,所述光发射元件和传感器包括包含空穴传输材料的第一公共辅助层和包含电子传输材料的第二公共辅助层的单独的部分。所述传感器包括第一和第二半导体层,所述第一和第二半导体层分别接近于所述第一和第二公共辅助层,并且分别包括p‑型半导体和具有比所述电子传输材料的LUMO能级深的LUMO能级的非富勒烯n‑型半导体。在所述第二半导体层和所述第二公共辅助层之间的插入层包括金属、金属化合物、或其任意组合。所述金属的功函或所述金属化合物的LUMO能级分别比所述非富勒烯n‑型半导体的LUMO能级和所述电子传输材料的LUMO能级的每一个深了或浅了在小于约1.3eV的范围内的值。

    传感器嵌入式显示面板和电子设备

    公开(公告)号:CN118695664A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410341815.X

    申请日:2024-03-22

    Abstract: 本发明涉及传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述传感器嵌入式显示面板包括基板、在所述基板上并且配置成发射属于可见光波长谱的不同波长谱的光的多个光发射元件、以及在所述基板上并且配置成选择性地感测绿色波长谱和红色波长谱的任一种的光的多个传感器。所述传感器各自包括:包括具有在500nm至600nm的波长范围内的第一最大吸收波长的第一波长选择性光电转换材料的光电转换层,以及厚度为20nm至50nm的缓冲层;或者包括具有在大于600nm且小于750nm的波长范围内的第二最大吸收波长的第二波长选择性光电转换材料的光电转换层,以及厚度为70nm至110nm的缓冲层。

    光电传感器以及嵌入有传感器的显示面板和电子设备

    公开(公告)号:CN117500331A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202310929614.7

    申请日:2023-07-26

    Abstract: 公开光电传感器以及嵌入有传感器的显示面板和电子设备。嵌入有传感器的显示面板包括:在基板上并且包括光发射层的光发射元件、和光电传感器,光电传感器在基板上并且包括光敏层,光敏层沿着基板的面内方向平行于光发射层延伸,使得光敏层和光发射层在所述面内方向上彼此至少部分地重叠。光发射元件和光电传感器包括各自分别在光发射层和光敏层的每一个下面和上作为单块材料连续地延伸的第一和第二公共辅助层各自的单独的、分别的部分。光敏层可包括HOMO能级与第一公共辅助层的HOMO能级的差值小于约1.0eV且LUMO能级与第二公共辅助层的LUMO能级的差值小于约1.0eV的光吸收半导体。光敏层不包括用于与光吸收半导体形成任何pn结的任何配对半导体。

    传感器嵌入式显示面板和显示设备

    公开(公告)号:CN115411070A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210586999.7

    申请日:2022-05-26

    Abstract: 本发明涉及传感器嵌入式显示面板和显示设备。传感器嵌入式显示面板包括:基板、在所述基板上且包括发光层的发光元件、以及在所述基板上且包括沿着所述基板的面内方向与所述发光层平行的光电转换层的光电传感器,其中所述发光元件和所述光电传感器各自包括第一公共辅助层的单独部分和公共电极的单独部分,所述第一公共辅助层为在所述发光层和所述光电转换层上连续延伸的单块材料,所述公共电极在所述第一公共辅助层上且配置为将公共电压施加至所述发光元件和所述光电传感器二者,并且所述光电转换层包括从所述第一公共辅助层起的第一n型半导体层、第二n型半导体层、和p型半导体层的顺序堆叠体。

    传感器嵌入式显示面板和电子设备

    公开(公告)号:CN117156906A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202310575499.8

    申请日:2023-05-22

    Abstract: 本发明涉及传感器嵌入式显示面板和电子设备。传感器嵌入式显示面板包括:在基板上且包括发光层的发光元件、以及在所述基板上的包括光敏层的光电传感器,其沿着所述基板的面内方向与所述发光层平行布置,使得所述光敏层和所述发光层在面内方向上至少部分地重叠,其中所述发光元件和所述光电传感器进一步包括第一公共辅助层的单独的相应部分,所述部分设置在所述发光层和所述光敏层各自的下面并且彼此连接以成为在所述发光元件和所述光电传感器之间连续延伸的单块材料,并且所述光敏层包括由化学式1表示的第一半导体以及不包括任何富勒烯并与所述第一半导体形成pn结的第二半导体。

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