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公开(公告)号：CN111834503A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535548.1
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于垂直纳米结构的纳米三极发光管，包括：衬底；一个或多个过渡层，阵列设置于衬底上，用于定向纳米半导体结构的生长；以及一个或多个纳米半导体结构，设置于对应的过渡层上；纳米半导体结构包括依次堆叠的第一半导体、第二半导体、第三半导体、发光体和第四半导体，过渡层邻接第一半导体或第四半导体，从第一半导体、第二半导体和第四半导体分别引出第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极；在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个设定功率可变输入信号，同时在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个固定电压，以使纳米三极发光管发光。该纳米三极发光管有利于降低驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN111834390A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535701.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。
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公开(公告)号：CN111834388A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
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公开(公告)号：CN111146367A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010062209.6
申请日：2020-01-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种微纳复合结构光提取膜的制备方法，包括步骤：步骤S1：采用软印刷方法制备具有有序微米结构的PDMS模板；步骤S2：将有序微米结构的PDMS模板进行拉伸，并进行等离子处理，在微米结构的PDMS模板上获得不同形状和尺寸的纳米图案，形成具有与所需微纳米复合结构相反的PDMS微纳米复合图案；步骤S3：将PDMS微纳米复合图案转移到所需聚合物上，得到光提取膜。本发明制作效率高，成本低，同时制备的光提取膜在有序微米结构图案嵌套无序纳米结构，可以避免器件衬底与空气界面的光损失，在不改变OLED器件的视角特性的同时，具有较强的光提取效果。
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公开(公告)号：CN111146364A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010070974.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种提高发光器件出光效率的微纳复合结构的制备方法，首先通过加热具有不同的热膨胀系数的聚合物和衬底，使其产生不同程度的受热膨胀；然后利用原子层沉积方法，在聚合物表面一层的孔洞内部填充无机材料，降温过程中，聚合物收缩导致表面一层凸起，形成微纳米褶皱图案；最后将微纳复合结构用于发光显示器件，改变发光显示器件的光线传播路径，提高器件出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110991631A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911186403.9
申请日：2019-11-28
Applicant: 福州大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的神经网络加速系统。该系统依据卷积神经网络天然具有的并行性以及全连接层的稀疏性，通过运算资源重用，并行处理数据和流水线设计，并利用全连接层的稀疏性设计稀疏矩阵乘法器大大提高运算速度，减少资源的使用，从而在不影响卷积神经网络推断准确率的情况下，提高推断速度。本发明是通过运算资源重用，并行处理数据和流水线设计，并利用全连接层的稀疏性设计稀疏矩阵乘法器大大提高运算速度，减少资源的使用，从而在不影响卷积神经网络推断准确率的情况下，降低系统整体功耗、提高推断速度。
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公开(公告)号：CN110782414A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911048121.2
申请日：2019-10-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于密集连接卷积的暗光图像去噪方法，包括以下步骤：构建密集连接去噪卷积神经网络模型，并对其进行训练；获取待处理图像，并对所述待处理图像进行预处理，得到目标待处理图像；通过训练好的密集连接去噪卷积神经网络模型对目标待处理图像进行处理，得到去噪图像。本发明实现了即使在处理暗光或者逆光场景下的图像时，也能保留大量图像细节信息，得到高质量的去噪图像，达到良好的去噪效果。
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公开(公告)号：CN110676284A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910984750.X
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的发光像素，每个发光像素自下至上依次包括像素下电极、下绝缘层、μLED晶粒、上绝缘层、以及像素上电极；其中上绝缘层与下绝缘层使得μLED晶粒与像素下电极、像素上电极之间无直接的电学接触，所述μLED晶粒由交变电场通过电磁耦合点亮。本发明中μLED晶粒与驱动电极无电学接触，因此可以简化μLED晶粒的结构，并且可以采用喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装等方法设置μLED晶粒阵列，可避免巨量转移工艺以及μLED晶粒与驱动阵列的复杂键合工艺的使用，有效地缩短μLED器件的制作周期和降低制作成本，有望增强μLED的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN107895543B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201711207548.3
申请日：2017-11-27
Applicant: 福州大学
IPC: G09F9/33 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明属于新型半导体显示领域，尤其涉及一种高度集成半导体显示系统，将显示系统分为M×N个显示单元（M、N为自然数），每个显示单元包括显示模块、图像获取与处理模块、传感器模块、光学模块、交互控制模块、监控模块和驱动模块等模块中的一个或多个的集合。结合芯片工艺、MEMS工艺和其他微纳米加工工艺，将Micro‑LED器件与集成电路芯片、光电传感器等器件有机结合在一起，提高器件的集成度和新型化程度。同时，本发明提出将超高密度显示的Micro‑LED器件与高精度三维图像采集技术、触觉感知和输入技术、光学技术、信号集成技术等结合起来，实现一种具有真三维空间显示、增强现实和虚拟现实的高度集成半导体显示系统。
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公开(公告)号：CN110061149A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910347313.7
申请日：2019-04-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性OLED器件薄膜封装方法。所述薄膜封装方法采用无机/有机交叠封装结构，并且在封装结构的有机层表面进行修饰，使得表面变得疏水，针孔变小和变少，提高封装结构的水氧阻隔性能，同时减少无机/有机层之间的应力；所述周期性重复，并且在封装结构中设置牺牲层，进一步提高封装结构的水氧阻隔性能。本发明工艺程序简单，封装效果好。
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