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公开(公告)号：CN111106043B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201911337436.9
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括第一导电类型衬底、设置于所述衬底内的呈网格状分布的第一沟槽栅，以及位于由所述第一沟槽栅围合的每个网格单元格内的岛状第二沟槽栅、位于所述衬底内并位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅之间的第二导电类型阱区、位于所述阱区内的第一导电类型第一源区、第一导电类型第二源区和第二导电类型第三源区，以及位于所述衬底上方并同时与所述第一源区、所述第二源区、所述第三源区和所述第二沟槽栅形成电连接的发射极金属层。在不改变器件内部的电场线分布的情况下，增大有效沟槽栅之间的间距来降低电流密度，提高器件的抗短路能力，同时又能改善器件内部电场，提高器件耐压能力。
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公开(公告)号：CN114388385A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011120582.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供的一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质，该方法包括根据所述钝化层的材料信息和所述封装形式，选取与所述钝化层的材料信息和所述封装形式均匹配的目标塑封料；其中，所述目标塑封料能够使得通过所述目标塑封料封装之后的所述待封装半导体器件在高温反偏试验中的漏电流小于第一预设阈值且该待封装半导体器件在高温反偏试验中于预设时间范围内的漏电流变化值小于第二预设阈值。该方法从封装层面出发，根据器件的钝化层材料和封装形式，选择与之均匹配的塑封料进行封装，达到降低半导体器件漏电的目的，提高其可靠性及稳定性。
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公开(公告)号：CN114242762A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010940924.5
申请日：2020-09-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。该碳化硅肖特基半导体器件及其制造方法可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN111162057B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202010008279.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/15 , H01L25/07
Abstract: 本发明涉及一种半导体功率器件及用于半导体功率器件的功率处理组件，其中功率处理组件包括绝缘基板；设置在绝缘基板上的多个芯片；温度传感器，其包括完整地设于绝缘基板内并位于选定的芯片下方的传感器本体，以及与传感器本体相连并从绝缘基板上穿出的电连接件。该功率处理组件可以在降低短路电弧击穿损坏温度传感器的风险的同时，解决温度传感器的温度检测结果与选定芯片的实际工作温度之间误差较大的问题，有利于对芯片的工作温度进行精准控制。
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公开(公告)号：CN113937168A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202010668498.4
申请日：2020-07-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅结势垒肖特基半导体器件及其制造方法。碳化硅结势垒肖特基半导体器件包括层叠设置的衬底和外延层，所述外延层上表面设置有源区和位于所述有源区周围的终端区，所述有源区包括若干间隔设置的结势垒区，其中，沿所述有源区的中部至边缘的方向，所述结势垒区的间距逐渐增加。有源区中心的电流密度比有源区边缘区域的电流密度稍低，使得碳化硅结势垒肖特基半导体器件在正向工作时的热分布更均匀，以此达到优化器件热分布的目的，避免热量局部积累导致碳化硅器件性能的退化或可靠性问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111029265B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201911362878.9
申请日：2019-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供一种防止QFN模封框架翘曲的塑封模具，塑封模具内设有与模封框架对应布置的用于塑封灌注的空腔，空腔内沿模封框架长度方向的两侧部高度低于中间部分的高度。塑封模具上设有与空腔连接的注入口。本发明还提供一种防止QFN模封框架翘曲的塑封方法，包括S10：将芯片搭载在模封框架上。S20：将已搭载芯片的模封框架固定在上述所述的任一项塑封模具内。S30：通过注入口进行塑封灌注。S40：对经过S30处理的整块塑封料进行磨平。S50：根据芯片的位置和形状进行完全切割。本发明提供的防止QFN模封框架翘曲的塑封模具及方法，可以使模封框架所受应力均匀，不发生翘曲，从而有效提高QFN芯片封装出产率。
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公开(公告)号：CN111211097B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010097522.3
申请日：2020-02-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件的封装模块和封装方法。该封装模块包括一级封装模块，一级封装模块包括：金属导热层，具有一个或多个间隔设置的散热柱和连接散热柱的连接部，连接部和散热柱一体设置，散热柱相对于连接部向第一方向凸起；功率半导体器件，设置在金属导热层的与第一方向相反的一侧表面上；绝缘保护层，包覆在功率半导体器件上，绝缘保护层具有连接孔；以及引脚，穿过连接孔与功率半导体器件电连接。在一级封装模块中既实现了对功率半导体器件的封装、又实现了散热同时还利用穿过连接孔的引脚实现了功率半导体器件的功能输出。该一级封装模块适用于各种结构的功率半导体器件的封装，可以简化功率半导体器件的封装工艺、降低成本。
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公开(公告)号：CN110610934B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201910877562.7
申请日：2019-09-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L23/495 , H01L23/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件、其封装结构及其制作方法和封装方法。该功率半导体器件包括元胞区和终端区，元胞区包括多个元胞，各元胞包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极位于衬底的相对的两侧，在垂直于衬底的方向上，第一电极远离衬底的一侧表面与第二电极远离衬底的一侧表面的距离为H1，终端区中与衬底距离最大的一点与第二电极远离衬底的一侧表面的距离为H2，H1大于H2。在采用上述功率半导体器件的封装工艺中，由于器件中的元胞区与终端区之间具有高度差，从而在采用键合部实现发射极和集电极连接时，能够保证键合部与终端区之间具有一定的安全距离，避免了键合部与终端区接触而形成短路，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN113437038A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010209711.5
申请日：2020-03-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种针脚、功率器件、功率器件的制造方法和封装模具。其中，针脚包括顺序排列的第一节、第二节和第三节，其中第二节由旋转体构成，旋转体的旋转曲面上的点到旋转体的旋转轴的距离在轴向方向上递增或递减，第一节由第一柱状体构成，第一柱状体的底面与第二节的面积小的底面相连，且第一柱状体的横截面积小于或等于旋转体的面积小的底面的面积。针脚在处于中间部位的第二节构造成旋转体，使得针脚可以通过该旋转体与封装模具的避让孔的内表面进行密封接触，在这种情况下即使已有的圆形避让孔的实际尺寸大于设计尺寸，该针脚也可以防止塑封材料在功率器件的封装过程中通过避让孔从封装模具中溢出。
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公开(公告)号：CN113224136A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010064134.5
申请日：2020-01-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L21/331 , G03F1/00
Abstract: 本发明涉及一种IGBT芯片及其制造方法、制造IGBT芯片时使用的掩膜版。IGBT芯片包括元胞，元胞包括集电区、漂移区、阱基区、发射区、集电极结构和发射极结构。阱基区和发射区二者的组合呈现为正六棱柱形，发射区包括三个皆为正三角形的子发射区，三个子发射区在阱基区的中心线上相交并在阱基区内以该中心线为中心排列成等距圆形阵列，每个子发射区自阱基区的上表面朝向其下表面延伸。该IGBT芯片可以在保持其六边形元胞的电流密度相对较大、导通压降相对较小的情况下，提高其元胞的抗闩锁能力和抗短路能力。
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