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公开(公告)号:CN104521078A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201380039785.7
申请日:2013-07-26
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/0683 , G01B9/02004 , G01B9/02091 , G01N21/255 , G01N21/272 , G01N21/4795 , G01N2021/399 , G01N2201/0612 , H01S3/10015 , H01S3/10061 , H01S3/105 , H01S3/1396 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/041 , H01S5/042 , H01S5/0607 , H01S5/0687 , H01S5/1039 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18355 , H01S5/18361 , H01S5/18366 , H01S5/18372 , H01S5/34 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S2301/02
Abstract: 本发明公开了一种放大的可调谐源,包括耦合到用于高功率,频谱成形操作的光学放大器的短腔激光器。所述短腔激光器被耦合到具有2个用于扩宽增益的量子态的量子阱半导体光学放大器。所述放大的可调谐源的2个优选波长范围包括1200-1400nm和800-1100nm。还公开了耦合到光纤放大器的短腔可调谐激光器。呈现了多种与所述放大的可调谐源的结合的可调谐滤光片,以降低噪声或改善光谱纯度。
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公开(公告)号:CN103703700A
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201380001286.9
申请日:2013-07-15
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04B10/50 , H04B10/572
CPC classification number: H01S3/1317 , H01S3/0078 , H01S5/0078 , H01S5/02438 , H01S5/02446 , H01S5/0612 , H01S5/0617 , H01S5/06213 , H01S5/0687 , H04B10/0793 , H04B10/07955 , H04B10/564 , H04B10/572
Abstract: 本发明公开了一种波长对准的方法,包括:激光器发射第一光信号;所述第一光信号通过滤波器进行滤波后透射出第二光信号;监测所述第二光信号的消光比以及所述第二光信号的光功率;当所述第二光信号的消光比超出第一消光比阈值范围的上限且所述第二光信号的光功率超出第一光功率阈值范围的下限,或者,所述第二光信号的消光比超出第一消光比阈值范围的下限且所述第二光信号的光功率超出第一光功率阈值范围的上限,调节激光器和/或者滤波器的工作温度到目标工作温度,以使所述滤波器与激光器实现波长对准。相应地,本发明实施例还提供一种波长对准的装置、光发射机及光网络系统。
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公开(公告)号:CN103563191A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201280026231.9
申请日:2012-05-30
Applicant: 康宁公司
CPC classification number: H01S5/4012 , G02B6/4204 , G02B6/4215 , G02B19/0028 , G02B19/0047 , G02B27/1006 , G02B27/141 , H01S3/094053 , H01S3/09408 , H01S3/09415 , H01S5/0078
Abstract: 一种用于提供具有第一波长λ1的泵浦光(50)至激光(32)的设备,该激光(32)发出第二波长λ2,该设备含有波长为λ1的第一及第二激光(12a,b),所述激光将光沿着朝第一方向的第一及第二轴线(A,B)导引。该第一及第二轴线定义第一平面P1。为形成具有波长λ1的合成光束(50),滤光设备(40)在第一表面(36)上具有第一滤光片(F1),该第一滤光片(F1)对于该第一及第二轴线(A,B)成一斜角,且该第一滤光片(F1)透射λ1及反射λ2。第二滤光片(F2)位在平行于该第一表面(36)的第二表面(54)上,该第二滤光片(F2)反射λ1及透射λ2。第三滤光片(F3)形成于该第一表面(36)上而与该第一滤光片(F1)共面,该第三滤光片(F3)反射λ1及透射λ2。该滤光设备(40)重新校准该第一及第二轴线(A,B)为沿着第二平面P2,该第二平面P2正交于P1且平行于该第一方向,该滤光设备(40)防止来自泵浦激光(32)的反馈光到达第一及第二激光(12a,b)。
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公开(公告)号:CN103181754A
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201310023430.0
申请日:2004-09-08
Applicant: 通用医疗公司
Inventor: 尹锡贤 , 布雷特·尤金·鲍马 , 吉列尔莫·J·蒂尔尼 , 约翰内斯·菲茨杰拉德·德·布尔
CPC classification number: H01S5/5045 , A61B5/0059 , A61B5/0066 , A61B5/7257 , G01B9/02002 , G01B9/02004 , G01B9/02043 , G01B9/02075 , G01B9/02081 , G01B9/02083 , G01B9/02084 , G01B9/0209 , G01B9/02091 , G01B2290/45 , G01B2290/70 , G01J3/02 , G01J3/0208 , G01J3/021 , G01J3/0218 , G01J3/0264 , G01J3/453 , G01J9/0215 , G01N21/4795 , G02B6/3604 , G02B26/12 , G02B27/48 , G02F1/093 , G02F1/11 , H01S3/0071 , H01S3/0078 , H01S3/08009 , H01S3/08063 , H01S3/105 , H01S3/1068 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/1025 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/146
Abstract: 提供了一种用于使用频域干涉测量法进行光学成像的方法和设备。具体而言,至少一个第一电磁辐射可以提供给样品并且至少一个第二电磁辐射可以提供给非反射的参考。所述第一和/或第二辐射的频率随时间变化。在关联于所述第一辐射的至少一个第三辐射与关联于所述第二辐射的至少一个第四辐射之间检测干涉。可替换地,所述第一电磁辐射和/或第二电磁辐射具有随时间变化的谱。所述谱在特定时间可以包含多个频率。另外,有可能以第一偏振态检测所述第三辐射与所述第四辐射之间的干涉信号。此外,可以优选地以不同于所述第一偏振态的第二偏振态检测所述第三和第四辐射之间的又一干涉信号。所述第一和/或第二电磁辐射可以具有中值频率以大于每毫秒100万亿赫兹的调谐速度随时间基本上连续变化的谱。
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公开(公告)号:CN101356699B
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200680050533.4
申请日:2006-12-26
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S3/00
CPC classification number: H01S5/0262 , G02B6/4214 , G02B6/4246 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/153 , H01L31/1844 , H01S5/005 , H01S5/0078 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/0267 , H01S5/1085 , H01S5/18 , H01S5/2022 , H01S5/4012 , H01S5/4056 , Y02E10/544
Abstract: 在单个芯片的相应外延层上集成的激光器和检测器与芯片上的和/或外部的光学器件协作从而将激光器所发射的第一波长的光耦合到单个外部器件(比如光纤)并且同时将从外部器件接收到的不同波长的光耦合到检测器,如此提供了双向光子操作。多个激光器和检测器可以被集成在芯片上从而提供多个双向通道。在激光器一端附近的检测器外延中,制造了监控光检测器。
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公开(公告)号:CN100529937C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200680002464.X
申请日:2006-01-17
Applicant: 日本电信电话株式会社 , NTT电子股份有限公司
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3534 , G01J1/32 , G01J3/108 , G01J3/433 , G02B2006/12097 , H01S5/005 , H01S5/0078 , H01S5/0092 , H01S5/4012 , H01S5/4087
Abstract: 一种具有调制功能的光源装置,其包括由具有非线性常数周期性调制构造的非线性光学材料构成的波长变换模块(75),通过WDM耦合器(74)对来自波长不同的半导体激光器光源(71)和(72)的激励光进行合波、并入射到光波导,从而输出所产生的差频或和频,其中,半导体激光器光源(72)内置有衍射光栅,半导体激光器光源(71)包括对从半导体激光器射出的输出光进行调制的装置,并且外部与具有比由半导体激光器的元件长度决定的共振波长间隔更窄的反射频带的FBG(73)连接,以将调制后的输出输入到FBG(73)。
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公开(公告)号:CN101276982A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200710017577.3
申请日:2007-03-28
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC: H01S3/00
CPC classification number: H01S5/065 , H01S5/0078 , H01S5/0427 , H01S5/0656 , H01S5/0657 , H01S5/4006
Abstract: 一种外注入式增益开关激光器超短脉冲的产生方法,其将增益开关激光器产生的多纵模光谱特性的超短光脉冲序列信号输至光学放大器放大,经光谱分量信号选择器筛选出光学放大器输出的位于自发辐射ASE噪声频段内、中心波长与增益开关激光器其中一纵模相同的窄光谱分量信号,以光谱分量信号选择器输出的窄光谱分量信号,一路作为外来种子光,经光谱分量信号反馈回路回注至增益开关激光器,使增益开关激光器腔内被选中的单纵模震荡增强,形成外部光注入锁定;光谱分量信号选择器输出的另一路即是所需的超短光脉冲序列。本发明解决了背景技术中重复频率固定、应用范围受限,结构复杂、体积大、成本高的技术问题,本发明具有波长可调谐的功能。
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公开(公告)号:CN101107562A
公开(公告)日:2008-01-16
申请号:CN200680002464.X
申请日:2006-01-17
Applicant: 日本电信电话株式会社 , NTT电子股份有限公司
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3534 , G01J1/32 , G01J3/108 , G01J3/433 , G02B2006/12097 , H01S5/005 , H01S5/0078 , H01S5/0092 , H01S5/4012 , H01S5/4087
Abstract: 一种具有调制功能的光源装置,其包括由具有非线性常数周期性调制构造的非线性光学材料构成的波长变换模块(75),通过WDM耦合器(74)对来自波长不同的半导体激光器光源(71)和(72)的激励光进行合波、并入射到光波导,从而输出所产生的差频或和频,其中,半导体激光器光源(72)内置有衍射光栅,半导体激光器光源(71)包括对从半导体激光器射出的输出光进行调制的装置,并且外部与具有比由半导体激光器的元件长度决定的共振波长间隔更窄的反射频带的FBG(73)连接,以将调制后的输出输入到FBG(73)。
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公开(公告)号:CN1466699A
公开(公告)日:2004-01-07
申请号:CN01816325.4
申请日:2001-09-26
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B6/266 , G02B6/4204 , G02B6/4206 , H01S3/0078 , H01S3/1053 , H01S3/106 , H01S3/1623 , H01S3/1625 , H01S3/1636 , H01S3/1648 , H01S3/1651 , H01S5/005 , H01S5/0078 , H01S5/105 , H01S5/141
Abstract: 本发明提供一种波长可变光源。如果利用压电元件(3)对可塑性的光子学晶体外加外力,则先子学晶体(2)将产生变形,由此可容易地变化光子带系。如果光子带系发生变化,则特定波长的光的通过将受到限制。因而,可利用光子学晶体(2)充分地变化并输出期望波长的光,该光中介于输出窗(6)被取出到外部。本发明中,在使用小型且可达成波长充分可变的可塑性的光子学晶体(2)的同时,由于单元化了它们,故可以小型化波长可变光源整体。
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公开(公告)号:CN104201559B
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201410409462.9
申请日:2011-04-06
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Inventor: A.布赖德纳泽尔 , A.S.阿夫拉梅斯库 , A.莱尔 , S.陶茨
CPC classification number: H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
Abstract: 本发明涉及一种激光光源,尤其是用于发出具有垂直远场射束轮廓的相干电磁辐射的激光光源,包含:用于产生相干电磁辐射的半导体层组,在基底上具有有源区,其中在运行中至少从射束输出耦合面的主发射区以射束方向发出相干电磁辐射,通过所述半导体层组的侧面形成射束输出耦合面;过滤元件,其在垂直的远场射束轮廓中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面的与所述主发射区垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区发出的相干电磁辐射;其中所述半导体层组和所述过滤元件分别布置在散热器上,以及其中所述过滤元件与所述主发射区并且与所述副发射区垂直偏移地从射束输出耦合面延伸开,所述过滤元件特别可以具有平行于射束方向的主延伸面。
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