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公开(公告)号：CN106989828A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710049600.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 优利斯公司 , 原子能与替代能源委员会
CPC classification number: H01L27/14618 , G01J5/024 , G01J5/045 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L27/1462 , H01L27/14629 , H01L27/14649 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , G01J5/0803
Abstract: 制造具有微囊的电磁辐射探测器的方法，探测器能探测中心在λ10的波长范围[λ8；λ14],含能探测该范围的探测设备和在预压下容纳其的气密封装,其由衬底、附接其的侧壁和附接侧壁的盖形成且含在该范围透明的与设备竖对齐的部分,包括:在衬底上形成该设备,包括沉积完全包埋其的牺牲层；其上形成盖,由在该范围中透明的第一、二和三光学结构堆叠形成,第二和三结构有在λ10≥3.4和≤2.3的等效折射率；形成含至少第一结构的盖的部分后,形成穿过盖的部分的至牺牲层的孔,穿过其施加蚀刻完全去除牺牲层,第一结构的光厚度≥λ10/10,在λ10的等效折射率在牺牲层上形成的第一结构的表面对去除牺牲层的蚀刻是惰性的。
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公开(公告)号：CN106768384A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611110931.2
申请日：2016-12-06
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/0896 , G01J5/60 , G01J2005/0077 , G01J2005/204
Abstract: 本发明涉及一种基于辅助调频光源的彩色成像温度场测量装置及方法，包括：照射待测物体表面的辅助调频光源和彩色图像光电传感器；彩色图像光电传感器在辅助调频光源开启状态下采集待测物体表面的第一彩色图像，在辅助调频光源关闭状态下采集第二彩色图像；第一彩色图像的每个像素的RGB色度值分别对应三个光谱通道的第一辐射强度；第二彩色图像的每个像素的RGB色度值分别对应三个光谱通道的第二辐射强度；待测物体的温度是根据第一辐射强度、第二辐射强度以及辅助调频光源的辐射强度确定的。本发明提供的技术方案在未知发射率情形下实现了大温度梯度目标物体的温度场测量，扩大了温度场测量的有效范围。
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公开(公告)号：CN103930755B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280044662.8
申请日：2012-07-13
Applicant: 中央科学研究中心 , 法国宇航院 , 原子能和替代能源专员署
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J2005/204 , H01L27/14685 , H04N5/33
Abstract: 根据一个方面，本发明是有关对给定光谱带的光辐射进行热探测的微测热辐射计阵列，包括一个支撑衬底和给定规模的微测热辐射计阵列（300），排列成阵列。每一个上述的微测热辐射计包括一个悬挂于上述支撑衬底之上的隔膜（301），所述隔膜包括一个吸收入射辐射的元件（305）和一个与吸收器热接触的测温元件（304），与上述吸收元件电绝缘。吸收元件包括至少一个第一金属/绝缘体/金属（MIM）结构，包括多个三层亚微细粒厚度的膜，即，第一金属膜（311），电介质膜（310），和第二金属膜（309），上述MIM结构具有对上述光谱带中的至少一种波长的入射辐射的谐振吸收。微测热辐射计像素被上述隔膜（301）覆盖的区域小于或等于整个微测热辐射计像素区域的一半。
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公开(公告)号：CN106441595A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610855933.8
申请日：2016-09-28
Applicant: 杭州大立微电子有限公司
CPC classification number: G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/204 , H01L35/02
Abstract: 一种红外探测器阵列级封装结构及其制造方法，所述红外探测器阵列级封装结构包括：基底，所述基底包括衬底以及位于部分衬底表面的读出电路；薄膜层，所述薄膜层部分位于所述读出电路外侧的衬底表面，与所述衬底之间形成真空腔；吸气剂层，所述吸气剂层位于所述真空腔内部的基底表面；红外传感器单元，所述红外传感器单元位于所述真空腔内的读出电路上方与所述读出电路连接。上述红外探测器阵列级封装结构的结构紧凑，能有效地降低器件的成本。
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公开(公告)号：CN106098846A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610496899.X
申请日：2016-06-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , G01J5/20 , G01J2005/204 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外探测器参考像元及其制造方法。在ASIC电路上设置的金属反射层，以及在所述金属反射层上依次为绝缘介质层、牺牲层、支撑层、热敏薄膜、介质保护层、电极金属层、金属填充图形、遮光层、保护结构和钝化层介质；所述牺牲层上设有桥墩孔；所述桥墩孔内设有通孔；所述介质保护层中设有接触孔。本发明完成了参考像元的特殊结构，同时因参考像元大面积的被覆盖了一层金属层，提高了参考像元阵列的热导，极大的消除了芯片环境的热辐射干扰因素，提高非制冷红外探测器的器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105810704A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610145799.2
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146 , G01J5/20
CPC classification number: H01L27/146 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/204
Abstract: 本发明公开了一种广谱成像探测芯片。包括热辐射结构和光敏阵列。广谱入射光波进入热辐射结构后，在纳尖表面激励产生等离激元，驱动图形化金属膜中的自由电子向纳尖产生振荡性集聚，纳尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合，产生压缩性脉动，使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射，光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号，经预处理后得到电子图像数据并输出。本发明能将广谱入射光波基于压缩在纳空间中的高温电子运动实现二次可见光辐射进而执行光电转换与成图操作，具有波谱适用范围宽、光电灵敏度高、光电响应快以及成本相对低廉的特点。
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公开(公告)号：CN101627290A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200780038817.6
申请日：2007-10-17
Applicant: 传感电子公司 , 中央佛罗里达大学研究基金公司
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20 , G01J2005/204
Abstract: 本发明可提供用于红外微辐射热测定计传感器的一种传导结构以及用于感测电磁辐射的一种方法。该微辐射热测定计可以包括一个第一导体层(64)和一个第二导体层(68)。该微辐射热测定计可以进一步包括位于该第一导体层与第二导体层之间的一个辐射热测定计层(62)。
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公开(公告)号：CN107807270A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711229918.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 曲阜师范大学
CPC classification number: G01R19/0092 , G01J5/0096 , G01J5/20 , G01J2005/204
Abstract: 本发明涉及一种基于人工智能的电流检测装置及其检测方法，属电气工程领域。该电流检测装置包括红外图像采集模块、主控单元、样本图像存储模块；主控单元包括第一DSP、第二DSP；红外图像采集模块采集图像并送至第一DSP进行图像处理，处理后送至第二DSP与样本图像存储模块中的样本图像进行图像比对、计算：首先通过实验获取冷却装置启动和未启动时导体承载不同电流时的红外温度场图像，并进行图像处理作为样本图像，建立样本图像数据库；其次采集被测电流回路导体的红外温度场图像并处理得到采样图像，与样本图像比对及计算，得出电流值。本发明检测装置体积小、重量轻；计算量小、快速准确，尤其适合于高电压、大电流场合的电流检测。
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公开(公告)号：CN107117579A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710331925.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81C1/00103 , B81C1/00476 , G01J4/04 , G01J5/0825 , G01J5/20 , G01J2005/204
Abstract: 本发明涉及一种双层偏振非制冷红外探测器结构，包括半导体基座和探测器本体，所述探测器本体包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层、第一保护层、第二支撑层、电极金属层、热敏层和第二保护层，所述第一支撑层和绝缘介质层之间形成第一谐振腔，所述第一保护层和第二支撑层之间形成第二谐振腔，所述电极金属层上设有热敏层，双层结构提高了像元的红外吸收效率，在第二保护层上设有偏振结构，可以实现偏振敏感型红外探测器的单片集成，而且极大的降低了光学设计的难度；还涉及上述探测器结构的制备方法，包括制备双层非制冷红外探测器的步骤，还包括在双层非制冷红外探测器上制备偏振结构的步骤。
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公开(公告)号：CN107117578A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710328749.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81C1/00103 , B81C1/00476 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/204
Abstract: 本发明涉及一种非制冷双色红外探测器MEMS芯片，分为呈矩阵排列的四个区域：第一、三区域和第二、四区域，第一、三区域和第二、四区域形成高度不同的谐振腔，且其上溅射方阻值不同的热敏层薄膜，能够更好地吸收不同波段的红外能量，然后转换成电学信号进行处理进行图像输出。本发明还涉及一种制备上述芯片的方法，包括在第一、三区域和第二、四区域分别制作不同高度的谐振腔的步骤、分别溅射不同方阻值热敏层薄膜的步骤及封装测试的步骤，所述芯片能够在超低温(‑80℃～‑60℃)环境下工作和超高温(85℃～100℃)环境下工作。
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